公开(公告)号：CN105190838B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201580000420.2

申请日：2015-01-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/16 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/588 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0649 ,  Y10T428/24355

摘要： 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。

公开(公告)号：CN105144851A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201580000543.6

申请日：2015-02-20

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H05K1/03 ,  C04B35/111 ,  H05K3/00

CPC分类号： H05K1/115 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  H01B3/12 ,  H01B17/56 ,  H05K1/03 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/00 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/09009 ,  Y10T428/24273

摘要： 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。

公开(公告)号：CN105074870A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019693.7

申请日：2014-12-16

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76254 ,  C01F7/02 ,  C01P2006/60 ,  C04B35/10 ,  C04B35/115 ,  C04B35/64 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/70 ,  C04B2237/704 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/15 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381

摘要： 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。

公开(公告)号：CN204067306U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420153162.4

申请日：2014-03-31

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 中西宏和 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本实用新型提供一种处理基板和半导体用复合晶片。半导体用复合晶片的处理基板由多结晶透光性氧化铝形成。该处理基板中Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ和Ｚｎ的表面金属污染量分别在1.0×1011ａｔｏｍ／ｃｍ2以下，处理基板的接合面的表面粗糙度Ｒａ为6ｎｍ以下。