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公开(公告)号:CN102804411A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201080029262.0
申请日:2010-04-30
申请人: 3M创新有限公司
CPC分类号: H01L33/0087 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02469 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L33/08 , H01L33/28 , H01L33/502
摘要: 我们已经观察到在某些半导体衬底上生长的II-VI半导体器件的反常行为,并且已经确定该反常行为可能是来自衬底的铟原子在生长过程中迁移到II-VI层中的结果。铟可因而变成生长在衬底上的一个或多个II-VI层、特别是接近生长衬底的层中的非有意的掺杂剂,并且可以不利地影响器件性能。我们描述了多种有效地使在生长层中短距离内迁移的铟耗尽、或有效地基本防止铟自衬底迁移出来、或者以另外的方式基本分离II-VI功能层与迁移的铟从而维持良好的器件性能的半导体构造和技术。
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公开(公告)号:CN102782195A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201180011758.X
申请日:2011-03-01
申请人: 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号: C30B29/40 , C23C16/30 , C30B25/18 , H01L21/205
CPC分类号: H01L21/02546 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/0251 , H01L21/02609 , H01L21/0262
摘要: 本发明提供一种半导体层的镶嵌性低且适合半导体器件的制作的半导体外延基板。该半导体外延基板在具有第一晶格常数的半导体基板上使倾斜缓冲层和半导体层进行外延生长而制成,其中,所述倾斜缓冲层以使晶格常数在第一晶格常数和大于第一晶格常数的第二晶格常数的范围内呈阶段性增加的方式使组分倾斜,所述半导体层由具有第二晶格常数的半导体晶体构成,在所述半导体外延基板中,在设从[100]方向向[011]方向按顺时针旋转的方向为正时,半导体层的(mnn)面(m、n是整数,但排除m=n=0)和半导体基板的(mnn)面所成的角为+0.05º以上。
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公开(公告)号:CN100466178C
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200480038996.X
申请日:2004-12-22
申请人: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC分类号: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC分类号: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
摘要: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法,其是在含有氮的气氛下,使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg,然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长,从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料,因此即使在晶体中混入Mg,晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性,在电子器件的应用中不成问题。另外,通过使上述助熔剂含有Mg,在助熔剂中氮的溶解量增大,从而能够以快速生长速率进行晶体生长,晶体生长的重现性也得以提高。
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公开(公告)号:CN100440436C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200580005133.7
申请日:2005-02-15
申请人: 日矿金属株式会社
IPC分类号: H01L21/203 , C23C14/54 , C30B23/08 , C30B29/40
CPC分类号: H01L21/02658 , C30B23/002 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02631
摘要: 提供一种在Fe掺杂InP等的半导体衬底上以良好的再现性生长出InAlAs等化合物半导体构成的外延层的气相生长方法。在半导体衬底上生长外延层的气相生长方法中,预先测定室温下的半导体衬底的电阻率,按照室温下的电阻率控制衬底的设定温度以使实际的衬底的表面温度达到所希望的温度而与该半导体衬底的电阻率无关,并生长外延层。
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公开(公告)号:CN1969374A
公开(公告)日:2007-05-23
申请号:CN200480043316.3
申请日:2004-04-13
申请人: 瑞必尔
IPC分类号: H01L21/203
CPC分类号: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01S5/341
摘要: 用控制在任意电子束直径和电流密度的电子束辐照在包括简单物质GaAs和InP的AlxGayIn1-x-yAszP1-z(0≤x<1,0≤y和z≤1)衬底的表面上形成的薄膜的表面,以使在GaAs表面上形成的任何自然氧化物膜经历选择性的Ga2O3替代或形成。随后,将所述衬底的温度调整到给定的温度,以便在除了Ga2O3替代的区域以外的区域中实现所述自然氧化物膜的脱离。通过分子束外延生长技术,在其自然氧化物膜脱离侧的衬底上进行III-V族化合物半导体晶体的选择性生长,从而实现衬底密度的提高。因此,可以实现具有沿着晶体生长方向纳米量级均匀的晶体膜厚度的电路图形的在位形成。
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公开(公告)号:CN1938871A
公开(公告)日:2007-03-28
申请号:CN200580010018.9
申请日:2005-03-24
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L33/00 , H01L21/208
CPC分类号: H01L33/0066 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02625 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要: 获得一种半导体发光器件,包括透明化合物半导体衬底,其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括,GaP衬底(1),位于所述GaP衬底(1)上并包括n-型AlInGaP层和p-型AlInGaP层的有源层(4),以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。
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公开(公告)号:CN1879198A
公开(公告)日:2006-12-13
申请号:CN200480033046.8
申请日:2004-11-08
申请人: 住友化学株式会社
IPC分类号: H01L21/205
CPC分类号: H01L21/02461 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262
摘要: 本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法,其包括如下所述工序,即:在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上,在V/III比:10~100、成长温度:630℃~700℃、成长速度:0.6μm/h~2μm/h的条件下,通过外延成长,而形成InGaAs层。
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公开(公告)号:CN1750276A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200510103639.3
申请日:2005-09-06
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L31/10
CPC分类号: H01L31/1035 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L31/03046 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 一种外延晶片,具备基板(3)、缓冲层(9)、受光层(11)、窗层(13)。缓冲层(9)形成于基板(3)上。受光层(11)形成于缓冲层(9)上。受光层(11)由具有比构成基板(3)的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜构成。窗层(13)形成于受光层(11)上,由被与受光层(11)接触地配置的1层或多层构成。构成窗层(13)的层当中的与受光层(11)接触的层的晶格常数比受光层(11)的晶格常数及缓冲层(9)的晶格常数当中的任意一个较大的晶格常数更小。窗层(13)的厚度在0.2μm以上、2.0μm以下。由此,本发明提供能够实现特性的改善的外延晶片及元件。
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公开(公告)号:CN1092839C
公开(公告)日:2002-10-16
申请号:CN95194628.5
申请日:1995-06-29
申请人: 英国电讯公司
IPC分类号: H01L21/20
CPC分类号: H01L21/02505 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02546 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要: 磷化铟半导体衬底(10)是为随后生长外延层(12到16)生长而制备的,以形成一个半导体器件(5)。在制备中,首先对衬底(10)进行退火来促进来自衬底扩散的杂质原子的表面堆积趋势,并有助于衬底表面杂质原子的消除。然后对衬底(10)进行表面腐蚀来进一步消除杂质,并为随后的外延层生长提供一个干净、平整的表面。制备的最后阶段包括在衬底上生长一个半绝缘缓冲层(11)将衬底与器件外延层(12到16)隔离开。
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公开(公告)号:CN104218118A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201410220700.1
申请日:2014-05-23
申请人: 住友电气工业株式会社
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/0352 , B82Y20/00
CPC分类号: H01L31/035236 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤,该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层,其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤,使得多量子阱相对于衬底的晶格失配△ω满足-0.13%≤△ω
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