-
公开(公告)号：CN1531031A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4－k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3－jSi－(L)m－}nMZ4－n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
-
公开(公告)号：CN1519197A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1－4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
-
公开(公告)号：CN1492241A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03134833.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F7/70958 , G21K1/06
Abstract: 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备，反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有，选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明，向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后，通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。
-
公开(公告)号：CN101673051A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910128224.X
申请日：2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种具有含以[化1]所表示的单元与以[化2]所表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料，(其中，R1和R3是相同或不同，是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基；R2是氢原子、烷基、脂环基、芳基、杂环、酯基或醚基，是不由酸而离去的原子或基团；R4是由酸而离去的保护基；m为0～5的整数；a和b满足0＜a＜1、0＜b＜1和0＜a+b≤1。)
-
公开(公告)号：CN100442436C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200480000583.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76801 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76817
Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压构件具有凸部的推压面推压到流动性膜，将所述凸部转印到流动性膜的工序，且所述凸部包括用于形成金属布线的第1凸部与用于形成插塞的第2凸部；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了所述凸部的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100394559C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4-n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
-
公开(公告)号：CN100349258C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200410007839.4
申请日：2004-03-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/2041
Abstract: 一种图案形成方法，在形成由含基础聚合物、照射光线后能产生酸的酸发生剂、和内酯的化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)后，在向抗蚀膜(102)提供边循环边暂时被储存在溶液储备部中的水(103)的状态下，向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光光(104)，以进行图案曝光。对已进行图案曝光的抗蚀膜(102)实施后烘焙之后，利用碱性显影液进行显影，就可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好形状的抗蚀图案(105)。根据本发明，可以改善通过浸渍光刻法得到的抗蚀图案的形状。
-
公开(公告)号：CN1967387A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148582.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/38
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，该图案形成方法可以防止浸液曝光用液体穿过保护抗蚀膜免受该液体影响的阻挡膜而向抗蚀膜浸透的情况，从而能够获得具有良好形状的微细图案。该图案形成方法在形成于基板(101)上的抗蚀膜(102)上，形成含有聚合物和利用热使该聚合物产生交联反应的交联剂的阻挡膜(103)。接下来，将所形成的阻挡膜(103)加热而将聚合物交联后，在阻挡膜(103)上配置了液体(104)的状态下，藉由阻挡膜(103)向抗蚀膜(102)选择性地照射曝光而进行图案曝光。接下来，在将阻挡膜(103)除去后，通过对进行了图案曝光的抗蚀膜(103)进行显影，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。
-
公开(公告)号：CN1881084A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610073601.0
申请日：2006-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C08L59/00 , C08L2205/02 , G03F7/0392 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , C08L2666/16
Abstract: 本发明公开了一种化学放大型抗蚀材料及使用了该化学放大型抗蚀材料的图案形成方法。目的在于：能够在浸液光刻中防止化学放大型抗蚀膜的溶解性的降低，形成具有良好形状的微细图案。在衬底101上形成抗蚀膜102，该抗蚀膜102由含聚合物的化学放大型抗蚀材料构成，该聚合物具有半缩醛或半缩酮。接着，在将液体104提供到已形成的抗蚀膜102上的状态下，对抗蚀膜102选择性地照射曝光光105来进行图案曝光。然后，能够通过将已图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来由抗蚀膜102获得具有良好的图案形状的抗蚀图案102a。
-
公开(公告)号：CN1873537A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610073222.1
申请日：2006-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/162
Abstract: 本发明公开了一种图案形成方法。目的在于：能够防止在浸液光刻中使用的浸液曝光用液体对抗蚀膜的影响，获得具有良好形状的微细图案。在形成在衬底101上的抗蚀膜102上形成可溶于碱的第1阻挡膜103。接着，在形成的第1阻挡膜103上形成不溶于碱的第2阻挡膜104。接着，在将由水构成的液体105提供到第2阻挡膜104上的状态下，透过第2阻挡膜104及第1阻挡膜103对抗蚀膜102选择性地照射曝光光106，进行图案曝光。然后，除去第2阻挡膜104，且通过对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像，来除去第1阻挡膜103，同时，由抗蚀膜102形成具有微细图案的抗蚀图案102a。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.031 seconds)
