公开(公告)号：CN112913139A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201980005268.5

申请日：2019-11-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/25 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明的课题在于，在将压电性材料基板和硅基板借助包含氧化硅的接合层进行接合时，防止接合体的破损及裂纹，在较宽的频率范围内提高接合体的有效电阻率。通过溅射法在包含硅的支撑基板1上设置硅膜2。通过将硅膜2于400℃以上600℃以下的温度进行热处理而生成中间层3。将压电性材料基板借助中间层3以及包含氧化硅的接合层而接合于支撑基板1。

公开(公告)号：CN112074622A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201980026669.9

申请日：2019-02-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC: C23C14/10 ,  C23C14/08 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。

公开(公告)号：CN111492577A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880052320.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  B32B9/00 ,  C30B29/30 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H01L41/337 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。

公开(公告)号：CN108781064B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201780017368.0

申请日：2017-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二 ,  浅井圭一郎 ,  吉野隆史 ,  后藤万佐司 ,  滑川政彦

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/313 ,  H01L41/337 ,  H01L41/39 ,  H03H9/25

Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。

公开(公告)号：CN105074868B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

公开(公告)号：CN103947110B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380003306.6

申请日：2013-11-11

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  NGK陶瓷设备株式会社

Inventor： 多井知义 ,  岩崎康范 ,  堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  服部良祐 ,  铃木健吾

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H01L41/0838 ,  H01L41/053 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。

公开(公告)号：CN102468385B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110370293.9

申请日：2011-11-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  堀裕二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02002 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: 针对于粘接由第13族氮化物构成的第1基板和由陶瓷构成的第2基板而成的复合基板，在改善放热性的同时简化其制造时的制造时工序。包括(c)在陶瓷构成的第2基板(12)的表面(12a)形成金属膜(23)，(d)介由该金属膜(23)接合由第13族氮化物构成的第1基板(21)和第2基板(12)。由于一般金属膜(23)相比于氧化膜，其热传导率高，因此，相比于介由氧化膜接合第1基板(21)和第2基板(12)的情况，其可以得到放热性好的复合基板(10)。此外，由于不使用氧化膜，故不需要向外扩散的工序，进而简化工序。

公开(公告)号：CN103765773A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201380002488.5

申请日：2013-07-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  服部良祐 ,  多井知义

IPC: H03H9/145 ,  C04B37/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/64 ,  C04B37/02 ,  H01L41/312 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02622 ,  H03H9/02866 ,  H03H9/0538 ,  H03H9/059 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 复合基板(10)中，压电基板(20)的接合面(21)成为部分平坦化凹凸面。该部分平坦化凹凸面的多个凸部(23)的顶端具有平坦部(25)，通过该平坦部(25)，压电基板(20)与支持基板(30)直接键合。因此，将接合面(21)做成凹凸面(粗糙面)且具有平坦部(25)，由此能充分确保压电基板(20)与支持基板(30)的接触面积。由此，在接合压电基板(20)与支持基板(30)的复合基板中，能够将接合面(21)粗糙化并进行直接键合。此外，能得到如下的弹性表面波器件：通过实施不使用粘结剂的直接键合来提高耐热性，且通过粗糙化接合面从而散射体声波，提高特性。

公开(公告)号：CN103703542A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201380002366.6

申请日：2013-07-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩崎康范 ,  井出晃启 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  宫泽杉夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。

公开(公告)号：CN111512549B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201880052346.2

申请日：2018-11-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC: H03H9/25 ,  H01L21/02 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/07 ,  H03H3/08

Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。