导电透明薄膜制造装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108133789A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711429730.3

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: H01B13/00 H01F41/24 H01F41/30

    摘要: 一种导电薄膜生产技术领域的导电透明薄膜制造装置,包括涂布机构和固化机构,所述的涂布机构与固化机构之间设有将涂布机构输送来的胶水中的磁性纳米金属线吸引至胶水与基底之间的吸引机构,所述吸引机构对磁性纳米金属线的吸引方向相对于涂布机构和固化机构间的物料输送方向平行和/或垂直设置。本发明能够在胶材固化前通过磁场对磁性纳米金属线的分布进行调节,实现磁性纳米金属线在薄膜膜面上的集中分布,提高成品薄膜的导电性能。

    高掺杂BaTiO3:Fe多铁薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105568265A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610029831.0

    申请日:2016-01-12

    申请人: 河南大学

    IPC分类号: C23C18/16 H01F41/22 H01F41/24

    摘要: 本发明涉及一种高Fe含量掺杂BaTiO3多铁薄膜材料及其制备方法,其分子式为BaTi1-xFexO3,x为掺杂成分的原子比,x=0.01~0.4,其制备方法,包括有如下依次步骤:1)前驱体制备;2)衬底清洗预处理;3)高掺杂BaTiO3:Fe多铁薄膜的制备:将步骤1)制得的高掺杂BaTiO3:Fe溶胶前驱体旋涂于步骤2)所述的衬底上,然后对其进行阶梯退火;4)多次重复步骤3)的涂胶、退火过程,得到需要厚度的薄膜样品。本发明的前驱体溶液澄清透明,能够长时间存放;所生长的薄膜表面均匀致密,结晶性能好,无杂相,且生成的薄膜厚度可控性好,单向性高;薄膜材料在室温下具有较好的铁电和铁磁性。

    磁记录介质及磁记录介质基片

    公开(公告)号:CN100479038C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200510051713.1

    申请日:2005-02-25

    IPC分类号: G11B5/66 G11B5/84

    摘要: 如果双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成,那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内特定方向上被磁化的大量磁畴,且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质,那么由已知为尖锋噪音的通过由磁畴壁部分产生的漏磁场而产生的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题。为了解决这个问题,磁记录介质基片包含直径不超过90毫米的基片;和软磁膜电镀层,其包含包括选自钴、镍和铁设置在基片上的至少两种金属的合金,关于在基片平面内的同心圆方向,用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特,且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。

    稀土类烧结磁铁及其制造方法

    公开(公告)号:CN101006534A

    公开(公告)日:2007-07-25

    申请号:CN200680000655.2

    申请日:2006-04-14

    IPC分类号: H01F41/02 H01F7/02 H01F1/08

    摘要: 在本发明的R-Fe-B系稀土类烧结磁铁的制造方法中,首先,准备具有含有轻稀土类元素RL(Nd和Pr中的至少一种)作为主要的稀土类元素R的R2Fe14B型化合物晶粒作为主相的R-Fe-B系烧结磁铁。接着,在烧结磁体表面包覆由RH(其中,RH为选自Dy、Ho、Tb中的稀土类元素的一种或两种以上)和与其形成RHM以使熔点下降的金属M(其中,M为选自Al、Cu、Co、Fe、Ag中的金属元素的一种或两种以上)构成的RHM合金层。此后,在真空或Ar气氛中,在500℃以上1000℃以下的温度下进行热处理,使金属元素M从表面扩散到烧结磁铁内部,并且使重稀土类元素RH从表面扩散到稀土类烧结磁体内部。