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公开(公告)号：CN112447857A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010831043.X
申请日：2020-08-18
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： A·康斯坦丁欧夫
摘要： 本公开涉及碳化硅场效应晶体管。在一般方面，一种碳化硅场效应晶体管可包括：第一导电类型的基板；设置在基板上的第一导电类型的漂移区；设置在漂移区中的第一导电类型的扩散层；设置在扩散层中的第二导电类型的主体区；以及设置在主体区中的第一导电类型的源极区。该碳化硅场效应晶体管还可包括：设置在源极区、主体区和扩散层上的第一导电类型的隔层；和设置在隔层中的第一导电类型的侧向沟道区。该碳化硅场效应晶体管还可包括栅极结构，该栅极结构包括：设置在侧向沟道区上的氮化铝层；和设置在氮化铝层上的第二导电类型的氮化铝镓层。
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公开(公告)号：CN112071903A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010817275.X
申请日：2020-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN MOSFET及制备方法，属于铁磁材料领域及三代半导体微波毫米波器件领域。该结构包括GaN MOSFET完整外延结构以及在GaN MOSFET完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质、一次栅金属磁化膜及二次栅金属。本发明通过在GaN MOSFET完整外延结构的势垒层表面制备磁化膜形成一次栅金属磁化膜，再通过制备二次栅金属形成完整栅极。本发明可通过栅极的磁性大小及磁化方向来调制沟道内的二维电子气的电子自旋方向；同时可调控沟道内的二维电子气浓度。
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公开(公告)号：CN108682614B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810379608.8
申请日：2018-04-25
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/443 , H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L29/51 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体是一种以锌锡铝钾氧化物为沟道层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明以锌锡铝钾氧化物材料作为沟道层，以有机聚四乙烯苯酚(PVP)材料作为绝缘层，以铝作为源、漏、栅电极，在普通玻璃基底上制备了顶栅共面结构的TFT。本发明中，沟道层及介质层均采用溶胶凝胶法的浸渍提拉工艺来制备，源、漏、栅电极采用真空热蒸发的方法制备。最终得到了一种具有较高饱和迁移率62.3cm2/Vs，较低亚阈值摆幅0.09V/decade，接近于零的阈值电压0.23V，较低的关态电流(
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公开(公告)号：CN108933172B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710375322.8
申请日：2017-05-24
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/43 , B82Y30/00 , B82Y10/00
摘要： 一种半导体元件，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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公开(公告)号：CN106684122B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710040583.4
申请日：2017-01-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 李海旭
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/43 , H01L29/66 , H01L29/786 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种导电层、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示器领域。所述导电层包括：一金属层，以及覆盖在所述金属层上的有机磷‑金属络合物。通过在金属表面制成有机磷‑金属络合物，一方面，有机磷‑金属络合物具有导电性并能够阻止金属表面与氧气接触，在作为TFT中的电极的材料时，能够在不影响电极性能的前提下避免金属氧化；另一方面，有机磷‑金属络合物可增加金属与光刻胶的结合力，避免光刻胶剥离，从而防止刻蚀液对不需要刻蚀位置的金属造成腐蚀。从而能够提高电极的稳定性及电子传输性能。
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公开(公告)号：CN104795448B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201510019160.5
申请日：2015-01-14
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/44 , H01L21/34 , H01L27/32 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开一种薄膜晶体管、其制造方法和具有薄膜晶体管的平板显示器。在一个方面中，该TFT包括基板和形成在基板上的有源层，其中，有源层由氧化物半导体形成，并且其中，有源层包括两个相对侧。TFT还包括形成在有源层的相对侧处的源极区和漏极区、形成在有源层上的第一绝缘层、形成在有源层上的栅电极、形成为覆盖第一绝缘层和栅电极的第二绝缘层、以及形成在源极区和漏极区上并且接触第二绝缘层的第一导电层。
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公开(公告)号：CN110660845A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910419201.8
申请日：2019-05-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/43 , H01L29/45 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 半导体结构的制造方法包含提供p型源极/漏极外延部件和n型源极/漏极外延部件，在n型源极/漏极外延部件和p型源极/漏极外延部件上方形成半导体材料层，以含锗气体处理半导体材料层，其中半导体材料层的处理在半导体材料层上方形成含锗层，蚀刻含锗层，其中含锗层的蚀刻移除形成于n型源极/漏极外延部件上方的含锗层和形成于p型源极/漏极外延部件上方的半导体材料层，以及在留在n型源极/漏极外延部件上方的半导体材料层上方形成第一源极/漏极接触件和在p型源极/漏极外延部件上方形成第二源极/漏极接触件。半导体材料层的组成可以类似于n型源极/漏极外延部件的组成。
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公开(公告)号：CN110610990A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910829418.6
申请日：2017-04-27
申请人： OPPO广东移动通信有限公司
发明人： 靳勇
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/786 , H01L23/29 , H01L23/50 , G06K9/00
摘要： 本发明提供了一种显示屏，包括显示层，所述显示层设有指纹识别区，所述指纹识别区设有阵列的透明薄膜晶体管和位于所述透明薄膜晶体管之间的透明介质，所述透明薄膜晶体管和所述透明介质均用以透过光学指纹模组发射和接收的感应光线；所述透明薄膜晶体管具有透明栅极、透明源极和透明漏极。本发明还提供了一种移动终端。本发明通过在显示屏上设置设有透明薄膜晶体管的指纹识别区，且将光学指纹模组设于指纹识别区之下，从而提高了显示屏的透光率，提高了光学指纹模组的指纹识别准确率。
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公开(公告)号：CN110504317A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910805405.5
申请日：2019-08-29
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/43 , H01L21/28 , H01L21/335
摘要： 本申请提供的栅极结构和栅极结构制作方法，涉及微电子器件技术领域。其中，栅极结构包括沟道层、势垒层、高阻帽层、P型帽层和栅电极层。势垒层制作于沟道层的一面，高阻帽层制作于势垒层远离沟道层的一面，栅电极层制作于高阻帽层远离P型帽层的一面。沟道层和势垒层在相邻的界面处形成二维电子气，高阻帽层用于减小栅电极层的泄漏电流。通过上述设置，可以减小栅电极层的泄漏电流、提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106469754B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510514698.3
申请日：2015-08-20
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/10
摘要： 本发明公开了一种轨道开关及其制备方法与应用。其由铁电层和沟道层构成，铁电层和沟道层均为过渡金属的钙钛矿氧化物，并且相互接触。轨道开关有半个原子层铁电材料和半个原子层沟道材料构成，可实现对场效应晶体管等电子元器件的原子尺度调控。同时，还提供了一种场效应晶体管，包括基片、所述轨道开关、栅极、侧电极和门电极。运用紫外曝光技术、氩离子刻蚀或湿法刻蚀和电子束蒸镀等即可制备得到。该场效应晶体管中含有铁电极化控制的轨道开关，可调节场效应晶体管中的电场强度，达到开关的作用。栅极为离子液体，介电性好，器件制备工艺简单，可重复性好。可用于信息存储和传感器件。
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