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公开(公告)号：CN115004335A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180009087.7
申请日：2021-09-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/35
摘要： 在基板上形成低电阻率钨膜的方法及设备。在一些实施方式中，一种降低钨的电阻率的方法包括：以氪的处理气体且使用具有大约60MHz的频率的RF功率及磁控管，在物理气相沉积(PVD)腔室的处理空间中产生等离子体；将处于大约13.56MHz的频率的偏压功率施加至基板；和溅射钨靶材以在基板上沉积钨薄膜。所沉积的钨薄膜的至少大约90％具有大约平行于基板的顶部表面的1‑1‑0晶体取向平面。
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公开(公告)号：CN114981934A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080092524.1
申请日：2020-10-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/67 , C23C14/56 , C23C14/16 , H01L21/3213
摘要： 描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。
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公开(公告)号：CN114981479A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009899.1
申请日：2021-04-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L45/00 , H01L27/24
摘要： 本文提供了用于钝化靶材的方法和设备。例如，一种方法包含：a)将氧化气体供应到处理腔室的内部空间中；b)点燃氧化气体以形成等离子体并氧化靶材或靶材材料中的至少一者，所述靶材材料沉积在设置于处理腔室的内部空间中的处理配件上；和c)执行循环净化，包括：c1)向处理腔室中提供空气以与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应；c2)在处理腔室内维持预定压力达预定时间，以产生由空气与靶材或沉积在处理配件上的靶材材料中的至少一者反应而引起的有毒副产物；和c3)排空处理腔室以去除有毒副产物。
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公开(公告)号：CN109804458A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780061629.9
申请日：2017-10-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 描述了含钌的栅极层叠和形成含钌栅极层叠的方法。含有钌的栅极层叠包含：多晶硅层，在基板上；硅化物层，在多晶硅层上；阻挡层，在硅化物层上；钌层，在阻挡层上；及间隔层，包含在钌层的侧面上的氮化物，其中钌层在形成间隔层之后基本上不包含氮化钌。形成钌层包含以下步骤：在氪环境中在包含高电阻率陶瓷材料的高电流静电卡盘上溅射钌。溅射的钌层在大于或等于约500℃的温度下退火。
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公开(公告)号：CN108140560A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059853.X
申请日：2016-10-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/2855 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/568 , H01J37/3408 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , H01L21/326
摘要： 在此公开用于将一层耐火金属层溅射到设置在基板上的阻挡层上的系统和方法。在一或多个实施方式中，在集成电路中溅射沉积钨结构的方法包括以下步骤：将基板移动到等离子体处理腔室中，且移动到与溅射靶材组件相对的基板支撑件上，溅射靶材组件包含具有不超过10ppm的碳和不超过10ppm的氧作为杂质存在的钨靶材；将氪气流入等离子体处理腔室；和将氪气激发成等离子体，以通过溅射而在由基座所支撑的基板的材料层上沉积钨膜层。在一些实施方式中，靶材组件进一步包括钛背板和设置在钛背板与钨靶材之间的铝粘合层。
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