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公开(公告)号：CN115020478B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210944506.2
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底，衬底由具有第一导电类型的碳化硅材料制成；第一外延层，由具有第一导电类型的碳化硅材料制成，为顶部具有条形梳齿的梳状结构；第二外延层，由具有第一导电类型的硅材料制成，形成于第一外延层上并填充梳齿之间的空隙；具有第二导电类型的漂移区，形成于第二外延层内；具有第一导电类型的体区，形成于第二外延层内漂移区两侧；源极形成于体区内，漏极形成于漂移区内，场板形成于漂移区表面，栅极形成于漂移区和体区表面并覆盖部分场板。通过本发明提供的晶体管能够提高击穿电压，降低器件的温度，提高器件的性能和可靠性，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114720923A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532932.5
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域，提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成，体积小，功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用，其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直，形状稳定性好，灵敏度高，可实现优良的三维磁传感能力。
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公开(公告)号：CN114361243B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210275705.9
申请日：2022-03-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/285 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。
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公开(公告)号：CN114464673B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210375514.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片。该方法包括：在表面为N型硅层的半导体衬底上方依次外延N型外延层和P型外延层；通过光刻及干法刻蚀形成贯穿N型外延层、P型外延层和N型硅层的沟槽；干法刻蚀去除两沟槽间预设区域内的P型外延层和N型外延层，以露出预设区域内的N型硅层作为漏极；沉积二氧化硅材料，通过光刻及刻蚀处理，在沟槽与所述N型外延层和N型硅层对应的内壁上形成场氧层；栅氧化形成氧化物材料层，通过离子刻蚀形成绝缘氧化层和覆盖沟槽与P型外延层对应处内壁和场氧层的栅氧化层；在沟槽中沉积多晶硅，形成多晶硅层；光刻及离子注入，在P型外延层中形成源极。该方法减少了离子注入和高温推结的步骤。
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公开(公告)号：CN114429987B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210339389.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114429987A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210339389.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底由下至上依次包括硅衬底、氧化层和上层硅；上层硅为具有两个坡面的凸台状梯形体结构；上层硅被划分为体区和漂移区，体区具有第一导电类型，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面及体区的两个坡面的外沿；漏极，形成于漂移区的上表面及漂移区的两个坡面的外沿；二氧化硅层，形成于体区的上表面、漂移区的上表面以及漂移区的两个坡面上；栅极，形成于体区的两个坡面上；多晶硅场板，形成于漂移区的两个坡面上的二氧化硅层的表面。通过本发明提供的方法，能够提高栅极对沟道的控制能力，提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN114221138B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210165206.4
申请日：2022-02-23
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明实施例提供一种人工电磁超表面，用于生成贝塞尔涡旋波束，属于微波段电磁波调控技术领域。所述人工电磁超表面由多个均匀布置的柱状介质基础单元构成；其中，各介质基础单元的尺寸信息由预设工作场景信息决定；各介质基础单元的工作面为凹面结构，且所述凹面存在一个十字形空气柱，所述凹面和所述十字形空气柱共同构成电磁抗反射结构；所述十字形空气柱的尺寸根据对应的介质基础单元的尺寸信息自适应调整确定。本发明方案利用了人工电磁表面的相位突变特性，使通过本发明设计的全介质透射型人工电磁超表面的球面电磁波可以转化为携带轨道角动量的贝塞尔电磁波，具有极化适应性强、透射效率高、设计简单、成本低廉、易于加工等优点。
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公开(公告)号：CN114200244B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号：CN114400184A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210296082.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管。所述方法包括：在硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延掺杂形成第一掺杂类型的第二外延层；对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀去除第一部分的第二外延层，余留的第二部分的第二外延层构成第一掺杂类型的体区；在去除第一部分的第二外延层的区域进行第三次外延掺杂形成第二掺杂类型的漂移区；在漂移区内形成浅槽隔离区；形成源漏区和栅极结构。本发明采用三次外延掺杂工艺形成高压PN结，降低工艺难度和制作成本，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114373800A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210276656.0
申请日：2022-03-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底，衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，第一衬底层和第一氧化层凸出于重掺杂层的表面，第一衬底层和第二衬底层具有第一导电类型，重掺杂层具有第二导电类型；第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于第一衬底层和第一氧化层的两侧，且氧化隔离层的底部与重掺杂层接触；氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，重掺杂多晶硅区的底部与重掺杂层接触，重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；重掺杂多晶硅区内形成有接电极。通过本发明提供的晶体管能够降低表面电场，提高击穿电压。
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