公开(公告)号：CN112466953A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011366925.X

申请日：2020-11-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 高林春 ,  曾传滨 ,  闫薇薇 ,  李晓静 ,  李多力 ,  单梁 ,  钱频 ,  张颢译 ,  倪涛 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将场氧隔离区与SOI衬底的埋氧层之间的夹角处的掺杂浓度提升，有效抑制器件关态漏电增大问题，显著提高器件的可靠性和工程应用水平。

公开(公告)号：CN112466949A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011358006.8

申请日：2020-11-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 曾传滨 ,  高林春 ,  李晓静 ,  闫薇薇 ,  单梁 ,  李多力 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。

公开(公告)号：CN118841811A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202310447298.X

申请日：2023-04-24

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 辛鸿哲 ,  王磊 ,  赵泓达 ,  窦润嵩 ,  陆芃 ,  高林春 ,  李博

IPC分类号： H01S3/00 ,  H01S3/13

摘要： 本申请涉及激光技术领域，具体而言，涉及一种激光的发射装置和方法。激光的发射装置包括：激光发射器；激光功率控制模块；脉冲展宽补偿模块；光纤耦合模块，激光功率控制模块可以实现对激光器出射不同波长激光的功率控制，脉冲展宽补偿模块使得光谱中的低频分量比高频分量产生更大的延迟，从而引入负群延时色散与光纤传输过程中产生的正群延时色散相抵消，补偿脉冲展宽效应，避免入射基波失真，提高SHG信号的产生效率和SHG表征的准确度。

公开(公告)号：CN116719146A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310678797.X

申请日：2023-06-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 窦润嵩 ,  李博 ,  王磊 ,  高林春 ,  朱慧平 ,  韩郑生

IPC分类号： G02B7/198 ,  G01N21/01

摘要： 本发明提供了一种用于改变入射角的光路调节装置及光路调节系统，该装置中圆弧形导轨所在平面与样品台所在平面垂直，可转动镜架结构在第一方向上延伸，其第一端固定在圆弧形导轨上且基于圆弧形导轨运动，第二端沿第一方向延伸至圆弧形导轨的旋转轴，且在旋转轴上保持不变，以使可转动镜架结构绕旋转轴旋转，第一方向平行于圆弧形导轨所在平面；光源发出的第一入射光与旋转轴重合，无需改变光源的位置；并且可转动镜架结构将与旋转轴重合的第一入射光转化为第一方向上的第二入射光，不改变光的特性，第二入射光随着可转动镜架结构绕旋转轴旋转而移动，从而在不改变光源和样品位置、不改变光束特性的情况下，改变光束射向样品的入射角。

公开(公告)号：CN112466953B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202011366925.X

申请日：2020-11-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 高林春 ,  曾传滨 ,  闫薇薇 ,  李晓静 ,  李多力 ,  单梁 ,  钱频 ,  张颢译 ,  倪涛 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种H型体接触SOI MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：SOI衬底；位于SOI衬底上的有源区和有源区外围的场氧隔离区，位于有源区边缘的场注入区；其中，有源区包括：源区、漏区、P阱、H型栅区以及体接触区，源区、漏区分别位于H型栅区开口处，P阱位于源区和漏区之间，体接触区位于H型栅区宽度方向的两端；体接触区上设置有注入窗口,定义为高浓度注入区，高浓度注入区包括场注入区，高浓度注入区使得场氧隔离区与SOI衬底埋氧层之间夹角处的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，通过将场氧隔离区与SOI衬底的埋氧层之间的夹角处的掺杂浓度提升，有效抑制器件关态漏电增大问题，显著提高器件的可靠性和工程应用水平。

公开(公告)号：CN115184761A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210804575.3

申请日：2022-07-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李逸帆 ,  罗家俊 ,  韩郑生 ,  倪涛 ,  王娟娟 ,  高林春 ,  曾传滨 ,  钱频 ,  王玉娟 ,  卜建辉

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种半导体器件自加热效应的散热测试方法及系统，双脉冲测量方式通过改变双脉冲间隔时长(冷却时长)来控制散热量，通过监测半导体器件输出电流与双脉冲间隔时长之间的相关性，在时域中观察自加热效应余热引起的电流变化，可准确表征出器件散热的真实情况；并且由于在采集电压值时，是采集脉冲信号0～100ns时间段对应的电压检测值，相当于是自加热效应刚刚开始时采集的电压检测值，自加热效应刚刚开始产生的热量对散热测试的影响很微弱，可以忽略不计，因此可克服自加热效应对散热测试过程的影响，进一步提高散热测试的准确性及精度。

