公开(公告)号：CN1701424A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000830.9

申请日：2004-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一 ,  菊地宏之 ,  真久眞吾

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3185

Abstract: 该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN108456870B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201810151721.0

申请日：2018-02-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥丰 ,  村田昌弘 ,  加藤寿

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/04

Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。

公开(公告)号：CN108534665B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201810172436.7

申请日：2018-03-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林健 ,  加藤寿 ,  大泉行雄

IPC: G01B7/30 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种自转检测用治具、基板处理装置及其运转方法。该自转检测用治具在使设置于旋转台的一面侧的基板的载置台一边公转一边进行自转时准确地检测载置台的自转量。在设置于旋转台的基板的载置台上，将旋转元件设置为以载置台的自转轴为中心进行旋转，并且通过固定构件将与该旋转元件一同构成旋转编码器的编码器主体固定于旋转台。另外，将具备信号处理部的第一控制器设置于旋转台，该信号处理部对由编码器主体检测出的检测信号进行处理。当载置台旋转时旋转元件旋转，利用编码器主体来检测该旋转角。而且，利用信号处理部求出例如每单位时间的旋转角，发送到外部的第二控制器，并在显示部中进行显示。

公开(公告)号：CN106505014B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201610809549.4

申请日：2016-09-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置用于一边利用旋转台使基板公转一边对该基板供给处理气体来进行处理，其中，其以包括如下构件的方式构成装置：旋转台，其设于处理容器内；旋转机构，其用于使所述旋转台旋转；支承部，其在所述旋转台的下方侧设于所述旋转台的旋转轴；开口部，其与基板的载置位置相对应地形成于所述旋转台；载置部，其借助所述开口部以自转自由的方式支承于所述支承部，用于以基板的上表面的高度位置与所述旋转台的上表面的高度位置对齐的方式载置基板；自转机构，其用于使所述载置部自转。

公开(公告)号：CN111463126A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010053066.2

申请日：2020-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  西野雄二

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够提高成膜的膜厚分布的均匀性。基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，其中，该基板处理方法具有：在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。

公开(公告)号：CN109943828A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811563931.7

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  中坪敏行

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及成膜装置，在向公转的基板供给成膜气体来成膜时，可靠地进行该基板的自转并且抑制用于自转的机构对装置的各部施加的负担。具备：自转轴，其以支承载置基板(W)的载置台(3)的方式自转自如地设置于与旋转台(2)共同旋转的部位；从动齿轮(4)，其设置于自转轴；驱动齿轮(5)，其与从动齿轮(4)的公转轨道面对并旋转，沿着公转轨道的整周设置，与从动齿轮构成磁齿轮机构；以及相对距离变更机构(55)，其用于变更从动齿轮的公转轨道与驱动齿轮之间的相对距离。由此，在成膜处理时，能够使作用于从动齿轮与驱动齿轮之间的磁力成为进行基板的自转所需要的磁力，并且能够防止该磁力总是强力从而抑制对装置的各部施加的负担。

公开(公告)号：CN104831255B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN108315718A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810025484.3

申请日：2018-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学 ,  小林健

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45551 ,  B05C11/1031 ,  C23C14/042 ,  C23C14/228 ,  C23C14/26 ,  C23C14/505 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，且沿该从动齿轮的公转轨道的整周设有与该从动齿轮构成磁齿轮机构的驱动齿轮(5)。利用自转用旋转机构(53)使驱动齿轮旋转，产生驱动齿轮的角速度与从动齿轮的基于公转的角速度的速度差，从而使载置台自转，因此，能在晶圆(W)的周向上使成膜处理的均匀性提高。另外，能利用驱动齿轮的角速度与从动齿轮的角速度之差容易地调整从动齿轮的自转速度。

公开(公告)号：CN104637769B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410635709.9

申请日：2014-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  米泽雅人 ,  佐藤润 ,  三浦繁博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。