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公开(公告)号：CN112840039A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980065594.5
申请日：2019-10-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 徐相俊 , 袁格 , 西瓦·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂
摘要： 一种用于清洁衬底处理室的表面的方法包含：a)供应第一气体，所述第一气体选自由下列各项所组成的群组：四氯化硅(SiCl4)、四氯化碳(CCl4)、碳氢化合物(CxHy，其中x与y为整数)和分子氯(Cl2)、三氯化硼(BCl3)、以及亚硫酰氯(SOCl2)；b)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；c)将所述等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空；d)供应包含氟物质的第二气体；e)在所述衬底处理室中激励等离子体，以蚀刻所述衬底处理室的表面；以及f)将该等离子体熄灭，并将所述衬底处理室排空。
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公开(公告)号：CN118020031A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280066025.4
申请日：2022-07-20
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 公开了含金属光致抗蚀剂的光致抗蚀剂再加工。可以使用热处理通过将衬底暴露于升高的温度和蚀刻气体来完成再加工。还可以使用湿法处理将衬底暴露于无机酸性溶液中来完成再加工。再加工后，可以通过暴露于高温、等离子体或湿法清洁来清除衬底上的残留物或其他污染物。
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公开(公告)号：CN110520963B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880023914.6
申请日：2018-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
摘要： 在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
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公开(公告)号：CN116705595A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310506176.3
申请日：2021-01-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 薛君 , 玛丽·安妮·马努姆皮尔 , 李达 , 萨曼塔·S·H·坦 , 游正义
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , G03F7/09 , G03F7/20
摘要： 本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。
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公开(公告)号：CN115885376A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180051077.X
申请日：2021-06-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 丹尼尔·彼得 , 游正义 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 薛萌 , 李达 , 基思·爱德华·道森 , 克林特·爱德华·托马斯 , 约翰·丹尼·贝特里娜·帕乔
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 执行干式背侧和斜面边缘清洁而不暴露于等离子体，以从衬底移除不想要的光致抗蚀剂材料。衬底被支撑在衬底支撑件上并通过最小接触区域(MCA)支撑件抬高，使得蚀刻气体可以接触到衬底背侧。气体分配器是将帘式气体输送至衬底的正面，以保护正面上的光致抗蚀剂材料。蚀刻气体输送源是将第一蚀刻气流输送至该背侧，一或多个周围气体入口则将第二蚀刻气流输送至正面的周围以及斜面边缘附近。辐射热源位于衬底下方以加热衬底。
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公开(公告)号：CN115565867A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211140265.2
申请日：2020-06-22
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 在半导体设备制造中使用氧化锡膜作为间隔物及硬掩模。在一种方法中，需要在暴露的含硅层，例如SiOC、SiON、SiONC、非晶硅、SiC、或SiN存在时选择性地蚀刻锡氧化物层(如间隔物基脚)。为了减少对含硅层的损伤，工艺涉及使含硅层相对于锡氧化物蚀刻化学物质钝化、蚀刻氧化锡、以及以交替方式重复钝化与蚀刻。例如，钝化与蚀刻可各自进行介于2‑50次之间的次数。在一实现方案中，通过利用在等离子体中受到活化的含氧反应物处理衬底而进行钝化，并且氧化锡蚀刻是由基于氯的化学物质(如使用Cl2与BCl3的混合物)执行的。
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公开(公告)号：CN114270479A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056237.5
申请日：2020-06-22
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 在半导体设备制造中使用氧化锡膜作为间隔物及硬掩模。在一种方法中，需要在暴露的含硅层，例如SiOC、SiON、SiONC、非晶硅、SiC、或SiN存在时选择性地蚀刻锡氧化物层(如间隔物基脚)。为了减少对含硅层的损伤，工艺涉及使含硅层相对于锡氧化物蚀刻化学物质钝化、蚀刻氧化锡、以及以交替方式重复钝化与蚀刻。例如，钝化与蚀刻可各自进行介于2‑50次之间的次数。在一实现方案中，通过利用在等离子体中受到活化的含氧反应物处理衬底而进行钝化，并且氧化锡蚀刻是由基于氯的化学物质(如使用Cl2与BCl3的混合物)执行的。
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公开(公告)号：CN114200776A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111256563.3
申请日：2021-01-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 薛君 , 玛丽·安妮·马努姆皮尔 , 李达 , 萨曼塔·S·H·坦 , 游正义
IPC分类号： G03F7/09 , H01L21/027
摘要： 本申请涉及用于光刻胶粘附和剂量减少的底层。本公开一般涉及包括底层和成像层的图案化结构，及其方法和设备。在特定实施方案中，底层提供成像层的辐射吸收率和/或图案化性能的增加。
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公开(公告)号：CN113785381A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032750.0
申请日：2020-04-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/027 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。
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公开(公告)号：CN113675081A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110728563.2
申请日：2019-01-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 徐相俊 , 鲍里斯·沃洛斯基 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 吴晖荣
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 氧化锡膜在半导体器件制造中用作心轴。在一个实现方式中，该处理开始于提供一种衬底，该衬底具有存在于暴露的蚀刻停止层上的多个突起的氧化锡特征(心轴)。接下来，在心轴的水平表面和侧壁上都形成保形的间隔材料层。然后从水平表面去除间隔材料，从而暴露出心轴的氧化锡材料，而没有完全去除存在于心轴侧壁上的间隔材料(例如，留下初始在侧壁上的高度的至少50％，例如至少90％)。接下来，选择性地去除心轴(例如，使用基于氢的蚀刻化学物质)，同时保留存在于心轴侧壁上的间隔材料。所得的间隔件可用于图案化蚀刻停止层和下伏层。
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