公开(公告)号：CN115524932A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210260035.3

申请日：2022-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许哲彰 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种半导体制造系统及在其制造系统中产生极紫外辐射的方法，在一种在半导体制造系统中产生极紫外(EUV)辐射的方法中，气体的一个或多个流被引导通过安装在EUV辐射源的收集器镜的边缘上方的一个或多个气体出口，以在收集器镜的表面上方产生气体的流动。气体的一个或多个流的一个或多个流速被调整以减少沉积在收集器镜的表面上的金属碎屑的量。

公开(公告)号：CN115524928A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210094388.0

申请日：2022-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严治平 ,  苏彦硕 ,  谢劼 ,  简上傑 ,  张俊霖 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于极紫外微影术的装置及其操作方法与极紫外微影方法，在微影装置的直接焦点附近提供超音波气体喷射头，以便使由微影制程产生的锡碎屑远离扫描仪侧且朝向碎屑收集器件偏转。气体喷射头可以定位在各种有用的定向上，具有可调的气流速度及气体密度，以便防止多至近100％的锡碎屑迁移至扫描仪侧上的倍缩光罩。

公开(公告)号：CN115494701A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210292606.1

申请日：2022-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖政豪 ,  蔡明训 ,  陈鑫封 ,  程薇心 ,  孙于洸 ,  吴政轩 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种半导体制程工具的操作方法及其辐射源。本文中所描述的一些实施方式提供了用于极紫外(EUV)辐射源的技术及设备，该极紫外辐射源包含防后溅系统，以减少、最小化及/或防止在收集器流动环的隧道结构中形成可能会以其他方式由锡(Sn)卫星的累积引起的Sn堆积。这种情况减少了Sn至EUV辐射源的收集器上的后溅，增加了收集器的操作寿命(例如通过增加收集器的清洗及/或更换之间的持续时间)，减少了EUV辐射源的停机时间，且/或使得EUV辐射源的效能能够维持较长的持续时间(例如通过减小、最小化及/或防止收集器的Sn污染率)以及其他范例。

公开(公告)号：CN115047718A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210203606.X

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑乔华 ,  孙于洸 ,  程薇心 ,  陈宇桓 ,  蔡明训 ,  赖政豪 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐 ,  余昇刚

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外辐射源与半导体制程方法，本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法，用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞，而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中，侦测电路包括以开路组态组态的开关电路，其中开关在两个电极元件之间电断开。当靶材在液滴产生器头上的两个或两个以上电极元件之间发生聚积时，该聚积用作将侦测电路闭路的开关。控制器可侦测侦测电路的闭路。

公开(公告)号：CN114911137A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110690854.7

申请日：2021-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙于洸 ,  赖政豪 ,  陈宇桓 ,  程薇心 ,  蔡明训 ,  陈鑫封 ,  郑乔华 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外微影系统及其操作的方法，操作极紫外微影系统的方法使用激光照射液滴而产生极紫外光。极紫外微影系统包括具有喷嘴的液滴产生器以及耦合至喷嘴的压电结构。液滴产生器输出液滴组。控制系统施加电压波形至压电结构，同时喷嘴输出液滴组。此电压波形使液滴组的液滴具有速度分布，导致液滴组的液滴在被激光照射之前聚结成一个液滴。

公开(公告)号：CN111258185A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911206497.1

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠宏 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种微影设备包括极紫外(extreme ultraviolet；EUV)扫描器、耦合到EUV扫描器的EUV辐射源、石英晶体微量天平及回馈控制器。石英晶体微量天平设置在EUV辐射源及EUV扫描器中至少一者的内表面上。回馈控制器耦合到石英晶体微量天平及一或多个辐射源、液滴产生器及控制与EUV辐射源相关联的辐射源轨迹的光导元件中的一或更多者。

公开(公告)号：CN110837208A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910760764.3

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨基 ,  林圣达 ,  钟仁阳 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外辐射源装置，包含腔室且腔室包围极紫外光收集镜。极紫外光收集镜配置以收集以及引导在腔室中产生的极紫外辐射。至少三个排放口配置以从腔室移除残余物。在一些实施例中，排放口对称地排列在垂直于极紫外光收集镜的光轴的平面上。在一些实施例中，三个排放孔中的任二相邻的排放口之间的角度为120度。在一些实施例中，四个排放孔中的任二相邻的排放口之间的角度为90度。在一些实施例中，腔室配置以维持压力在0.1毫巴至10毫巴的范围内。

公开(公告)号：CN110658694A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910578340.5

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昱至 ,  郑博中 ,  陈立锐 ,  简上傑 ,  余昇刚 ,  颜炜峻

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。

公开(公告)号：CN110658692A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910553445.5

申请日：2019-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈昱至 ,  余昇刚 ,  杨基 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  郑博中

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法包括在EUV辐射源设备内利用激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑。加热滴孔与锡桶之间的导管或导杆，从而使围绕滴孔沉积的锡碎屑流动。一极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射源设备包括收集器及用于产生锡(Sn)液滴的靶材液滴产生器。碎屑收集元件安置在收集器的反射表面上方，且至少一个滴孔位于碎屑收集元件与收集器之间。用于收集来自碎屑收集元件的碎屑的锡桶位于至少一个滴孔下方，且导管或导杆从滴孔延伸至锡桶。