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公开(公告)号：CN104541205A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
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公开(公告)号：CN104508558A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040983.5
申请日：2013-08-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，[式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。]。
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公开(公告)号：CN101107569B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680002801.5
申请日：2006-01-06
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/28 , C08F20/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/094
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合、可以使具有纵横比很大的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的形成光刻用下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：具有2个以上的被保护的羧基的化合物、具有2个以上的环氧基的化合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN101048705B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200580037032.8
申请日：2005-10-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76808 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。
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公开(公告)号：CN101523291A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037165.4
申请日：2007-10-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , C08F220/10 , H01L21/027 , C08F220/26
CPC classification number: G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508558B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380040983.5
申请日：2013-08-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G8/04 , C09D161/12 , G03F7/094 , G03F7/16 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。
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公开(公告)号：CN105143979A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480021117.6
申请日：2014-04-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/027
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。
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公开(公告)号：CN102803324B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080027274.X
申请日：2010-06-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G12/26 , C08G16/02 , C08G61/12 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08G2261/344 , C08L61/26 , C08L79/02 , C08L79/04 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。
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公开(公告)号：CN104838315A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380065075.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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公开(公告)号：CN104185816A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380015579.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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