公开(公告)号：CN102034752A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910261397.9

申请日：2009-12-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄义雄 ,  林进祥 ,  李宏仁 ,  刘恒信

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L21/823871 ,  G03F7/091 ,  G03F7/093 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明揭示一种集成电路元件的制造方法。该方法是一微影图案化方法。该微影图案化方法可包含：提供基材；形成保护层于基材上；形成导电层于保护层上；形成光阻层于导电层上；以及曝光并显影光阻层。本发明的图案化微影方法形成保护层与导电层于光阻层与基材之间。保护层与导电层可在后续处理期间，有效降低对于基材的损伤。保护层可提供基材/元件较佳的隔离效果，保护基材/元件使其不受电子放电的损害，并可防止电子转移。而导电层可提供至地面的电子转移路径及/或提供电荷散逸。

公开(公告)号：CN113759669B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110789100.7

申请日：2021-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政轩 ,  蔡明训 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本揭露描述了一种颗粒去除装置，以及使用这种装置的方法。该装置包括具有主体的手持模块。主体中形成有一或多个第一通道及一或多个第二通道。主体包括喷嘴，并且手持模块用以通过喷嘴提供抽吸并通过喷嘴注入电离液流。主体进一步包括附接至喷嘴的手柄。

公开(公告)号：CN116382038A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310093587.4

申请日：2023-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈泰佑 ,  潘子融 ,  陈冠宏 ,  余昇刚 ,  简上杰 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供了用于极紫外(EUV)光刻系统的方法，该极紫外光刻系统包括具有激光器件的辐射源，该激光器件配置有用以产生EUV辐射的机构。该方法包括：以3维(3D)模式收集来自激光器件的激光束的激光束轮廓；以3D模式收集由激光束产生的EUV辐射的EUV能量分布；对激光束轮廓和EUV能量分布实施分析，获得分析数据；以及根据分析数据调节辐射源，以增强EUV辐射。本发明的实施例还提供了极紫外(EUV)光刻系统。

公开(公告)号：CN115524934A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210399898.9

申请日：2022-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙于洸 ,  蔡明训 ,  陈宇桓 ,  程薇心 ,  赖政豪 ,  陈鑫封 ,  郑乔华 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种操作极紫外光微影系统的方法，微影系统利用锡滴产生用于微影的极紫外辐射。微影系统用激光照射液滴。液滴经激励且发出极紫外辐射。收集器将极紫外辐射反射至微影靶。微影系统将液滴源与氧化剂隔离以防止喷嘴氧化或在喷嘴上形成金属氧化物，这两者皆会不利地影响喷嘴产生足够量的液滴及/或将液滴引导至所需方向的能力。

公开(公告)号：CN115524930A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210161469.8

申请日：2022-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 塗时雨 ,  王绍华 ,  刘彦豪 ,  郭爵旗 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种微影系统的清洁方法与微影系统的清洁系统，在微影系统的清洁方法中，在闲置模式期间，经由第一开口将空气流引导至极紫外微影系统的晶圆台的腔室中。利用所引导的空气流从晶圆台的腔室中的一或多个晶圆卡盘的表面抽取一或多个微粒。经由第二开口将空气流与所抽取的一或多个微粒抽出晶圆台的腔室。

公开(公告)号：CN115524929A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210112285.2

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种极紫外光源设备及其操作方法，极紫外光源设备包括金属液滴产生器、收集器反射镜、用于接收激发激光的激发激光入口、用以反射穿过激发区域的激发激光的第一反射镜，及用以反射由第一反射镜反射的激发激光的第二反射镜。

公开(公告)号：CN114975088A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210100725.2

申请日：2022-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宇桓 ,  黄昱智 ,  彭彦安 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 一种晶圆台的操作方法，包含将晶圆台移动到微影腔室的桌体上的第一站；将晶圆放置在晶圆台的顶面上；从第一激光发射器向晶圆台的第一侧壁上的第一分光镜发射第一激光，其中第一激光的第一部分被第一分光镜反射以形成第一反射激光，而第一激光的第二部分穿过第一分光镜以形成第一穿透激光；根据第一反射激光计算晶圆台在第一轴上的位置；在计算出晶圆台的位置后，将晶圆台移动到桌体上的第二站；以及当晶圆台位于第二站时，对晶圆进行微影制程。

公开(公告)号：CN114967359A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210282272.X

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政宏 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外光刻设备及其方法，光刻设备的来源容器内收集导片的碎屑的微波加热用于实现均匀的温度分布，以减少在导片的内外表面上的落下污染和堵塞物的形成。

公开(公告)号：CN114815515A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210210215.0

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宇桓 ,  黄昱智 ,  彭彦安 ,  简上杰 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体基板台。半导体基板台用于承载基板，半导体基板台包括基层、磁屏蔽层、承载层以及接收器。磁屏蔽层设置于基层上。承载层设置于磁屏蔽层上。接收器设置于承载层上。接收器是配置以接收来自与接收器电性隔离的信号源的微波信号，并且微波信号是用于控制半导体基板台的移动。

公开(公告)号：CN114815513A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210054147.3

申请日：2022-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑乔华 ,  陈鑫封 ,  罗煜发 ,  孙于洸 ,  程薇心 ,  陈宇桓 ,  蔡明训 ,  赖政豪 ,  吴政轩 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐 ,  余昇刚

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 提供了一种辐射源设备及其使用方法。方法包括：将第一液滴产生器组装到容器的接口上；将靶液滴从第一液滴产生器喷射到在收集器前方的激发区域；朝向激发区域发射激光，使得靶液滴由激光加热以产生极紫外(EUV)辐射；停止喷射靶液滴；在停止喷射靶液滴之后，从容器的接口拆卸第一液滴产生器；在从容器的接口拆卸第一液滴产生器之后，将清洗装置穿过接口插入容器中；以及通过使用清洗装置来清洗收集器。