三维微制造方法及高密度三维精细结构

    公开(公告)号:CN1969374A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200480043316.3

    申请日:2004-04-13

    申请人: 瑞必尔

    IPC分类号: H01L21/203

    摘要: 用控制在任意电子束直径和电流密度的电子束辐照在包括简单物质GaAs和InP的AlxGayIn1-x-yAszP1-z(0≤x<1,0≤y和z≤1)衬底的表面上形成的薄膜的表面,以使在GaAs表面上形成的任何自然氧化物膜经历选择性的Ga2O3替代或形成。随后,将所述衬底的温度调整到给定的温度,以便在除了Ga2O3替代的区域以外的区域中实现所述自然氧化物膜的脱离。通过分子束外延生长技术,在其自然氧化物膜脱离侧的衬底上进行III-V族化合物半导体晶体的选择性生长,从而实现衬底密度的提高。因此,可以实现具有沿着晶体生长方向纳米量级均匀的晶体膜厚度的电路图形的在位形成。

    外延晶片及元件
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1750276A

    公开(公告)日:2006-03-22

    申请号:CN200510103639.3

    申请日:2005-09-06

    发明人: 泽田滋 岩崎孝

    IPC分类号: H01L31/10

    摘要: 一种外延晶片,具备基板(3)、缓冲层(9)、受光层(11)、窗层(13)。缓冲层(9)形成于基板(3)上。受光层(11)形成于缓冲层(9)上。受光层(11)由具有比构成基板(3)的材料的晶格常数更大的晶格常数的外延膜构成。窗层(13)形成于受光层(11)上,由被与受光层(11)接触地配置的1层或多层构成。构成窗层(13)的层当中的与受光层(11)接触的层的晶格常数比受光层(11)的晶格常数及缓冲层(9)的晶格常数当中的任意一个较大的晶格常数更小。窗层(13)的厚度在0.2μm以上、2.0μm以下。由此,本发明提供能够实现特性的改善的外延晶片及元件。