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公开(公告)号：CN118688115A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410828461.1
申请日：2024-06-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独成像，得到检测图像，通过处理器对各个检测图像进行运算和判断等操作，得到每个检测图像中待检测衬底的缺陷详细信息，即缺陷的数量信息和尺寸信息；以及得到待检测衬底的缺陷分布示意图。本发明综合运用反射、透射光学原理和旋转取样法，检测得到待检测衬底上表面和下表面的缺陷详细信息，整合得到缺陷分布示意图。达到了对半导体衬底双面的边缘瑕疵进行精准量化、精确定位并输出的效果。
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公开(公告)号：CN114734333A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210481041.1
申请日：2022-05-05
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种倒角方法，包括以下步骤：根据待加工晶片的材质选择与待加工晶片适配的砂轮类型；将待加工晶片和选择的砂轮均安装于倒角装置上；将待加工晶片和砂轮进行原点对刀操作；在倒角装置上设置砂轮的运动方向为第一方向和第二方向，同时设置待加工晶片的运动方向为第三方向；根据待加工晶片的不同材质，设置砂轮的转速为不同转速；根据待加工晶片的不同的轮廓形貌，在倒角装置上设置不同的加工参数，对待加工晶片的原点至待加工晶片上端面的位置进行倒角；以对待加工晶片的原点至待加工晶片下端面的位置进行倒角。上述倒角方法可加工出不同的待加工晶片的不同的轮廓形貌，减少砂轮的更换频率，提升加工效率，而避免端面毛刺的现象出现。
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公开(公告)号：CN118342349A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410624060.4
申请日：2024-05-20
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体的加工方法。在执行方法时，通过晶体外圆加工、晶体粘接、晶体平面加工、晶体定向和定位边加工等步骤，加工工序简单，加工成功率高，可以实现大尺寸碳化硅晶体的生产，并且在晶体外圆加工时利用第一磨削装置通过双向自动进刀的方式对单晶碳化硅晶体的外表面进行外圆磨削加工，得到圆柱形结构的碳化硅单晶锭，可以提高了砂轮与晶体接触次数，保障加工的效率。如此，可以实现在加工大尺寸碳化硅晶体时同时确保高质量与高效率。
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公开(公告)号：CN117381602A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311326491.4
申请日：2023-10-13
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种碳化硅晶体加工设备及加工方法，该设备包括：设备底座、第一立柱、第二立柱、第一悬臂、第二悬臂、设备工作台、测量模块、主轴、砂轮模块以及磨床控制系统；设备工作台用于固定待加工碳化硅晶体，并按照预设移动轨迹移动至测量模块的测量工作区域或砂轮模块的加工区域；测量模块用于测量待加工碳化硅晶体的晶面角度偏差值，并将晶面角度偏差值反馈至磨床控制系统，以使得磨床控制系统基于晶面角度偏差值控制设备工作台进行台面角度调整以及控制砂轮模块对待加工碳化硅晶体进行磨削加工。由此，本申请实施例提供的设备实现在一台设备内对碳化硅晶体的晶面测量、调整、加工、校验的功能，加工精度提高，且加工效率得到保障。
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公开(公告)号：CN114990696B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210573832.7
申请日：2022-05-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN116408720A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111642211.1
申请日：2021-12-29
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/30 , B24B49/00 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B53/017 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种抛光设备，包括加压模块和承载盘，所述承载盘设置有研磨区，所述加压模块用于将晶圆压紧在所述研磨区上；所述研磨区与所述加压模块的施力部之间形成凹陷结构，以将所述加压模块施加于晶圆的力分散至所述施力部的中心或者边缘。本发明提供的抛光设备，在加压模块通过施力部压紧晶圆至承载盘上的研磨区时，将研磨区与施力部之间形成凹陷结构，压力会由于凹陷结构的存在而分散至施力部的中心或边缘，从而使施力部从晶圆四周对晶圆施加压力，解决了晶圆由于一侧受力大而在加工过程产生偏斜的问题。本发明还公开了一种抛光设备的加工方法。
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公开(公告)号：CN115091544A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210737736.1
申请日：2022-06-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种抛光垫打孔装置，包括外壳、打孔柱和抛光垫支撑腿；外壳内设有气动活塞；外壳设有外置接口，用于外接气泵；打孔柱的第一端固定于气动活塞，第二端伸出外壳外，且第二端处安装有打孔头；打孔柱和外置接口位于气动活塞两侧；抛光垫支撑腿固定于外壳，并且抛光垫支撑腿和打孔柱的第二端位于外壳的同侧。上述抛光垫打孔装置中，气动活塞安装有打孔柱，能通过气动方式驱动气动活塞移动，从而使打孔柱的打孔头对布置于抛光垫支撑腿的抛光垫进行打孔，相比于现有技术中人工打孔的方式，避免人工利用锤子和钉子多次敲击抛光垫进行打孔，能显著提高效率，避免影响产品的研抛进度。本发明还提供应用上述抛光垫打孔装置的自动供液研抛设备。
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公开(公告)号：CN114990696A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210573832.7
申请日：2022-05-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。
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公开(公告)号：CN105780107A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410795960.1
申请日：2014-12-18
申请人： 中国科学院物理研究所 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法以及用于碳化硅晶体生长的方法。所述提高碳化硅晶体生长质量的籽晶处理方法包括下列步骤：1)在用于碳化硅晶体生长的籽晶的生长面的背面镀上高温薄膜；以及2)将通过步骤(1)得到的镀膜籽晶在高温下退火。所述用于碳化硅晶体生长的方法包括将镀膜籽晶以镀膜面朝向坩埚盖的底部的方式固定在坩埚盖上，并且通过物理气相传输法进行碳化硅晶体生长。根据本发明，通过在用于碳化硅晶体生长的籽晶的生长面的背面镀上一层致密的耐高温薄膜，可以抑制碳化硅晶体生长过程中的背向蒸发，减少平面六方空洞等缺陷，从而提高碳化硅晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN118737813A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410816810.8
申请日：2024-06-24
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 深圳市重投天科半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 一种去除碳化硅晶片表面金属杂质的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片依次进行H2SO4‑H2O2清洗液清洗、第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HCl‑H2O2‑H2O清洗液清洗、HF‑H2O2‑H2O清洗液清洗、第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液清洗，干燥后得到清洗后的碳化硅晶片；所述第一NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为0.5～2wt％；所述第二NH4OH‑H2O2‑H2O清洗液中NH4OH的浓度为0.5～2wt％，H2O2的浓度为5～7.5wt％。本发明采用多种特定清洗液进行多步清洗，实现整体较好的相互作用，在保证清洗颗粒效果较好的状态下，Na、Mg、Al、K、Ca、Fe、Zn等金属含量可稳定控制在5E10atoms/cm2以内，并大大增加清洗液使用时间，减少消耗，降低成本。
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