公开(公告)号：CN115062730B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210944464.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 王于波 ,  赵东艳 ,  翟振 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  张东

IPC分类号： G06F18/24 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0442 ,  G06V10/764 ,  G01R31/58 ,  G01R31/54

摘要： 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。

公开(公告)号：CN115102591B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211023164.7

申请日：2022-08-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山东省电力公司

发明人： 朱鹤群 ,  甘杰 ,  王于波 ,  赵旭 ,  张玉冰 ,  王勇 ,  刘晗 ,  李正浩

IPC分类号： H04B7/0426 ,  H04B7/06 ,  H04B7/08

摘要： 本公开涉及无线通信技术领域，具体涉及一种基于反注水的波束赋形方法、装置、设备及可读存储介质，所述基于反注水的波束赋形方法包括：获取信道信息矩阵H；对所述信道信息矩阵H进行奇异值分解，得到信道中每一数据流对应的奇异值；以总信道容量最大化为目标，通过简化后的香农公式，基于所述每一数据流对应的奇异值计算得到每一数据流的反注水功率；基于所述每一数据流的反注水功率对所述信道进行波束赋形。本公开提出一种基于反注水的波束赋形方法，通过合理简化合并香农公式计算获得反注水功率，易于工程实现且能有效改善整体的译码性能，从而能够整体提升Massive MIMO的赋形流量。

公开(公告)号：CN113866690B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202111453598.6

申请日：2021-12-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学青岛研究院

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  朱大鹏 ,  周敏 ,  周芝梅 ,  王立城 ,  赵巍胜 ,  曲俊达 ,  夏清涛 ,  关心

IPC分类号： G01R33/09 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。

公开(公告)号：CN115020478B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210944506.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，由具有第一导电类型的硅材料制成，形成于第一外延层上并填充梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于第二外延层内漂移区两侧；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内，场板形成于漂移区表面，栅极形成于漂移区和体区表面并覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管能够提高击穿电压，降低器件的温度，提高器件的性能和可靠性，降低制造成本。

公开(公告)号：CN115102591A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202211023164.7

申请日：2022-08-25

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山东省电力公司

发明人： 朱鹤群 ,  甘杰 ,  王于波 ,  赵旭 ,  张玉冰 ,  王勇 ,  刘晗 ,  李正浩

IPC分类号： H04B7/0426 ,  H04B7/06 ,  H04B7/08

摘要： 本公开涉及无线通信技术领域，具体涉及一种基于反注水的波束赋形方法、装置、设备及可读存储介质，所述基于反注水的波束赋形方法包括：获取信道信息矩阵H；对所述信道信息矩阵H进行奇异值分解，得到信道中每一数据流对应的奇异值；以总信道容量最大化为目标，通过简化后的香农公式，基于所述每一数据流对应的奇异值计算得到每一数据流的反注水功率；基于所述每一数据流的反注水功率对所述信道进行波束赋形。本公开提出一种基于反注水的波束赋形方法，通过合理简化合并香农公式计算获得反注水功率，易于工程实现且能有效改善整体的译码性能，从而能够整体提升Massive MIMO的赋形流量。

公开(公告)号：CN114710284B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210528669.2

申请日：2022-05-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 李德建 ,  刁明响 ,  王于波 ,  崔炳荣 ,  张喆 ,  蒋名扬 ,  唐小飞 ,  王岩

IPC分类号： H04L9/08 ,  H04W12/0433 ,  H04W12/30 ,  H04W12/42

摘要： 本公开涉及计算机数据技术领域，具体涉及公开了一种通信保密元件的版本更新方法、设备及存储介质，该方法包括：响应于旧版本的保密元件接收到版本更新指令，将所述旧版本的保密元件中的保密信息备份至所述存储元件内；响应于新版本的保密元件更新完成，将所述存储元件中备份的所述保密信息恢复至所述新版本的保密元件内。该技术方案可以解决保密信息外泄的问题，主要用于增强保密元件在版本更新时的安全性。

公开(公告)号：CN114720923A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210532932.5

申请日：2022-05-17

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安交通大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  付振 ,  胡忠强 ,  王帅鹏 ,  钟明琛 ,  杜剑 ,  李阳

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/00

摘要： 本申请涉及磁传感器领域，提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成，体积小，功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用，其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直，形状稳定性好，灵敏度高，可实现优良的三维磁传感能力。

公开(公告)号：CN114361243B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210275705.9

申请日：2022-03-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。

公开(公告)号：CN114464673B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210375514.X

申请日：2022-04-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片。该方法包括：在表面为N型硅层的半导体衬底上方依次外延N型外延层和P型外延层；通过光刻及干法刻蚀形成贯穿N型外延层、P型外延层和N型硅层的沟槽；干法刻蚀去除两沟槽间预设区域内的P型外延层和N型外延层，以露出预设区域内的N型硅层作为漏极；沉积二氧化硅材料，通过光刻及刻蚀处理，在沟槽与所述N型外延层和N型硅层对应的内壁上形成场氧层；栅氧化形成氧化物材料层，通过离子刻蚀形成绝缘氧化层和覆盖沟槽与P型外延层对应处内壁和场氧层的栅氧化层；在沟槽中沉积多晶硅，形成多晶硅层；光刻及离子注入，在P型外延层中形成源极。该方法减少了离子注入和高温推结的步骤。

公开(公告)号：CN114429987B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210339389.7

申请日：2022-04-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。