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公开(公告)号：CN111801788B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980016267.0
申请日：2019-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , B23K26/38 , H01L21/033
Abstract: 本案描述切割半导体晶片的方法。在一实例中，切割在其上具有集成电路的半导体晶片的方法包括在半导体晶片上方形成掩模，所述掩模由覆盖并保护集成电路的层组成。接着利用多程激光划刻工艺图案化掩模以提供具有间隙的图案化掩模，所述间隙暴露在集成电路之间的半导体晶片区域，多程激光划刻工艺包括沿第一边缘划刻路径的第一程、沿中心划刻路径的第二程、沿第二边缘划刻路径的第三程、沿第二边缘划刻路径的第四程、沿中心划刻路径的第五程及沿第一边缘划刻路径的第六程。然后穿过图案化掩模中的间隙等离子体蚀刻半导体晶片以单体化集成电路。
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公开(公告)号：CN118160127A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280068857.X
申请日：2022-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 类维生 , G·K·戈帕拉克里希南·奈尔 , 赵·K·秋静 , 丹尼尔·斯托克 , 托比亚斯·斯托利 , 托马斯·德皮施 , 简·德尔马斯 , 肯尼斯·S·勒德福 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 基兰·瓦查尼 , 马亨德兰·奇丹巴拉姆 , 罗兰·特拉斯尔 , 尼尔·莫里森 , 弗兰克·施纳朋伯杰 , 凯文·劳顿·坎宁安 , 斯蒂芬·班格特 , 詹姆斯·库辛 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南
IPC: H01M10/058 , H01M10/052 , B23K26/36 , B23K26/352
Abstract: 提供用于借由具有宽工艺窗、高效率及低成本的激光源来处理锂电池的方法及设备。激光源被调适以实现皮秒脉冲的高平均功率及高频率。激光源可在固定位置或以扫描模式产生线形光束。系统可在干燥室或真空环境中操作。系统可包括对处理位点的碎屑移除机制(例如，惰性气体流)以移除在图案化工艺期间产生的碎屑。
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公开(公告)号：CN117276065A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311197004.9
申请日：2018-05-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , B23K26/402 , H01L21/308 , H01L21/02 , B23K26/364 , B23K26/06 , B23K26/18 , B23K26/0622 , H01L21/683 , H01L21/76 , H01L21/78
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法。在一个示例中，一种对在其上具有多个集成电路的晶片进行切割的方法包含：将晶片切割成设置在切割带上的多个单切裸片(singulated die)。所述方法还包含在切割带上的多个单切裸片上方和之间形成材料层。所述方法还包括使切割带扩展，其中在扩展期间在材料层上收集多个颗粒。
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公开(公告)号：CN116548072A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180060651.8
申请日：2021-06-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 类维生 , K·莱斯彻基什 , R·胡克 , S·文哈弗贝克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠
IPC: H05K3/40
Abstract: 在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80°或更大的锥角；将激光束聚焦在基板处，以移除掩模层的至少一部分；基于一种或多种性质调整激光工艺参数；以及在经调整的激光工艺参数下聚焦激光束以移除容积内的介电层的至少一部分，以形成盲通孔。在一些实施例中，掩模层可以是预蚀刻的。在另一个实施例中，提供了一种用于在基板中形成盲通孔的设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701651B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201780014005.1
申请日：2017-01-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/76 , H01L21/268 , H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法，各晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法包括：在半导体晶片上方形成掩模，该掩模由覆盖且保护集成电路的层构成。接着利用分裂激光束激光划线工艺(如分裂形状的激光束激光划线工艺)图案化该掩模，以提供具有缝隙的图案化掩模，暴露集成电路之间的半导体晶片区域。接着通过图案化掩模中的缝隙对半导体晶片进行等离子体蚀刻以将集成电路切单。
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公开(公告)号：CN115769367A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180044406.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/308 , B23K26/38 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本文公开的实施例包含切割包括多个集成电路的晶片的方法。在实施例中，方法包括在半导体晶片上方形成掩模，并且通过第一激光处理将掩模和半导体晶片图案化。方法可进一步包括通过第二激光处理将掩模和半导体晶片图案化，其中第二激光处理与第一激光处理不同。在实施例中，方法可进一步包括通过等离子体蚀刻处理来蚀刻半导体晶片以切单集成电路。
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公开(公告)号：CN115243827A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020063.1
申请日：2021-02-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马亨德兰·奇丹巴拉姆 , 施穆埃尔·埃雷斯 , 类维生 , 约翰·伯纳德·罗斯科尼
IPC: B23K26/38 , B23K26/53 , B23K26/03 , B23K101/40
Abstract: 提供了一种制造光学装置的方法，该方法包含将包括一个或多个装置的第一基板转移至激光切割工具，激光切割工具包括细丝化平台和切单化平台。在细丝化平台中，在第一基板上创建一个或多个装置轮廓。在切单化平台中，沿着一个或多个装置轮廓从第一基板分割光学装置。将这些装置转移至储存或用于进一步的后端处理。
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公开(公告)号：CN106716602B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201580031646.9
申请日：2015-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: 描述了切割半导体晶片的方法及设备，每一晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模，该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基板载体具有背侧。该方法也涉及在等离子体蚀刻腔室的夹盘上支撑基板载体的背侧的至少一部分。该方法也涉及冷却基板载体的基本上全部的背侧，该冷却涉及由夹盘冷却基板载体的背侧的至少第一部分。该方法也涉及在执行冷却基板载体的基本上全部的背侧的同时经由划道等离子体蚀刻基板以切单集成电路。
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公开(公告)号：CN102986006A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180021218.X
申请日：2011-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/822 , B23K26/36 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/67069 , H01L21/67092 , H01L21/67207 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆之方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在该半导体晶圆上方形成一遮罩。该遮罩由覆盖且保护该等集成电路之一层组成。用一基于飞秒之激光划线制程将该遮罩布局图样，以提供具有间隙之一经布局图样之遮罩。该布局图样曝露该等集成电路之间的该半导体晶圆之区域。然后将该半导体晶圆蚀刻穿过该经布局图样之遮罩中的该等间隙，以单分该等集成电路。
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