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公开(公告)号：CN108640532A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810560496.6
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC分类号： C03C17/36 , H01L31/0236
CPC分类号： Y02E10/50 , C03C17/3657 , C03C17/3644 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , H01L31/02366
摘要： 本发明公开一种薄膜太阳能电池用陷光玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、将玻璃基底浸入食人鱼溶液，清洁玻璃基底；S2、将玻璃基底置于磁控溅射腔室内，采用Ar离子束轰击玻璃基底表面进一步清洁玻璃基底；S3、采用Al掺杂浓度为0.5～1.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺，溅射生长第一AZO薄膜；S4、采用Al掺杂浓度为1.5～2.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长第二AZO薄膜；S5、采用Ag靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长Ag薄膜；S6、采用Al掺杂浓度为2.5～3.5 wt%的AZO靶作为靶材，以射频直流耦合溅射工艺溅射生长第三AZO薄膜；本方法能提高陷光玻璃的雾度及电学性能，获得透过率高且具有陷光功能的AZO透明导电玻璃。
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公开(公告)号：CN108560051A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810560607.3
申请日：2018-06-04
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明公开一种具有缓冲层的ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗单晶硅衬底,去除单晶硅衬底表面的油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备,以Al靶为靶材，将单晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar以及反应气体N2，在单晶硅衬底表面溅镀AlN缓冲层；S3、以Al靶与ZnO靶为靶材，在AlN缓冲层表面溅镀由AlN与ZnO构成的复合缓冲层；S4、以ZnO靶为靶材，在复合缓冲层表面溅镀ZnO膜层，得到具有缓冲层的ZnO薄膜；避免了ZnO膜层直接与单晶硅衬底进行接触，提高了镀制的ZnO膜层的结晶质量；整个过程就是简单的磁控溅射镀膜，过程简单，可控性、重复性较高。
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公开(公告)号：CN108468033A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810570793.9
申请日：2018-06-05
申请人： 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种耐高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，包括现有金属基底，其特征在于：在金属基底上，从下到上还分别有三层：高红外反射层、吸收层和减反射层；所述高红外反射层为Al、Au、Ag、Ti、Cr、Ni任一种金属的涂层；吸收层自下而上依次包括高折射率吸收层TiCrN膜和低折射率吸收层TiCrNxOy膜；减反射层自下而上依次包括Cr2O3膜和SiO2膜，采用磁控溅射法进行镀膜。本发明的有益效果：1.本发明制得的涂层，具有吸收效率高、发射率低、热稳定性好的特点；2.太阳光谱吸收率α与发射率ε(T)之比高，适合350℃以上的高温应用；3.制作工艺简便。
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公开(公告)号：CN107611188A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710796298.5
申请日：2017-09-06
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法，包括以下步骤：S1、在玻璃衬底表面室温下溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用线棒刮涂法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的聚苯乙烯小球掩膜层；S3、采用射频磁控溅射工艺，利用聚苯乙烯小球掩膜层作为掩膜，在下ZnO基薄膜表面室温下溅射生长上ZnO基薄膜；上ZnO基薄膜的厚度小于聚苯乙烯小球的直径；S4、通过乙醇浸泡处理，去除聚苯乙烯小球掩膜层以及聚苯乙烯小球掩膜层上方的ZnO基薄膜，使上ZnO基薄膜表面形成一组离散分布的球坑，得到表面呈凹凸织构化结构的多层膜透明导电玻璃；本方法能够得到高透过率、低电阻的透明导电玻璃，并且其表面微结构可控。
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公开(公告)号：CN107365089A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710804919.X
申请日：2017-09-08
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： C03C17/36
CPC分类号： C03C17/36 , C03C17/3618 , C03C17/3626 , C03C17/3639 , C03C17/3642 , C03C17/3644 , C03C17/3649 , C03C17/3652 , C03C17/366 , C03C2218/156
