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公开(公告)号：CN118398661A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410049356.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够不降低半导体器件的电气特性而增大工艺余量。半导体器件包含：氧化物半导体层，其包含多晶构造；栅电极，其与所述氧化物半导体层相对；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；第1透明导电层，其与所述氧化物半导体层连接；和第2透明导电层，其设置在与所述第1透明导电层的同一层、并与所述第1透明导电层分离，所述第1透明导电层的结晶性与所述第2透明导电层的结晶性不同。
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公开(公告)号：CN119767810A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411135598.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明实现可靠性高的放射线检测装置。放射线检测装置具有：氧化物半导体层被用于沟道的晶体管；与所述晶体管连接的光电转换层；与所述光电转换层对置且基于吸收的放射线来放出可见光的波长转换层；和在所述晶体管与所述光电转换层之间与所述氧化物半导体层接触且具有50nm以下的膜厚的氧化物层。所述晶体管也可以包括与所述氧化物半导体层对置的栅电极层及位于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，所述氧化物半导体层也可以比所述栅电极层更接近所述光电转换层。
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公开(公告)号：CN119562596A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411158980.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置。提高使用了包含氧化物半导体的晶体管的显示装置的可靠性。显示装置包含沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向呈矩阵状配置的多个像素，多个像素的各自分别具有：晶体管，其具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置并在第1方向上延伸存在的栅极布线、及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；第1导电层，其设置在晶体管之上的至少1层第1绝缘层之上，并与氧化物半导体层相接；第2绝缘层，其设置在第1导电层之上；第1无机层，其设置在第2绝缘层之上并具有开口部；和第2无机层，其设置在第1无机层之上，并在开口部中与第2绝缘层相接，第1无机层将第1绝缘层被覆的被覆率相对于像素的面积而言为85％以上。
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公开(公告)号：CN119032417A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380033758.2
申请日：2023-03-20
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，其包括：在基板之上利用溅射法来形成氧化物半导体层，将形成有所述氧化物半导体层的基板设置在具有预先维持在设定温度的加热介质的加热炉中，对所述氧化物半导体层进行第一加热处理，在所述第一加热处理之后，在所述氧化物半导体层之上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层之上形成栅电极。在将所述基板设置于所述加热炉中时，将所述加热介质的温度降低抑制在所述设定温度的15％以内。
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公开(公告)号：CN118830088A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380025428.9
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 薄膜晶体管包括：基板；设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层重叠设置的栅电极；和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法来获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118805263A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202380025327.1
申请日：2023-02-20
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/336
Abstract: 薄膜晶体管包括基板、设置在基板之上的氧化金属层、与氧化金属层相接而设置且具有结晶性的氧化物半导体层、与氧化物半导体层重叠设置的栅电极、和设置在氧化物半导体层与栅电极之间的绝缘层，氧化物半导体层包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD(电子背散射衍射)法取得的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者。
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公开(公告)号：CN118738138A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410326788.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/465 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。课题在于提供形状的偏差少且电气特性稳定的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的金属氧化物层；金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，氧化物半导体层包括与源电极或漏电极重叠的第一区域和与层间绝缘层相接的第二区域，第一区域的膜厚与第二区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN118738135A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410260296.4
申请日：2024-03-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置。改善包含氧化物半导体的半导体装置的电特性。半导体装置包含：第1绝缘层；上述第1绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；上述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；上述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；上述栅极绝缘层之上的栅电极；和上述栅电极之上的第2绝缘层，上述金属氧化物层和上述氧化物半导体层一起被图案化，上述氧化物半导体层具有与上述栅极绝缘层接触的第1区域和在第1方向上与上述第1区域连续并且与上述栅极绝缘层及上述第2绝缘层接触的第2区域。
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公开(公告)号：CN118676153A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410249347.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供可靠性及迁移率高的半导体装置。半导体装置具有基板、设于基板上的第一晶体管、和设于第一晶体管上的第二晶体管，第一晶体管包含：设于基板上的第一栅电极；设于第一栅电极上的第一绝缘膜；设于第一绝缘膜上、有与第一栅电极重叠的区域并具有多晶结构的第一氧化物半导体层；设于第一氧化物半导体层上的第二绝缘膜；和设于第二绝缘膜上的第二栅电极，第二晶体管包含：设于第二绝缘膜上的第三栅电极；设于第三栅电极上的第三绝缘膜；设于第三绝缘膜上、有与第三栅电极重叠的区域的第二氧化物半导体层；设于第二氧化物半导体层上的第四绝缘膜；和设于第四绝缘膜上的第四栅电极。
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公开(公告)号：CN118099223A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311553939.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体器件。其课题在于提供包含以不依赖于保护绝缘层所包含的氮化硅的方式被低电阻化的源极区域及漏电极的半导体器件。半导体器件包含氧化物绝缘层、氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层、在氧化物半导体层之上与氧化物半导体层相接的栅极绝缘层、和栅极绝缘层之上的栅电极，氧化物半导体层包含与栅电极重叠的沟道区域、和与栅电极不重叠的源极区域及漏极区域，在源极区域及漏极区域与栅极绝缘层的界面处，源极区域及漏极区域的表面中的杂质的浓度为1×1019cm‑3以上。
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