公开(公告)号：CN111300258B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN201910948775.4

申请日：2019-09-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金仁权 ,  朴承浩 ,  裵相元 ,  李愚仁 ,  李晓山 ,  张善载

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B57/02

摘要： 一种化学机械抛光(CMP)装置包括：抛光台板上的抛光垫；抛光垫上的抛光头，该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线；以及保持环，围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离，该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口，以将抛光浆料馈送到抛光垫上。

公开(公告)号：CN107301946B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201710243397.0

申请日：2017-04-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彩姈 ,  金兑洪 ,  吴政玟 ,  金荣俊 ,  金仁基 ,  尹普彦 ,  李晓山 ,  韩率

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。

公开(公告)号：CN111410963B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202010025962.8

申请日：2020-01-07

申请人： 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

发明人： 全唱守 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  申东雲

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/306

摘要： 一种硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法，所述组合物包含约1重量％到约20重量％的烷基氢氧化铵；约1重量％到约30重量％的胺化合物；约0.01重量％到约0.2重量％的包括疏水基团及亲水基团两者的非离子表面活性剂；以及水，所有重量％都是基于所述硅层刻蚀剂组合物的总重量。

公开(公告)号：CN107953260B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201710727476.9

申请日：2017-08-22

申请人： 三星电子株式会社 ,  二和金刚石工业株式会社

发明人： 洪命基 ,  金荣俊 ,  朴星五 ,  李晓山 ,  李周翰 ,  吴奎旼 ,  朴宜奎 ,  李世珖 ,  杨璨基

IPC分类号： B24B53/017 ,  B24B37/005 ,  B24B49/16 ,  H01L21/66

摘要： 一种化学机械抛光(CMP)方法包括准备抛光垫，确定在抛光垫的修整期间要施加到修整盘的第一负荷以及当将第一负荷施加到修整盘时修整盘的尖端插入到抛光垫中的第一压入深度，准备修整盘，并将修整盘置于抛光垫上，并且在将第一负荷施加到修整盘的同时通过使用修整盘来修整抛光垫的表面。

公开(公告)号：CN110120358A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN109148328A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

摘要： 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN103151285A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

摘要： 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN101643648B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910164078.6

申请日：2009-08-10

申请人： 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

发明人： 金古恩 ,  李晓山 ,  朴明国 ,  梁浩锡 ,  韩政男 ,  洪昌基

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明披露了一种用于蚀刻氧化硅层的组合物，蚀刻半导体器件的方法，以及用于蚀刻包括氧化硅层和氮化物层的半导体器件的组合物，该组合物氟化氢、阴离子型聚合物以及去离子水，其中，基于所述用于蚀刻氧化硅层的组合物的总重量，阴离子型聚合物的含量为约0.001至约2wt％，并且氧化硅层相对于氮化物层的蚀刻选择比为约80或更高。