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公开(公告)号：CN107342526A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710397661.6
申请日：2012-06-28
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约瑟夫·J·阿姆斯特朗 , 约翰·费尔登
CPC分类号： H01S5/0092 , C03B33/02 , C30B1/02 , C30B29/10 , C30B29/14 , C30B29/22 , C30B29/30 , C30B33/02 , G01N21/88 , G01N21/8806 , G01N21/94 , G01N21/9501 , G01N2201/06113 , G01N2201/0637 , G01N2201/068 , G02F1/353 , G02F1/3551 , G02F1/3553 , G02F1/37 , G02F2001/3505 , G02F2001/3507 , G02F2001/354 , G02F2202/20 , H01S3/0092 , H01S3/10 , H01S3/10038 , H01S3/10046 , H01S3/11
摘要： 本发明揭示一种具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器。具体的，本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。
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公开(公告)号：CN105210189A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480028203.X
申请日：2014-04-01
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 戴维·L·布朗 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/02161 , H01L31/103
摘要： 本发明揭示一种光倍增管，其包含半导体光电阴极及光电二极管。值得注意地，所述光电二极管包含：p掺杂型半导体层；n掺杂型半导体层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第一表面上，以形成二极管；及纯硼层，其形成于所述p掺杂型半导体层的第二表面上。在所述半导体光电阴极与所述光电二极管之间的间隙可为小于约1毫米或小于约500微米。所述半导体光电阴极可包含氮化镓，例如一或多个p掺杂型氮化镓层。在其它实施例中，所述半导体光电阴极可包含硅。此半导体光电阴极可进一步包含在至少一个表面上的纯硼涂层。
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公开(公告)号：CN112424906B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980041049.2
申请日：2019-06-17
IPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/0216 , H01L31/103
摘要： 本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
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公开(公告)号：CN112740355B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201980061438.1
申请日：2019-09-28
申请人： 科磊股份有限公司 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖-李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登 , 长尾昌善
IPC分类号： H01J37/073 , H01J37/04
摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN112740355A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061438.1
申请日：2019-09-28
申请人： 科磊股份有限公司 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖-李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登 , 长尾昌善
IPC分类号： H01J37/073 , H01J37/04
摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN112424906A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980041049.2
申请日：2019-06-17
IPC分类号： H01J40/06 , H01J43/08 , H01L31/0216 , H01L31/103
摘要： 本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。
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公开(公告)号：CN107667410B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201680028700.9
申请日：2016-05-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/34 , H01L27/148 , H01L31/105 , H01L31/107
摘要： 一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射，且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如，角锥体或经修圆晶须)的突出部形成，且可经配置而以反向偏置模式操作。任选栅极层经提供以控制发射电流。任选第二硼层形成于经照射(顶部)表面上，且任选抗反射材料层形成于所述第二硼层上。在相对的所述经照射表面与所述输出表面之间产生任选外部电位。通过特殊掺杂方案且通过施加外部电位而形成n型硅场发射极与p‑i‑n光电二极管膜的任选组合。所述光电阴极形成传感器及检验系统的部分。
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公开(公告)号：CN107887779B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201711153410.X
申请日：2013-05-17
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , J·约瑟夫·阿姆斯特朗 , 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 约翰·费尔登
摘要： 本发明实施例涉及使用193nm激光器的固态激光器及检验系统。本发明揭示改进的激光器系统及相关联技术，其由接近1064nm的基谐波真空波长产生大约193.368nm的紫外线UV波长。优选实施例分离出至少一级的输入波长的未消耗部分且重新定向所述未消耗部分以在另一级中使用。所述改进的激光器系统及相关联技术导致比当前用于工业中的激光器更便宜、寿命更长的激光器。这些激光器系统可用易于获得、相对便宜的组件构造。
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公开(公告)号：CN110062180A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910251964.6
申请日：2016-05-13
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H04N5/3722 , G01N21/956
摘要： 本申请涉及用于检查的具有电可控制孔径的传感器及计量系统。通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到该栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起该电阻式控制栅极产生电场，该电场将在像素的光敏区域的选定部分中产生的光电子驱动到电荷积累区域中以用于后续测量，且驱动在像素的光敏区域的其它部分中产生的光电子远离该电荷积累区域以用于后续舍弃或同时读出。系统利用光学器件以将以不同角度或在不同位置接收的光从样本引导到每一像素的光敏区域的对应不同部分中。多个孔径控制电极经选择性地致动以收集/测量从窄或宽角度或者位置范围接收的光，借此实现快速图像数据调整。
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