公开(公告)号：CN112640065B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980057814.X

申请日：2019-10-16

申请人： 应用材料公司

发明人： 姜浩 ,  任河 ,  陈浩 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 本公开内容的实施方式提供用于形成和图案化设置在基板上的膜堆叠中的特征的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于图案化基板上的导电层的方法包括以下步骤：以第一流量供应包括含氯气体的第一气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；将第一气体混合物中的所述含氯气体降低到低于所述第一流量的第二流量，以继续蚀刻所述第一导电层；和将所述第一气体混合物中的所述含氯气体增加到大于所述第二流量的第三流量，以从所述基板移除所述第一导电层。

公开(公告)号：CN114981934A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080092524.1

申请日：2020-10-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克 ,  候文婷 ,  雷建新 ,  龚晨 ,  曹勇

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/16 ,  H01L21/3213

摘要： 描述一种形成用于半导体装置的互连结构的方法。方法包含通过物理气相沉积在基板上沉积蚀刻终止层，随后在蚀刻终止层上原位沉积金属层。原位沉积的步骤包含使等离子体处理气体流动到腔室中，和将等离子体处理气体激发成等离子体以在基板上的蚀刻终止层上沉积金属层。基板在沉积工艺期间持续在真空下，且不暴露至周围空气。

公开(公告)号：CN113811988A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080032724.8

申请日：2020-05-01

申请人： 应用材料公司

发明人： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538

摘要： 描述了形成连接在两个方向上延伸的两条金属线的完全对准的过孔的方法。完全对准的过孔沿着两个方向与第一金属线和第二金属线对准。在与第一金属层电接触的第二金属层的顶部上图案化第三金属层。图案化的第三金属层与第二金属层的顶部未对准。使第二金属层凹陷以暴露第二金属层的侧面并移除未对准第三金属层的侧面的部分。

公开(公告)号：CN117321743A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280033047.0

申请日：2022-04-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 姜浩 ,  吕骐 ,  任河 ,  梅裕尔·奈克

IPC分类号： H01L21/3213

摘要： 提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包括：将氧气(O2)供应到蚀刻腔室的处理容积中以与钌的基底层顶上的硅基硬掩模层反应，以在硅基硬掩模层上形成类SiO材料的覆盖层，以及使用O2或氯气(Cl2)中的至少一种蚀刻钌的基底层，同时供应氮气(N2)以将类SiO材料的一些溅射到在蚀刻期间产生的暴露的钌侧壁上。

公开(公告)号：CN117015853A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280019033.3

申请日：2022-01-05

申请人： 应用材料公司

发明人： 任河 ,  姜浩 ,  尤适 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本公开内容的实施方式一般涉及减材金属、减材金属半导体结构、减材金属互连，及用于形成此种半导体结构及互连的工艺。在实施方式中，提供了一种制造半导体结构的工艺。该工艺包括在半导体结构上执行脱气操作，并在半导体结构上沉积衬垫层。该工艺进一步包括在半导体结构上执行溅射操作，及通过物理气相沉积在衬垫层上沉积金属层，其中衬垫层包括Ti、Ta、TaN或其组合，且金属层的电阻率为约30μΩ·cm或更小。

公开(公告)号：CN112640065A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057814.X

申请日：2019-10-16

申请人： 应用材料公司

发明人： 姜浩 ,  任河 ,  陈浩 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 本公开内容的实施方式提供用于形成和图案化设置在基板上的膜堆叠中的特征的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于图案化基板上的导电层的方法包括以下步骤：以第一流量供应包括含氯气体的气体混合物，以蚀刻设置在所述基板上的第一导电层；将第一气体混合物中的所述含氯气体降低到低于所述第一流量的第二流量，以继续蚀刻所述第一导电层；和将所述第一气体混合物中的所述含氯气体增加到大于所述第二流量的第三流量，以从所述基板移除所述第一导电层。

公开(公告)号：CN114556544A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080071721.5

申请日：2020-08-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 姜浩 ,  古劳斯·贝基亚里斯 ,  埃莉卡·陈 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC分类号： H01L21/762 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768

摘要： 提供用于在群集处理系统中的基板上形成互连结构以及热处理此互连结构的方法。在一个实施方式中，用于供半导体装置的装置结构的方法包括以下步骤：于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层；于阻挡层上形成界面层；于界面层上形成间隙填充层；和于基板上执行退火工艺，其中在大于5巴的压力范围下执行退火工艺。

公开(公告)号：CN112236854A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037590.6

申请日：2019-06-21

申请人： 应用材料公司

发明人： 姜浩 ,  任河 ,  陈浩 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： 一般而言，本文描述的实施方式涉及用于制造半导体装置的互连结构的方法，诸如双减法蚀刻工艺。一个实施方式为用于半导体处理的方法。氮化钛层形成于基板上方。硬掩模层形成于氮化钛层上方。将硬掩模层图案化成图案。将图案转印至氮化钛层，其中转印步骤包括蚀刻氮化钛层。在将图案转印至氮化钛层之后，去除硬掩模层，其中去除步骤包括执行含氧灰化工艺。