公开(公告)号：CN100479192C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510081771.9

申请日：2005-06-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 一种有机TFT包括栅电极；与栅电极绝缘的源电极和漏电极；与栅电极绝缘并与源电极和漏电极接触的有机半导体层。与有机半导体层接触、且面对漏电极的源电极的边缘部分的长度，大于与有机半导体层接触、且面对源电极的漏电极的边缘部分的长度，从而减小源电极和有机半导体层之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN100463248C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510082110.8

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种改进的有机发光显示器(OLED)的制造方法以及通过该方法制造的OLED。所述方法可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，提供具有至少一个单元区的基板。第二步，在所述单元区上形成具有至少一个发光器件的发光器件部分。第三步，在所述发光器件部分上形成钝化层。第四步，在所述钝化层上形成薄膜晶体管(TFT)部分。所述TFT部分具有与每个所述发光器件电连接的有机TFT(OTFT)。

公开(公告)号：CN101714569B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910224556.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  朴镇成

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L51/05 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1725914B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200510078663.6

申请日：2005-06-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541

Abstract: 提供了一种包含p型有机薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型电致发光(OEL)显示器件。该器件具有高开口率，并很容易以阵列结构制造。该显示器件包括对电极，在对电极上的至少包含发光层的中间层，形成在中间层上的像素电极，设置在像素电极上并与像素电极绝缘的第一电极，设置在像素电极上并与像素电极相连的第二电极，与第一电极和第一漏电极接触的p型有机半导体层；以及设置在p型有机半导体层上的并与第一电极、第一漏电极和p型有机半导体层绝缘的第一栅电极。

公开(公告)号：CN102237392A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110112500.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 鲁硕原 ,  姜泰旻 ,  李在濠 ,  宣轸元 ,  徐旼彻

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：多个薄膜晶体管(TFT)；平坦化层，覆盖所述多个TFT；多个像素电极，形成在平坦化层上，每个像素电极利用穿过平坦化层的通孔连接到所述多个TFT中的对应的TFT，每个像素电极具有发光部分和非发光部分，每个通孔位于距离围绕通孔的每个发光部分最远的位置；像素限定层，形成在平坦化层上，以覆盖通孔和非发光部分中的每个；多个有机层，每个有机层包括发射层并设置在对应的发光部分中；对电极，设置在每个有机层上。

公开(公告)号：CN1825548B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200510138091.6

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星移动显示器株式会社 ,  三星SDI德国有限责任公司

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽 ,  金慧东 ,  F·乔格 ,  W·亨伯斯

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种形成导电图案的方法，其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案，使用该方法制造的有机薄膜晶体管，以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件，在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽，通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。

公开(公告)号：CN101976671A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010273756.5

申请日：2005-11-18

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 具在本 ,  申铉秀 ,  徐旼彻 ,  牟然坤

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板，包括：设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层，该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。

公开(公告)号：CN1790749B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200510119451.8

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。

公开(公告)号：CN101924140A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010136377.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0017

Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1870235B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200610099617.9

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中，由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极，而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异，所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜，通过蚀刻缓冲膜，在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元，在缓冲膜上形成电极层，使用光刻工艺，通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极，在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。