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公开(公告)号：CN102812537A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201080065662.7
申请日：2010-12-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02008 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/7395
Abstract: 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。
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公开(公告)号：CN102598211A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004204.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面，并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后，对第一和第二正面进行抛光。然后，去除填充部40。然后，形成用于封闭间隙的封闭部。这样，在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中，能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。
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公开(公告)号：CN102471929A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002884.9
申请日：2011-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L29/24
Abstract: 第一圆形表面(11)包含具有第一形状的第一凹口部(N1a)。第二圆形表面(21)与所述第一圆形表面对向且包含具有第二形状的第二凹口部(N2a)。侧面(31)将所述第一圆形表面(11)与所述第二圆形表面(21)彼此连接。所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此对向。所述侧面(31)具有将所述第一凹口部(N1a)与所述第二凹口部(N2a)彼此连接的第一凹陷部(Da)。
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公开(公告)号：CN102379024A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080014869.1
申请日：2010-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L21/02667 , H01L21/047 , H01L29/66068
Abstract: 第一碳化硅衬底(11)，其具有第一表面(F1)和第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有第二正面(F2)和第二侧面。所述第二侧面被设置成使得在所述第一和第二侧面之间形成间隙，该间隙具有在所述第一和第二碳化硅衬底(11，12)的第一和第二正面(F1，F2)之间的开口。在所述开口上方提供用于封闭所述间隙的封闭部(70)。将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积在所述封闭部(70)之上，形成用于连接所述第一和第二侧面的连接部(BDa)以便封闭所述开口。在形成所述连接部(BDa)的步骤之后，去除所述封闭部(70)。
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公开(公告)号：CN114761628B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080082070.X
申请日：2020-11-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相对的第二主面。碳化硅衬底包含螺旋位错和凹坑，所述凹坑在与第一主面平行的方向上的最大直径为1μm以上且10μm以下。在对第一主面观测螺旋位错和凹坑的情况下，凹坑的数量除以螺旋位错的数量而得到的比率为1％以下。在第一主面中，镁的浓度小于1×1011原子/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113825863B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202080034932.1
申请日：2020-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/205
Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×1011原子/cm2以下。
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公开(公告)号：CN111788339B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201880090463.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。
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公开(公告)号：CN113811643A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034953.3
申请日：2020-04-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本公开内容所涉及的碳化硅衬底具有主面。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。在主面中，钠、铝、钾、钙、钛、铁、铜和锌各自的浓度小于5×1010原子/cm2的区域的总面积为主面的面积的95％以上。
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公开(公告)号：CN111029401A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911171795.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L29/04 , H01L29/78 , H01L21/04 , H01L21/02 , C23C14/18 , C23C14/48 , C23C14/58 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 提供一种碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件及其制造方法。碳化硅单晶衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。第一主表面包括中心正方形区域和外部正方形区域。当从厚度方向观察时，中心正方形区域和外部正方形区域中的每个都具有15mm长度的边。第一主表面具有不小于100mm的最大直径。碳化硅单晶衬底具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域中的LTIR除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域中的LTV除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于1且不大于2。提供碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件及其制造方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
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公开(公告)号：CN110660840A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910821706.7
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/16 , H01L21/02 , B24B1/00 , B24B9/00 , B24B9/06 , B24B19/22 , B24D3/28 , B24D5/02 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/64 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。
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