公开(公告)号：CN103221888B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180055104.7

申请日：2011-11-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  大西龙慈 ,  何邦庆

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/62 ,  C08G65/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/00 ,  C08L67/04 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题在于：本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。

公开(公告)号：CN105555888A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051491.0

申请日：2014-09-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: C09D201/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D145/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D165/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/38 ,  B05D3/0254 ,  B05D7/52 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/1426 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/312 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/3325 ,  C09D5/00 ,  C09D145/00 ,  C09D201/00 ,  C09J133/066 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明提供一种用于形成为了使自组装膜容易排列成期望的垂直图案而需要的下层膜的组合物。所述自组装膜的下层膜形成用组合物包含聚合物，所述聚合物具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构的单元结构。聚合物为具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构、与含芳香环化合物的芳香环结构或源自含乙烯基化合物的乙烯基的聚合链的单元结构的聚合物。聚合物具有下述式(1)：(式(1)中，X为单键、以源自含乙烯基化合物的乙烯基结构为聚合链的2价基团、或以源自含芳香环化合物的含芳香环结构为聚合链的2价基团，Y为以源自脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构为聚合链的2价基团。)所示的单元结构。脂肪族多环化合物为2环至6环的二烯化合物。脂肪族多环化合物为二环戊二烯或降冰片二烯。

公开(公告)号：CN104870551A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380066214.2

申请日：2013-12-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  若山浩之 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: C08L25/04 ,  C08F12/08 ,  C08K5/3447 ,  C09D125/08 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D125/14 ,  C08F212/08 ,  C09D125/08 ,  C09D153/00 ,  G02B1/111 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/09 ,  Y10T428/24802 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/14 ,  C08F220/06 ,  C08F212/12 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明的课题是提供一种自组装膜的下层中所使用的下层膜形成组合物。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，含有仅由源自可被取代的苯乙烯的结构单元和源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元构成的聚合物，且该聚合物以如下比例构成：在该聚合物的全部结构单元中，源自苯乙烯的结构单元为60～95摩尔％，源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元为5至40摩尔％。可形成交联的基团为羟基、环氧基、被保护了的羟基、或被保护了的羧基。含有可形成交联的基团的化合物为甲基丙烯酸羟基乙酯、丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基丙酯、丙烯酸羟基丙酯、羟基苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯。

公开(公告)号：CN104749887A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510131675.4

申请日：2010-04-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  远藤贵文 ,  何邦庆

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C08G59/08 ,  C08L63/00 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081 ,  Y10S430/106

Abstract: 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。

公开(公告)号：CN104136997A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011378.5

申请日：2013-02-26

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/11 ,  C08G63/00 ,  C08G65/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/092 ,  C08G63/6856 ,  C08G63/91 ,  C08G65/40 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成提高了与抗蚀剂的密合性的抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂。(1)(式中，R1表示氢原子或甲基，Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团，v1和v2各自独立地表示0或1。)(2)(3)(式中，R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的直链状或支链状的烃基，R4表示氢原子或甲基，R7表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数1～4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基，w1表示0～3的整数，w2表示0～2的整数，x表示0～3的整数。)

公开(公告)号：CN103649835A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280035179.3

申请日：2012-07-31

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  大西龙慈 ,  何邦庆

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  C08G73/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G73/06 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。

公开(公告)号：CN101884015A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118921.0

申请日：2008-12-09

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 广井佳臣 ,  石田智久 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G59/226 ,  C08G59/38

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，由其形成的抗蚀剂下层膜的干蚀刻速度的选择比大，在ArF准分子激光之类的短波长下的k值和折射率n显示出希望的值，还显示出溶剂耐性。提供了一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其特征在于，含有线状聚合物和溶剂，所述线状聚合物的主链上具有含有芳香环的结构和含有氮原子的结构中的至少一种结构，所述芳香环或所述氮原子上直接连接有至少一个烷氧基烷基或羟基烷基。

公开(公告)号：CN110698331B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201910993087.X

申请日：2014-06-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  高濑显司 ,  新城彻也 ,  坂本力丸 ,  远藤贵文 ,  西卷裕和

IPC: C07C43/178

Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。

公开(公告)号：CN107406713B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201680018448.3

申请日：2016-04-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  远藤贵文 ,  畑中真

IPC: C09D163/00 ,  C08F299/02 ,  C08G59/16 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于在基板上形成被膜的高低差基板被覆用组合物，所述被膜对图案的填充性高、且具有能够不发生脱气、热收缩地形成涂膜的这样的平坦化性，所述高低差基板被覆用组合物含有分子内具有式(1)所示结构部分的化合物(C)和溶剂，(式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、或碳原子数为6～40的芳基，5个R3分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷基、硝基、或卤素原子，※表示与化合物的结合位置。)。

公开(公告)号：CN106715619B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201580049091.0

申请日：2015-09-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  志垣修平 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: C09D201/06 ,  C09D201/08 ,  C08F212/12 ,  C09D5/00 ,  C09D7/20 ,  C09D183/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。