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公开(公告)号：CN100334440C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410084794.0
申请日：2004-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用于光学材料微弱吸收测量的设备及方法，该发明是基于F-P干涉原理进行设计的，即在两片完全相同的窄带通高反膜系之间夹一真空层或空气层作为谐振腔，构成一个品质因子非常高的超窄带通滤光片，利用带通位置处的透过率对谐振腔的吸收特别敏感的特性，只要将待测样品放在谐振腔内，谐振腔内会有微弱吸收，就会引起透过率发生明显的变化，通过透过率的变化及利用商用的膜系设计与计算软件Filmstar绘制的峰值透过率差值(ΔT)随消光系数(κ)变化的标准曲线，就可以推算出待测光学材料的消光系数，进而得出其吸收系数。
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公开(公告)号：CN1996622A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148069.4
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
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公开(公告)号：CN1995974A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148066.0
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 一种可靠预测HgCdTe光电响应截止波长的非接触实验方法，系综合运用透射、光电流、光调制反射和光致发光多种光谱表征手段，对77K温度下材料的截止能量进行研究。结果表明：由于缺陷/杂质能级的存在，使传统的透射光谱不能准确预测材料的光电响应截止波长；而根据经验公式估算的材料截止波长则通常偏短。红外光调制反射光谱是非接触性检测方法，又因为它与光电流谱的三阶导数谱相似，可以作为一种可靠预测材料光电响应截止波长的非接触检测手段。
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公开(公告)号：CN1289892C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中A1组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1737613A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510029389.3
申请日：2005-09-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种具有多腔结构的窄带滤光片列阵，它是利用多个F－P结构膜系来形成多腔，通过组合镀膜或组合刻蚀方法来形成谐振腔层列阵，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构适用于各个波段多腔窄带滤光片列阵。这种结构的优点是滤光片的带通矩形度好，易于多通带集成，可以更多地获取各光谱通带内的信号、同时更好地抑制掉通带外的噪声，大大提高信噪比，能够满足工程化和实用化需要。
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公开(公告)号：CN1226774C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03142205.5
申请日：2003-08-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 华东师范大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种适合于制造射频电路的含氧化多孔硅的低阻硅衬底。该衬底的一个表面由区域1和区域2甚至区域3组成，区域1是低阻硅区域，区域2和区域3是形成在低阻硅衬底上的含氧化多孔硅区域。在区域1上适合于制造有源器件，在区域2、区域3上适合于制造无源器件，由此达到在低阻硅上制造射频、微波和毫米波波段等单片集成电路的目的。同时本发明还公开了该衬底的制备，包括：以低阻硅为原料，用金属或氮化硅做掩膜，选择区域形成多孔硅，氧化，涂敷聚酰亚胺，成膜、亚胺化等四步。本发明的优点是可以满足不同射频电路对衬底的要求。同时可以极大降低低阻硅衬底的阻抗损耗和导体损耗；可以使无源元器件和有源元器件集成在一片低阻硅衬底上。
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公开(公告)号：CN1225802C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN1225318C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03115643.6
申请日：2003-03-04
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： B05D1/30 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜材料的方法，其特征在于它用乙酰丙酮氧钒替代了五价钒的醇氧盐(VO(Opr)3)，使制备好的溶胶稳定性好，可以长期存放，多次使用。另外此溶胶毒性相对较小，有利于操作人员的健康。用该溶胶可以方便地制备出性质均一、具有高度择优取向性的氧化钒薄膜。
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公开(公告)号：CN1688014A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510025732.7
申请日：2005-05-11
申请人： 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种异质键合晶片的制备方法和应用，属光电子器材集成和应用的技术领域。低温直接键合的两片异质材料分别是制备有ROIC的硅晶片和制备有IP薄膜的GaAs晶片，先按照0.25μmULSI中的铜互连的化学机械平坦化工艺，使所述的硅晶片表面光滑、平整、清洁；接着，在低温下，使表面同样光滑、平整、清洁的所述的GaAs晶片与所述的硅晶片对位、预键合、低温热处理，至所述的两个异质晶片直接键合在一起，得到异质键合物；然后减薄异质键合物GaAs的厚度至20～30μm；再用ICP高密度反应离子选择刻蚀剩余的GaAs至终止层；最后用湿法蚀去终止层，得到产品，异质键合晶片。异质键合晶片可用来制作低价格的IP－ROIC的IRFPA。本发明具有制造成本低、产品超高机械强度高、可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN1677137A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510025460.0
申请日：2005-04-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： G02B5/28
摘要： 本发明公开了一种具有平整谐振腔层的滤光片列阵，它是利用F－P结构滤光片的带通峰位随其谐振腔层厚度的变化而改变的特性设计的。它包括基片，在基片上依次排列下层膜系、谐振腔层膜系、上层膜系。其特征在于：谐振腔膜层是厚度不同的膜层列阵，它是通过组合镀膜来实现不同厚度谐振腔膜层在同一基片上的集成，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构的优点是避免了因刻蚀引起界面粗糙而导致的滤光片性能下降和控制精度问题，与传统镀膜方法相比，制备效率和成品率都非常高。
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