-
公开(公告)号：CN113046830A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110213111.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
-
公开(公告)号：CN109888049B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910106988.2
申请日：2019-02-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
-
公开(公告)号：CN106917064A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710082345.X
申请日：2017-02-16
Applicant: 上海大学
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/021 , C23C14/243 , C23C14/5806 , H01L51/001
Abstract: 本发明公开了一种单步原位闪蒸法生长ABX3型钙钛矿薄膜的制备方法，应用于新型材料制造工艺领域。钙钛矿薄膜制备方法如下：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，在衬底上添加加热装置，待真空度达到一定要求之后，在样品衬底温度为一定温度的条件下，采用瞬间快速将电流迅速加至不低于200A，使蒸发舟温度瞬间达到不低于1000℃的温度，材料瞬间升华，最后直接在真空腔体中进行后退火，得到稳定的ABX3型钙钛矿薄膜。本发明采用单步原位闪蒸法制备的钙钛矿薄膜，能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449978A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610536003.6
申请日：2016-07-10
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/0003 , H01L51/0026
Abstract: 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属-半导体-金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的，首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上，然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl)，最后通过退火，使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W，电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。
-
公开(公告)号：CN104952972B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510174196.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。
-
公开(公告)号：CN105679856A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610175611.9
申请日：2016-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0248 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0248 , H01L31/0445 , H01L31/1828
Abstract: 本发明涉及的是一种使用低温溶液法制备出掺杂Mg的ZnO的薄膜窗口层的方法，属于太阳能电池薄膜制备工艺技术领域。在其中使用低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的方法是：通过制备MgO和ZnO混合物纳米颗粒，并将其溶于正丁醇制得的旋涂液，通过旋涂和热成膜处理制得掺杂Mg的ZnO窗口层薄膜。优化制备条件后制得的薄膜窗口层可直接应用到钙钛矿太阳能电池中，并且器件显示出具有一定的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN105161565A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510365436.5
申请日：2015-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/022408 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯过渡层的CdZnTe光电探测器及其制备方法，基于近空间升华方法，通过对沉积的CdZnTe膜进行溴甲醇腐蚀后，采用旋涂工艺在CdZnTe和Au电极之间制备石墨烯过渡层，从而获得CdZnTe光电探测器。本发明CdZnTe光电探测器中增加石墨烯过渡层是一种新型光电探测器结构，有效地避免CdZnTe表面受环境影响，去除CdZnTe表面的杂质和缺陷，提高CdZnTe结晶质量，明显改善CdZnTe与Au电极之间的界面接触，获得更好的欧姆接触，从而降低器件的暗电流，提高器件灵敏度和光电响应。本发明方法具有工艺简单，成本更低，可重复性高，扩大了CdZnTe在光电探测器中的应用范围。
-
公开(公告)号：CN222182384U
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202420211657.1
申请日：2024-01-29
Applicant: 河北龙凤山辰昕新材料科技有限公司 , 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院
Abstract: 一种用于金属表面清洗的真空预处理传输装置，能够通过高压电弧对区熔样件金属棒材进行等离子表面清洗，从而使得被提纯金属表面洁净度大大提高，其特征在于，包括真空预处理腔体，所述真空预处理腔体的上腔盖具有观察窗，所述真空预处理腔体的后侧面与分子泵连接，所述真空预处理腔体内设置有高压电弧放电装置以对待真空区熔金属棒材表面进行等离子清洗，所述真空预处理腔体的底侧面设置有为所述高压电弧放电装置接入电源的电极，所述真空预处理腔体的右侧面通过送样杆法兰连接磁力送样杆，所述真空预处理腔体的左侧面设置有用于连接超高真空区熔工艺室的传输口法兰。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.021 seconds)
