-
公开(公告)号：CN119874400A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510153513.4
申请日：2025-02-12
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明公开了一种铁氧体陶瓷焊接方法，涉及微波器件的焊接技术领域。一种铁氧体陶瓷焊接方法，包括如下步骤：将铁氧体陶瓷材料预处理；将金属离子注入铁氧体陶瓷材料浅表层，形成过渡层；在过渡层上沉积金属层；在金属层上沉积阻挡层；将焊料置于阻挡层和金属基体之间进行焊接。本发明通过离子注入法将金属离子注入铁氧体陶瓷材料浅表层，再通过磁控溅射法在表面沉积金属层和阻挡层，相较于传统的被银法(在铁氧体表面涂银进行烧渗形成银层)，能够提高铁氧体与金属基体之间的结合强度，有效提高真空钎焊温度与焊接强度。
-
公开(公告)号：CN117467929A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311834567.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。
-
公开(公告)号：CN117385324A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311356160.5
申请日：2023-10-19
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了减摩抗咬合涂层、螺纹件及其制作方法和应用，减摩抗咬合涂层包括依次沉积的Cr层、CrN层、CrN‑CrC‑DLC层以及CrC‑DLC层，减摩抗咬合涂层中的Cr层和工件本体具有良好的结合力，在螺纹件反复使用过程中具有良好的抗咬合性能、耐腐蚀性能以及摩擦系数低，适宜在高温、高压和腐蚀性环境等恶劣工况下服役。
-
公开(公告)号：CN116403881A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211673998.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲调制射频气体离子源，包括：安装法兰、引出电极、栅极绝缘环、等离子体放电腔、放电腔管、底端法兰、下端密封橡胶圈、底部端盖、气路、支撑杆、支撑杆绝缘套和引出电源；本发明提出了一种适用于离子束刻蚀和离子束镀膜的宽工作气压范围的射频离子源，通过利用脉冲调节射频感应放电和单栅极引出产生低能离子束，具有结构简单、拆装方便、易维护等特点。
-
公开(公告)号：CN116275086A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310294009.7
申请日：2023-03-23
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明公开了球形纳米金属及其氧化物粉末的等离子体制备系统及方法，等离子体制备系统包括：蒸发‑合成腔室，用于实现金属液流蒸发产生金属蒸气或金属氧化物蒸气；等离子体炬，用于向蒸发‑合成腔室内提供高温等离子体射流对蒸发‑合成腔室进行预热或使金属液流蒸发；通过管道依次连接的急冷塔、气流粒径分级室、旋风分离室和布袋过滤室，其中，急冷塔与蒸发‑合成腔室的蒸汽出口连通，急冷塔用于形成粉末并收集较大颗粒，气流粒径分级室、旋风分离室和布袋过滤室分级收集较小颗粒。本发明直接一步将金属或金属氧化物汽化后冷却得到球形纳米颗粒，不存在固液分离的问题；同时具备多级粒径分级功能，以解决现有技术粒径分布较宽的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230475A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211667246.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种金属纳米团簇离子源，包括：金属靶、靶座陶瓷腔壁、磁钢、气路、阳极、地栅、金属靶脉冲电源和阳极电源；所述陶瓷腔壁为U型结构，陶瓷腔壁的开口端上固定有阳极，陶瓷腔壁的闭口端上设置有靶座，所述靶座上设置有金属靶和磁钢；所述陶瓷腔壁的壁面上开设有气路；阳极上连接有金属靶脉冲电源的正极和阳极电源的正极；地栅连接阳极电源的负极；金属靶脉冲电源的负极与金属靶连接。本发明通过控制双极性脉冲电源频率、占空比和偏压控制纳米团簇粒子尺寸和束流强度，提升了纳米团簇产生控制精度，适合产生任何金属材料，尤其是难熔金属和耐高温材料团簇粒子。
-
公开(公告)号：CN115864847A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211481459.9
申请日：2022-11-24
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种应用于等离子体的大功率炬电源，涉及等离子体技术领域，基于现有的大功率炬电源进行改进，增设可控直流功率回路，通过可控直流功率回路与主功率回路配合以适应等离子体生产的不同阶段，在等离子体产生阶段，回路空载电压串接直流功率以避免多个功率回路的冗余，提升了大功率炬电源的应用范围；在等离子体稳弧阶段，直流功率回路抑制电流的增长速率；等离子体放电维持阶段，直流功率回路导通压降小，降低热损耗；等离子体泯灭阶段，直流功率回路起到功率电感的作用，且通过算法预置，可等效为电感量较大的效果；通过不同阶段的可控直流功率回路的作用，使得大功率炬电源的负载适应能力、体积重量、输出动态特性等方便均有提升。
-
公开(公告)号：CN112921290A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110098754.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法，涉及正比计数管技术领域，其技术方案要点是：将正比计数管壁展开为平板状或切开为半圆筒状；采用磁控溅射技术在基体表面沉积一层过渡涂层；在不破坏真空、保持Ar气总流量不变的情况下，采用磁控10B靶来沉积中子吸收层；将步制备的带过渡涂层、中子吸收层的基体以模具压卷方式进行弯卷，将弯卷后的基体沿管件接口处进行密封焊接。本发明在沉积中子吸收层之前增加了过渡涂层的制备，提高了不锈钢或铝合金金属基体与中子吸收层之间的结合强度；本发明采用磁控溅射技术，可较好地解决手工刷涂和浸酯涂硼引起的涂层结合性、均匀性、重复性差及有机介质引起的离子能量损失等缺点。
-
公开(公告)号：CN112859142A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110098750.7
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明公开了一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管，本发明利用磁控溅射方式制备硼中子灵敏层，该法制备的硼灵敏层与金属管体材料的可控性好、界面结合力强，涂层纯度高、结构单一、致密度高，探测数据更加准确可靠。本发明的制备方法适用于正比计数器的管壁中子灵敏层的制备，同时也适用于其他需要涂层的管件。
-
公开(公告)号：CN109972096B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711452203.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司 , 成都虹波实业股份有限公司
Abstract: 本发明属于粉末材料制备技术领域，一种在料舟表面沉积金属涂层的方法，首先去除料舟舟体表面毛刺，之后对料舟及镀膜工装进行清洗，最后进行涂层沉积，采用在与氧化物粉末接触的料舟材料表面沉积微米厚度的目标金属涂层，该涂层可保持良好的界面结合力，且覆盖完整，并能隔绝粉末还原时原料粉末长时间直接接触料舟，导致金属粉末在还原过程中受到杂质污染。该发明可解决同质金属粉末材料料舟不能承受推舟时推力，以及铺垫同介质金属片易内裂等弊端。在保证金属粉末的高纯度品质前提下，可实现高产能效率、低成本和连续生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
66
records
(took 0.031 seconds)
