公开(公告)号：CN102311717B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010222586.8

申请日：2010-06-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明公开了一种高硬度微米研磨液及其配制方法，该研磨液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、无机盐混合物、有机物PEG200、氨水、丙酸和去离子水配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～2.0％，氧化铝微粉0.2～5.0％，无机盐混合物0.2～5.0％，PEG2000.5％～10％，氨水0.01～1％，丙酸0.01～1％，去离子水78～98.5％。本发明同时公开了一种配制上述研磨液的方法。利用本发明提供的这种一种高硬度微米研磨液及其配制方法，调配出的研磨液采用高硬度微米级磨料，使用效果理想，各项机械性能指标均衡，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求。

公开(公告)号：CN102832145A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210319726.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗卫军 ,  陈晓娟 ,  杨成樾 ,  刘新宇

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法，采用两级LCL输入匹配的封装方式，降低了输入匹配电路的Q值，从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率，此外，本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内，保证了物理连接的牢固性，并增加了功率器件的热导率。

公开(公告)号：CN102311706A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010223346.X

申请日：2010-06-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种纳米级抛光液及其调配方法，该抛光液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、硅胶、表面活性剂、分散剂、润滑剂、化学pH值调节剂和溶剂配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～10％，氧化铝微粉0.1～5％，硅胶0.1～10％，表面活性剂0.3～10％，分散剂0.05～4％，润滑剂0.5％～1％，化学PH值调节剂0.01～1％，溶剂60～98.2％。本发明同时公开了一种配制上述抛光液的方法。利用本发明，调配出了采用纳米级金刚石和氧化铝，硅胶的混合浆液，实现了理想的抛光效果，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求，为半导体抛光工艺提供了良好的技术手段。

公开(公告)号：CN112906226B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202110205653.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 程奎 ,  罗卫军 ,  张荣华 ,  韦春 ,  夏志颖 ,  闫伟 ,  来龙坤 ,  蒋鑫 ,  陈晓娟

IPC: G06F30/20 ,  G01D21/02 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。

公开(公告)号：CN115132837A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110321049.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张尚伟 ,  魏珂 ,  张昇 ,  陈晓娟 ,  张一川 ,  郑英奎 ,  黄森 ,  王鑫华 ,  刘新宇

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在钝化处理过程中保护异质结构不受损伤，抑制栅极漏电，从而提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的异质结构；异质结构具有源/漏极形成区和栅极形成区；源/漏极形成区和栅极形成区之间具有间隔；形成在源/漏极形成区的源/漏极；形成在栅极形成区和间隔上的钝化保护层；形成在钝化保护层位于栅极形成区的部分上的栅极；覆盖在栅极和钝化保护层上的钝化层；钝化层保护层用于隔离钝化层和异质结构。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。

公开(公告)号：CN114497208A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011275475.3

申请日：2020-11-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张昇 ,  魏珂 ,  陈晓娟 ,  刘新宇

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开提供一种高电子迁移率晶体管器件及测试方法，该器件包括：源极(6)，其与源极测试电极布局(13)连接；漏极(7)，其与漏极测试电极布局(14)连接；栅极(8)，其位于源极(6)和漏极(7)之间，与栅极测试电极布局(15)连接；场板(10)，其位于栅极(8)和漏极(7)之间，与场板测试电极布局(16)连接；其中，源极测试电极布局(13)、漏极测试电极布局(14)、栅极测试电极布局(15)及场板测试电极布局(16)相互之间电气绝缘。该器件可将射频信号和直流信号分开添加偏置，用以提升器件的功率效率特性；另外，场板偏置在不同状态下，对栅下电场具有不同的抑制效果，提高了器件工作电压，进一步实现高功率应用。

公开(公告)号：CN103956552A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410156412.4

申请日：2014-04-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈晓娟 ,  吴旦昱 ,  李滨 ,  刘新宇

IPC: H01P5/12

Abstract: 本发明公开了一种微波功率分配器，包括相互连通成一体的耦合腔和矩形波导腔，以及耦接于耦合腔的偶数个耦合器，耦合腔外形呈正四棱柱形状，该正四棱柱的一侧面的中央部分在矩形波导腔终端短路面处与矩形波导腔相接并连通，在该侧面的相对侧面开有偶数个窗口，每个窗口中耦接一个用于耦合微波信号的耦合器；矩形波导腔为该微波功率分配器的主路端口，偶数个耦合器为该微波功率分配器的支路端口，且所有支路端口为等分端口。本发明提供的微波功率分配器合成效率高，插入损耗小，能够获得良好的输入输出驻波和宽频带特性，并且加工简单、装配方便，能够在实现波导到微带过渡的同时完成功率分配，或者在微带到波导过渡的同时完成功率合成。

公开(公告)号：CN103928301A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410156492.3

申请日：2014-04-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈晓娟 ,  袁婷婷 ,  罗卫军 ,  和致经 ,  刘新宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/60

Abstract: 本发明公开了一种金属-介质-金属结构电容的制作方法，包括：在基板上涂光刻胶，并对光刻胶进行光刻、显影，在基板上形成下极板图形；在形成下极板图形的基板上蒸发多层金属，形成金属-介质-金属电容的下极板；在形成下极板的基板上淀积介质层；在淀积有介质层的基片上全片匀光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，在光刻胶上形成开孔；然后刻蚀去除开孔处的介质层，并将基片放入丙酮溶液中，去除光刻胶；在基片上全片匀光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，在光刻胶上形成上极板图形，然后在基片表面溅射起镀层；对溅射起镀层的基片整片涂覆光刻胶，对光刻胶进行光刻、显影，形成上极板图形以及压点图形；然后将基片放入电镀液中进行电镀，并将电镀完成的基片放入丙酮溶液中剥离，形成空气桥图形、电容上极板以及压点。

公开(公告)号：CN102542077B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201010589028.5

申请日：2010-12-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  蒲颜 ,  庞磊 ,  袁婷婷 ,  罗卫军 ,  陈晓娟

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。

公开(公告)号：CN102118133B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910312949.4

申请日：2009-12-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗卫军 ,  陈晓娟 ,  刘新宇

IPC: H03F1/56

Abstract: 本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路，属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯，输入匹配电路的输出端和GaN高电子迁移率晶体管的管芯相连，并联RC稳定网络的输入端与50Ω系统相串联，其输出端和输入匹配电路的输入端相串联。本发明具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路在保证电路稳定性的同时，减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗，从而提高了器件的功率增益和输出功率。