摘要： 本发明涉及一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板（1），自玻璃基板表面向外采用磁控溅射法依次沉积第一电介质层（2）、第一保护层（3）、低辐射功能膜层（4）、第二保护层（5）、第二电介质层（6）,其特征在于在第二电介质层上面制有第三保护层（7），第三保护层为非晶碳DLC膜或氮化碳CN膜层，厚度为10-25nm。本发明具有以下优点和效果：本发明通过在低辐射镀膜玻璃最外侧增加一层非晶碳DLC膜或氮化碳CN膜，并且厚度相对较薄，因此在保证低辐射镀膜玻璃光学性能变化不大的情况下，可以显著提高其抗磨损、抗化学腐蚀等特性，从而解决毛刷清洗以及化学侵蚀对低辐射镀膜玻璃的影响。
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公开(公告)号：CN106756845A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188591.5
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/0605
摘要： 本发明公开了一种可作为滑动元件表层涂层的掺杂DLC膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的Si衬底置于样品基架上。（2）以氮气作为起辉气体，轰击靶材，达到去除表面杂质和活化靶材的目的。（3）同时氮气也作为反应气体——掺杂源，通过反应实现DLC薄膜的掺杂。本发明通过以氮气同时作为起辉和反应气体，改变工艺参数较少，可根据实际需要制备出可作为滑动元件表层涂层的低摩擦系数的N掺杂DLC膜。
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公开(公告)号：CN106671509A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611188631.6
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： B32B15/04 , B32B27/06 , B32B27/36 , B32B33/00 , B32B2307/40
摘要： 本发明公开一种光谱选择反射型隔热膜，包括由下至上依次层叠的聚酯膜基层、下硫化锌层、下铝钛合金层、金属层、上铝钛合金层、上硫化锌层与减反增透层；所述聚酯膜基层为厚度1～30μm的无色透明薄膜；所述上硫化锌层与下硫化锌层的厚度为10～100nm；上铝钛合金层与下铝钛合金层的厚度为1～50nm；金属层为厚度1～30 nm的铝层或银层；减反增透层的厚度为100～300nm；减反增透层单分散介孔空心二氧化硅球薄膜；采用具有高折射率的硫化锌层作为介质层，形成D/M/D的结构，增加隔热膜的光谱选择性；通过在金属层两侧设置铝钛合金层，以减缓金属层的氧化、凝聚和扩散现象；利用单分散介孔空心二氧化硅球薄膜作为减反增透层从整体上提高隔热膜的可见光透过率。
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公开(公告)号：CN106637117A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611188589.8
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/083
摘要： 本发明公开了一种高效氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；（2）采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，即射频电源与匹配器相连接后与直流电源一起连接至滤波器，滤波器直接连接阴极，射频电源和直流电源一起供电给阴极。本发明采用直流耦合射频磁控溅射的方法沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到沉积速率快，膜层质量高的薄膜。本发明工艺简单，条件易控，制备周期短，易于规模放大。制备的氮掺杂二氧化钛薄膜结晶度高，与基底结合牢固，稳定性好，可重复使用。
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公开(公告)号：CN106591789A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188145.4
申请日：2016-12-21
申请人： 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司 , 安徽省包装印刷产品质量监督检验中心
摘要： 本发明公开一种直接制备绒面AZO薄膜的方法，包括采用直流磁控溅射工艺，将玻璃衬底加热至300℃后，在玻璃衬底上溅射厚度为180～220nm的底层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在底层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的中间层AZO薄膜；关闭磁控溅射装置，使玻璃衬底冷却至室温；将玻璃衬底由室温加热至300℃后，在中间层AZO薄膜上溅射厚度为180～220nm的顶层AZO薄膜，最终得到层叠的绒面AZO薄膜；在反复的冷却和加热过程中，晶粒尺寸大幅度增加，使得每层AZO薄膜表面都呈凹凸结构，三层叠加后，得到具有绒面织构的AZO薄膜；本发明舍弃了传统的蚀刻方式，能够避免薄膜材料的消耗，节省生产成本，并且保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN104465890A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410842463.2
申请日：2014-12-25
申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0236
摘要： 一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀，使所述玻璃基片表面具有绒面结构；并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450～750纳米的AZO薄膜，从而得到绒面结构的AZO薄膜。本发明开发了一种新的用于薄膜太阳能电池前电极的绒面AZO薄膜的制备方法，先采用离子束技术，对玻璃基片表面进行刻蚀处理，获得绒面结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积具有绒面结构的AZO薄膜，避免了现有刻蚀技术中对膜层厚度的浪费，同时也避免了湿法刻蚀工艺中产生的废酸腐蚀液对环境造成的污染。
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