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公开(公告)号：CN101484608A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200780023547.1
申请日：2007-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/5826
Abstract: 本发明提供一种能够在不降低生产效率的情况下抑制薄膜上产生受热影响区域的卷绕式真空蒸镀装置。本发明涉及的卷绕式真空蒸镀装置(10)包括放卷辊(13)、卷绕从放卷辊(13)放出的薄膜(12)的卷绕辊(15)、配置在放卷辊(13)和卷绕辊(15)之间紧贴薄膜(12)以便对该薄膜进行冷却的冷却辊(14)、与冷却辊(14)相向配置将蒸镀材料蒸镀于薄膜(12)上的蒸发源(16)以及配置在放卷辊(13)和蒸发源(16)之间向行走的薄膜(12)照射电子束的电子束照射器(21)；电子束照射器(21)具有通过通电加热放出电子的丝极(31)和向该丝极(31)供应直流电流的直流发生机构。
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公开(公告)号：CN101484608B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200780023547.1
申请日：2007-06-07
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/5826
Abstract: 本发明提供一种能够在不降低生产效率的情况下抑制薄膜上产生受热影响区域的卷绕式真空蒸镀装置。本发明涉及的卷绕式真空蒸镀装置(10)包括放卷辊(13)、卷绕从放卷辊(13)放出的薄膜(12)的卷绕辊(15)、配置在放卷辊(13)和卷绕辊(15)之间紧贴薄膜(12)以便对该薄膜进行冷却的冷却辊(14)、与冷却辊(14)相向配置将蒸镀材料蒸镀于薄膜(12)上的蒸发源(16)以及配置在放卷辊(13)和蒸发源(16)之间向行走的薄膜(12)照射电子束的电子束照射器(21)；电子束照射器(21)具有通过通电加热放出电子的丝极(31)和向该丝极(31)供应直流电流的直流发生机构。
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公开(公告)号：CN101946022A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126755.9
申请日：2008-04-14
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/541
Abstract: 本发明提供一种卷绕式真空成膜装置，其技术既不需增大装置，还可防止因从去除电荷机构中泄漏出来的带电粒子而引起的基材的热变形。本发明中的卷绕式真空成膜(蒸镀)装置(10)包括电荷捕捉部件(25)，其设置在冷却用筒式辊(14)和去除电荷机构(23)之间，用以捕捉从去除电荷机构(23)朝向筒式辊(14)移动的带电粒子。有了上述电荷捕捉部件就可阻止从去除电荷机构(23)中泄漏出来的带电粒子到达筒式辊(14)，从而遏制供给筒式辊(14)的用来使之贴紧基材的偏压电势产生变动，可靠地保持了对基材(12)的静电引力。因此，该卷绕式真空成膜装置能可靠地保持基材(12)和筒式辊(14)之间的贴合力，从而可防止基材(12)产生热变形。
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公开(公告)号：CN101098981B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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公开(公告)号：CN101680083A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015976.9
申请日：2008-04-18
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/562 , B65H27/00 , B65H2701/1315
Abstract: 本发明提供一种薄膜传送装置和卷绕式真空成膜方法，其不仅实现了保护基膜的成膜区域的目的，还实现了可使基膜能够平稳地传送的目的。本发明中的卷绕式真空成膜装置(10)包括引导单元(20)，引导单元(20)包括导向辊(17A)和辅助辊(18)，导向辊(17A)具有用来支承基膜(F)的两个侧缘部的一对环形导向部(17b)，辅助辊(18)与导向辊(17A)以互相面对的方式设置，由辅助辊(18)将基膜(F)的两个侧缘部压向一对导向部(17b)，由此可以避免基膜(F)的成膜区域(Fc)接触到引导单元(20)的导向辊(17A)和辅助辊(18)的各个辊表面，因而可以实现保护成膜区域(Fc)的目的。
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公开(公告)号：CN101563739A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780047391.0
申请日：2007-12-19
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01F41/026 , H01F1/0577 , H01F7/02 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种永磁铁的制造方法，在Dy或Tb附着到烧结磁铁S表面之前，不必进行清洁该烧结磁铁表面的工序，即可使Dy或Tb扩散到其晶界相中，以提高永磁铁的生产效率。其方法为：将铁－硼－稀土类系的烧结磁铁S配置到处理室20内并加热到规定温度的同时，使配置在相同或其他处理室内的至少含Dy及Tb中的一种的氢化物构成的蒸发材料V蒸发，使该蒸发的蒸发材料附着到烧结磁铁表面，使该附着蒸发材料的Dy、Tb金属原子扩散到烧结磁铁的晶界相中。
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公开(公告)号：CN101098981A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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公开(公告)号：CN1969057A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200680000343.1
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/56
CPC classification number: C23C14/042 , C23C14/54 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种卷取式真空成膜装置，该卷取式真空成膜装置能够抑制绝缘性的原料薄膜的热变形，以高速成膜金属膜，谋求提高生产性，进而，能够提高薄膜的除电效果。其中，具有电子束照射器(21)、辅助辊(18)、直流偏压电源(22)、除电单元(23)，该电子束照射器(21)被配置在卷放辊(13)和蒸发源(16)之间，向原料薄膜(12)照射荷电粒子；该辅助辊(18)被配置在冷却用筒式辊(14)和卷取辊(15)之间，并与原料薄膜(12)的成膜面接触，对该原料薄膜(12)的行进进行引导；该直流偏压电源(22)对筒式辊(14)和辅助辊(18)之间施加直流电压；该除电单元(23)配置在筒式辊(14)和卷取辊(15)之间，对原料薄膜(12)进行除电，该除电单元(23)由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成。
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