-
公开(公告)号：CN106611741B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201610920694.X
申请日：2016-10-21
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01L21/762 , H01L23/64
摘要： 提供了一种隔离设备，包括在第一和第二导体之间的第一电介质材料制成的主体，诸如微型变压器的初级和次级线圈。在第一电介质材料的所述主体和所述第一和第二电极中的至少一个之间设置第二电介质材料的区域，其中所述第二介电材料具有比所述第一介电材料有较高的相对介电常数。这提供了承受在导体边缘所产生的电场的增强能力。第一电介质的主体可以是锥形，以提供应力释放，以防止第二介电材料发展应力裂纹。
-
公开(公告)号：CN104701293B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410751979.6
申请日：2014-12-10
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H01C17/242
CPC分类号： H01G4/33 , H01C7/006 , H01C17/242 , H01G4/255
摘要： 一种用于激光微调的相位校正器、集成电路及其方法，所述相位校正器包括：位于该组件的第一侧的第一校正结构，所述第一校正结构包括离组件第一和第二距离的第一和第二校正区域；和位于该组件的第二侧的第二校正结构，所述第二校正结构包括离组件第三和第四距离的第三和第四校正区域。
-
-
公开(公告)号：CN105023811B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510197325.8
申请日：2015-04-24
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B7/007 , B81C1/00341 , H01H1/0036 , H01H2001/0084
摘要： 本发明涉及具有内部导电通道的MEMS开关。MEMS开关具有由具有上表面的衬底形成的基底和形成在至少一部分顶部表面上的绝缘层。粘合材料将盖固定到基底上，以形成内部腔室。盖有效地形成在内部腔室外部的基底的外部区域。MEMS开关还具有有部件接触部分的可移动部件(在内部腔室中)、内部触点(也在内部腔室中)、和在基底外部区域的外部触点。可移动部件的接触部分配置以替代地接触内部触点。至少部分在绝缘层内的导体电气地将内部触点和外部触点连接起来。导体与固定盖到基底的粘合材料被空间隔离开和电气隔离开。
-
公开(公告)号：CN105819396A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610055391.6
申请日：2016-01-27
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00 , B81B3/00 , H01L21/268 , H01L23/08
摘要： 提供一种微调组件的方法，其中所述组件在微调之后免于氧化或应力改变。作为该方法的部分，在微调组件(例如，激光调整)之前，保护玻璃盖结合到半导体衬底的表面。这可以保护元件免于在微调之后氧化，这可改变其值或所述组件的参数。它也可以在封装期间保护组件免于对其作用或对其相邻芯片作用的应力变化。
-
公开(公告)号：CN104347320B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410367891.4
申请日：2014-07-30
申请人： 亚德诺半导体集团
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B7/007 , B81B2201/014 , B81B2207/092 , B81C1/00341 , H01H2001/0052 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2924/181 , Y10T307/937 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及MEMS开关设备和制造方法。一种微机电系统(MEMS)开关设备，包括：基材层；在所述基材层上形成的绝缘层；以及具有在所述绝缘层的表面上形成的多个触点的MEMS开关模块，其中，所述绝缘层包括在绝缘层内形成的多个导电路径，所述导电路径被配置成相互连接所述MEMS开关模块的所选触点。
-
公开(公告)号：CN104715975A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410777866.3
申请日：2014-12-16
申请人： 亚德诺半导体集团
CPC分类号： H01L21/02524 , H01H59/0009 , H01H2059/0018 , H01L21/02002 , H01L21/02373 , H01L21/322
摘要： 本公开涉及适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件。提供硅衬底可通过使用由Czochralski处理形成的硅层并具有沉积在硅层上的载流子寿命时间杀灭层而更便宜地便于形成RF组件。
-
公开(公告)号：CN105819396B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201610055391.6
申请日：2016-01-27
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00 , B81B3/00 , H01L21/268 , H01L23/08
摘要： 提供一种微调组件的方法，其中所述组件在微调之后免于氧化或应力改变。作为该方法的部分，在微调组件(例如，激光调整)之前，保护玻璃盖结合到半导体衬底的表面。这可以保护元件免于在微调之后氧化，这可改变其值或所述组件的参数。它也可以在封装期间保护组件免于对其作用或对其相邻芯片作用的应力变化。
-
公开(公告)号：CN106611741A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610920694.X
申请日：2016-10-21
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01L21/762 , H01L23/64
CPC分类号： H01F27/2804 , H01B3/12 , H01B3/306 , H01B17/62 , H01B19/04 , H01F5/00 , H01F41/041 , H01L23/5227 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L21/7624 , H01L23/64
摘要： 提供了一种隔离设备，包括在第一和第二导体之间的第一电介质材料制成的主体，诸如微型变压器的初级和次级线圈。在第一电介质材料的所述主体和所述第一和第二电极中的至少一个之间设置第二电介质材料的区域，其中所述第二介电材料具有比所述第一介电材料有较高的相对介电常数。这提供了承受在导体边缘所产生的电场的增强能力。第一电介质的主体可以是锥形，以提供应力释放，以防止第二介电材料发展应力裂纹。
-
公开(公告)号：CN105047484A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510198260.9
申请日：2015-04-24
申请人： 亚德诺半导体集团
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H1/0036 , H01H59/0009 , H01H2001/0084 , H01H2059/0018 , H01H2059/0072
摘要： 本公开涉及MEMS开关。公布了改进MEMS开关操作性能的几种特征，使得它们呈现出改进的在役寿命和开关打开与关闭的更好控制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
13 条记录 (耗时 0.028 秒)
