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公开(公告)号：CN102110673B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201010523659.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。
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公开(公告)号：CN103247639A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026720.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103199054A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006254.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
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公开(公告)号：CN101525116B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810207329.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统三维垂直组合封装的结构及其制造方法，其特征在于提出一种新颖的三轴加速度计组合封装的结构和制作方法。其中，模块组合封装的结构采用支架组合方式：激光校准加三棱镜的定位方法，紫外光固化胶固定的方法，使用引线键合实现电互连的技术。整个工艺过程与传统IC封装工艺兼容，工艺简单。该结构在降低封装成本，简化工艺的同时，为三维加速度的测量提供了另一种选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101656249B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200910054616.6
申请日：2009-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L27/00 , H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯BCB等作为介质层，以光刻、电镀、机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，并可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完成，具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。
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公开(公告)号：CN102306631A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110203161.7
申请日：2011-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。
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公开(公告)号：CN102222630A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110149550.6
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射金属种子层，涂覆厚光刻胶并光刻电镀窗口，然后分两步分别电镀锡银和铟，电镀完成后去除厚光刻胶和多余的种子层，回流焊料形成凸点。本发明充分利用了电镀法制备凸点所具备的凸点一致性好、凸点尺寸和节距小、凸点产量高、成本低等优点，克服了电镀法在三元合金上的局限性，并为电镀法制备Sn-Ag-In三元高密度微小尺寸无铅凸点奠定了基础。
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公开(公告)号：CN101656244A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910054611.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/13 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/82 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种以硅片为基板的埋置微波多芯片多层互连封装结构及制作方法。其特征在于利用低成本的硅片作为芯片埋置基板，以引线键合植球技术制备金凸点，实现微波芯片间的短距离互连，以低介电常数的液态或胶状聚合物作为介质层，通过光刻、电镀、化学机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，以及有源器件和无源器件的系统集成。整个封装结构具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。
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公开(公告)号：CN101525116A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810207329.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统三维垂直组合封装的结构及其制造方法，其特征在于提出一种新颖的三轴加速度计组合封装的结构和制作方法。其中，模块组合封装的结构采用支架组合方式：激光校准加三棱镜的定位方法，紫外光固化胶固定的方法，使用引线键合实现电互连的技术。整个工艺过程与传统IC封装工艺兼容，工艺简单。该结构在降低封装成本，简化工艺的同时，为三维加速度的测量提供了另一种选择。
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