公开(公告)号：CN105593332B

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：CN201480055259.4

申请日：2014-08-07

申请人： 艾克泽基因公司

发明人： G.D.贾克 ,  R.B.海曼

IPC分类号： C09K3/18 ,  G01N27/327 ,  C03C17/30

CPC分类号： G01N27/327 ,  B81B1/006 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00341

摘要： 本文公开的是用于制造生物感测装置的过程，所述过程包括下列步骤：提供基底，其具有在其表面上的导电引线；将绝缘层施加到所述表面和所述引线，所述绝缘层包括二氧化硅或氮化硅中的一个或多个；在所述绝缘层中蚀刻孔以暴露所述引线的一部分，纳米结构微电极被电镀到所述引线的一部分上；氧化二氧化硅或氮化硅中的一个或多个以形成氧化的二氧化硅或氮化硅；允许氧化的二氧化硅或氮化硅中的一个或多个与功能化硅烷起反应，用于在样本上的目标的电化学检测中的使用。

公开(公告)号：CN104347320B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201410367891.4

申请日：2014-07-30

申请人： 亚德诺半导体集团

发明人： J·G·麦克纳马拉 ,  P·L·菲兹格拉德 ,  R·C·格金 ,  B·P·斯坦森

IPC分类号： H01H59/00 ,  H01H49/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/014 ,  B81B2207/092 ,  B81C1/00341 ,  H01H2001/0052 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2924/181 ,  Y10T307/937 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及MEMS开关设备和制造方法。一种微机电系统(MEMS)开关设备，包括：基材层；在所述基材层上形成的绝缘层；以及具有在所述绝缘层的表面上形成的多个触点的MEMS开关模块，其中，所述绝缘层包括在绝缘层内形成的多个导电路径，所述导电路径被配置成相互连接所述MEMS开关模块的所选触点。

公开(公告)号：CN106115603A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610567772.2

申请日：2016-07-19

申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

发明人： 冯双龙 ,  魏兴战 ,  申钧 ,  杨俊 ,  陆仕荣 ,  周大华 ,  史浩飞 ,  杜春雷

IPC分类号： B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/02

CPC分类号： B81B3/0029 ,  B81C1/00341 ,  G01J5/02

摘要： 本发明涉及一种基于多孔/量子点结构红外探测器，包括基底；所述基底上设置周期性红外探测基元阵列，单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和生长于衬底上的多孔结构薄膜，所述多孔结构薄膜的孔隙内部为红外敏感材料量子点。将量子点做为桥面结构中的红外吸收层薄膜，多孔结构作为热敏感层薄膜，增强了红外探测焦平面器件的红外吸收率，从而使得非制冷焦平面器件的探测效率得到进一步提升，该制作过程简单可控，稳定性和可重复性高，这对器件的大批量生产有着至关重要的意义。

公开(公告)号：CN105593332A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480055259.4

申请日：2014-08-07

申请人： 艾克泽基因公司

发明人： G.D.贾克 ,  R.B.海曼

IPC分类号： C09K3/18 ,  G01N27/327 ,  C03C17/30

CPC分类号： G01N27/327 ,  B81B1/006 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00341

摘要： 本文公开的是用于制造生物感测装置的过程，所述过程包括下列步骤：提供基底，其具有在其表面上的导电引线；将绝缘层施加到所述表面和所述引线，所述绝缘层包括二氧化硅或氮化硅中的一个或多个；在所述绝缘层中蚀刻孔以暴露所述引线的一部分，纳米结构微电极被电镀到所述引线的一部分上；氧化二氧化硅或氮化硅中的一个或多个以形成氧化的二氧化硅或氮化硅；允许氧化的二氧化硅或氮化硅中的一个或多个与功能化硅烷起反应，用于在样本上的目标的电化学检测中的使用。

公开(公告)号：CN104576431A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310524364.5

申请日：2013-10-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 庞洪荣 ,  黄柏喻 ,  常延武 ,  詹扬 ,  杨勇

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00341 ,  B81C99/0035

摘要： 本发明提供了一种测试结构及其制造方法和牺牲层刻蚀工艺的监控方法，包括：衬底；形成于衬底上的第一氧化层，形成于第一氧化层上的第二氧化层，形成于第一氧化层和第二氧化层之间的牺牲层图形，第一氧化层和第二氧化层包围牺牲层图形；形成于第二氧化层中的刻蚀孔，刻蚀孔贯穿第二氧化层并暴露牺牲层图形的侧面；形成于第二氧化层表面的若干条刻度线，刻度线位于牺牲层图形的上方且刻度线的排列方向与牺牲层图形的刻蚀方向平行。在本发明提供的测试结构及其制造方法中，通过在氧化层的内部形成牺牲层图形用于模拟MEMS器件的牺牲层，并且在氧化层的表面形成刻度线以精确度量牺牲层图形的刻蚀速率，从而实现牺牲层刻蚀的直接监控。

公开(公告)号：CN102879608B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210418835.X

申请日：2012-10-26

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 车录锋 ,  周晓峰 ,  王跃林

IPC分类号： G01P15/125 ,  B81C1/00

CPC分类号： G01P15/125 ,  B81C1/00341 ,  B81C1/00531 ,  G01P2015/0871 ,  G01P2015/0882

摘要： 本发明提供一种弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法。该传感器至少包括：第一电极结构层、中间结构层及第二电极结构层；其中，第一电极结构层与第二电极结构层分别设置有电极引出通孔；所述中间结构层包括：基于具有双器件层的含氧硅基片所形成的边框、双面对称的质量块、及一边连接边框、另一边连接质量块的弯折形弹性梁，其中，在两质量块的两面对称地设有防过载凸点及阻尼调节槽，且处于不同平面的弯折形弹性梁交错分布、在空间上不重叠。由于弯折形弹性梁的弯折次数、梁总长、梁总宽可基于需要来确定，故本发明能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。

公开(公告)号：CN102156203B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110061571.2

申请日：2011-03-15

申请人： 迈尔森电子(天津)有限公司

发明人： 柳连俊

IPC分类号： G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： G01P15/125 ,  B81C1/00341 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0814

摘要： 一种MEMS惯性传感器及其形成方法，其中所述MEMS惯性传感器包括：可移动敏感元素；第二衬底和第三衬底；所述可移动敏感元素采用第一衬底形成，所述第一衬底为单晶半导体材料，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，所述第一衬底的第一表面上形成有一层或者多层导电层，所述第二衬底结合至所述第一衬底上的一层或者多层导电层的表面，所述第三衬底结合至所述可移动敏感元素的一侧，所述第三衬底和第二衬底分别位于所述可移动敏感元素的相对两侧。本发明通过采用单晶半导体材料制作传感器敏感元素，从而制成较厚的惯性传感器的可移动敏感元件，可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度。