公开(公告)号：CN115112966A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110308165.5

申请日：2021-03-23

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 詹强华 ,  岂飞涛 ,  李博 ,  罗家俊 ,  曾传滨 ,  高林春 ,  刘海南 ,  滕瑞 ,  赵发展

IPC分类号： G01R31/00

摘要： 本发明公开了一种辐射效应测试方法及系统，用于对待测电压源模块的辐射效应进行测试，包括：待测电压源模块处于未被辐射源模块辐射的状态时，待测电压源模块输出的第一输出电压为模数转换模块提供第一参考电压信号，模数转换模块采集固定模拟信号并将固定模拟信号转换成第一数字信号；待测电压源模块处于被辐射源模块辐射的状态时，待测电压源模块输出的第二输出电压为模数转换模块提供第二参考电压信号，模数转换模块采集固定模拟信号并将固定模拟信号转换成第二数字信号；根据第一数字信号和第二数字信号得到第二输出电压与第一输出电压的电压差，以获得待测电压源模块的辐射效应。本方法能够捕捉到辐射效应下电压源的微小输出变化。

公开(公告)号：CN109884414B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910070909.7

申请日：2019-01-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 闫薇薇 ,  曾传滨 ,  高林春 ,  李晓静 ,  倪涛 ,  李多力 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： G01R29/24

摘要： 本发明公开了一种高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，包括M个高能粒子捕获模块、M个信号放大模块以及M个信号探测模块，M为不小于2的正整数；所述高能粒子捕获模块包括N个并联的场效应晶体管，所述场效应晶体管用于捕获高能粒子，并在捕获到高能粒子时产生流过自身的瞬态电流信号，使所述高能粒子捕获模块的输出端的电位发生变化，N为正整数；所述信号放大模块用于放大对应的高能粒子捕获模块的输出端的电位变化，产生放大信号；所述信号探测模块用于探测对应的信号放大模块产生的放大信号，并在探测到所述放大信号时输出测试信号。本发明提供的高灵敏度高能粒子离化电荷测试电路，能够测试高能粒子离化电荷云半径及影响范围。

公开(公告)号：CN112491020A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011277025.8

申请日：2020-11-16

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 李晓静 ,  曾传滨 ,  高林春 ,  闫薇薇 ,  倪涛 ,  王加鑫 ,  李多力 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： H02H9/00 ,  H02H9/02

摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种绝缘体上硅电路静电放电防护钳位电路，用于要求控制端口和数据端口均不能与电源之间存在放电通路以及电源和OUT端口仅允许串联两个及更多MOS管的电路；包括：端口PAD、第一、第二、第三、第四、第五静电阻抗器以及伪电源；端口PAD通过第一静电阻抗器连接伪电源；端口PAD通过第二静电阻抗器接地；端口PAD还通过第三静电阻抗器接地；端口PAD还依次通过第五以及第四静电阻抗器接地；第一静电阻抗器与伪电源的连接点通过第三静电阻抗器接地；其中，第五与第四静电阻抗器的连接点设置有防护对象连接端口。本发明提供的静电放电防护钳位电路在满足电路冷备份特性需求的前提下，提高电路静电放电防护性能。

公开(公告)号：CN112466951A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011363637.9

申请日：2020-11-27

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 高林春 ,  曾传滨 ,  李晓静 ,  闫薇薇 ,  李多力 ,  单梁 ,  钱频 ,  张颢译 ,  倪涛 ,  罗家俊 ,  韩郑生

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种MOS器件及避免MOS器件寄生晶体管开启的方法，包括：硅衬底、位于硅衬底上方的场氧区、有源区、阱区、体引出区、栅介质层及H型栅条；位于有源区边缘的场注入区；有源区包括源区、漏区以及沟道区，体引出区设置于H型栅条宽度方向的一侧；体引出区上设置有注入窗口，场氧区背面与硅衬底之间的交界面区域为重掺杂区域；重掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度；二次离子注入的深度大于或等于源区及漏区的离子注入深度；如此，通过在体引出区上方增加一个窗口，沿注入窗口进行二次离子注入，确保场氧区边缘具有足够高的掺杂浓度，不会导致寄生晶体管开启，从而抑制MOS器件的关态漏电，提高MOS器件的电学特性。