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公开(公告)号:CN100365841C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN02159797.9
申请日:2002-12-26
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H01L41/24 , H01L41/083
CPC分类号: B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/64 , C04B2235/3213 , C04B2235/3241 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/6025 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01L41/1876 , H01L41/273 , Y10T29/42
摘要: 本发明提供了压电特性更好、可靠性更佳的压电陶瓷元件的制造方法。该方法具备在含铅元素化合物的压电陶瓷材料的陶瓷生片上涂布含有以银为主成分的合金的导电性浆料后,将该陶瓷生片层叠为层叠体的层叠工序;以及在烧结时的升温过程和保温过程中的氧气浓度在21体积%以上,且降温过程中的氧气浓度在0.05体积%以上、3体积%以下的氛围气中烧结该层叠体的的烧结工序。
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公开(公告)号:CN1924083A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200610112283.4
申请日:2006-08-30
申请人: 精工爱普生株式会社
CPC分类号: C23C14/3414 , C04B35/493 , C04B35/497 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/6346 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要: 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜,其中,A元素至少包括Pb,B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种,C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。
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公开(公告)号:CN1644496A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN200510001873.5
申请日:2002-06-13
申请人: 精工爱普生株式会社
CPC分类号: C04B35/457 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/4521 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3463 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1878 , H01L41/318
摘要: 一种陶瓷的制造方法,包括:形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜;之后对该膜进行热处理,所述常介电体材料,由构成元素中含有Si的层状触媒物质,以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火,优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物,该复合氧化物中含有Si及Ge。
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公开(公告)号:CN1085637C
公开(公告)日:2002-05-29
申请号:CN98115296.1
申请日:1998-06-26
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/48
CPC分类号: H01L41/083 , C04B35/497 , C04B35/499 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/273 , H01L41/43
摘要: 公开了一种烧结压电陶瓷,它耐极化时的高电压而不发生电介质击穿,并且具有优良的耐湿性。同时烧成多个陶瓷时,可防止它们熔融或结合在一起。生产陶瓷的成本也下降了。所述烧结压电陶瓷含有分散在压电陶瓷颗粒中的粒状或聚结的氧化锆颗粒,其中压电陶瓷颗粒的平均粒径小于氧化锆颗粒的平均粒径。
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公开(公告)号:CN1334962A
公开(公告)日:2002-02-06
申请号:CN99816072.5
申请日:1999-12-08
申请人: 因芬尼昂技术股份公司 , 先进技术材料公司
发明人: F·S·欣特迈尔 , J·F·雷德 , B·C·亨德里克斯 , D·A·德斯罗切尔斯 , T·H·鲍姆
IPC分类号: H01L21/316
CPC分类号: C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/62222 , C04B2235/3251 , C04B2235/3296 , C04B2235/76 , C23C16/40 , C23C16/408 , C23C16/56 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/02356 , H01L21/31691
摘要: 通过特别选择组分和/或淀积参数,减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层,防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。
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