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公开(公告)号：CN108349117A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680061868.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B29B15/10 , B29C43/02 , C08J5/04 , B29K23/00 , B29K105/08
CPC classification number: C08J5/042 , B29B15/125 , B29C43/02 , B29C70/20 , B29C70/30 , B29K2023/12 , B29K2105/0881 , B29K2307/04 , C08J5/04 , C08J2351/06
Abstract: 一种热塑性复合材料和成型体，该热塑性复合材料由多根强化纤维沿规定方向被排列整齐而成的浸渗聚丙烯乳液的纤维束构成，其满足下述(1)～(4)的条件。(1)上述热塑性复合材料的孔隙率为3％以下，(2)上述热塑性复合材料的纤维体积含有率为40％以上且70％以下，(3)使强化纤维的方向一致地朝向一个方向而将多个上述热塑性复合材料层叠所得到的层叠体的、依据JIS K7074测定的相对于纤维轴向弯曲时的弯曲强度为250MPa以上，弯曲弹性模量为90GPa以上，以及(4)在对上述弯曲强度进行N＝5以上的测定时，依据JIS K7074求出的变异系数为7％以内。
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公开(公告)号：CN102511077A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080005501.9
申请日：2010-11-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J201/02
CPC classification number: C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供一种粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，即使在粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。本发明的粘合薄膜，其特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。此外，本发明的半导体晶片加工用胶带，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。
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公开(公告)号：CN101569002B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880001288.7
申请日：2008-07-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J7/40 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T428/1467 , Y10T428/28 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带(10)，其具有：长条状的分型膜(11)；粘接剂层(12)，其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状；粘合膜(13)，其具备：具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b)；支承构件(14)，其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部，其中，支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN102250555A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010179460.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用带，通过使粘合剂层和粘接剂层之间的剥离容易，提高拾取工序的半导体芯片的拾取成功率，同时，可以防止由增大销的顶起力及顶起高度而引起的薄的半导体芯片的破损。晶片加工用带(10)具有由基材膜(12a)和粘合剂层(12b)构成的粘合膜(12)、层叠于粘合膜(12)上的粘接剂层(13)。粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)为0.9(N)以下，且粘接剂层(13)的80℃时的胶粘力(A)和粘合剂层(12b)的80℃时的胶粘力(B)的胶粘力比(A/B)在6.0以上且7.0以下的范围内。
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公开(公告)号：CN102237259A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010168146.9
申请日：2010-04-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种可以抑制在拾取工序中邻接芯片一同拾起的双芯片错误的产生的晶片加工用带。所述晶片加工用带10具有由基材膜12a和粘合剂层12b构成的粘合膜12、和粘接剂层13。将粘接剂层13的厚度设为t(ad)[μm]、80℃下的储存弹性模量设为G’(80ad)、tanδ设为tanδ(80ad)、粘合膜(12)的厚度设为t(film)、80℃下的tanδ设为tanδ(80film)时，用式(1)表示的值A为0.043以上。…式(1)，粘接剂层13受到切割刀21压入的力时，粘接剂层13不易变形，粘接剂层13从半导体芯片2的溢出减少。由此，粘接剂层13不进行再熔接。
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公开(公告)号：CN102206469A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110080346.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用胶带，其具有适于通过扩张来截断接合剂层的工序的均匀扩张性，且在加热收缩工序中显示充分的收缩性，加热收缩工序后不会因松弛引起不良情况。作为通过扩张将接合剂层(13)沿芯片截断时所用的可扩张的晶片加工用胶带10的基材膜11，使用JIS K7206中规定的维氏软化点为50℃以上且不足90℃、热收缩所致的应力增大在9MPa以上的热塑性交联树脂。
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公开(公告)号：CN102070991A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010283488.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/68
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体芯片与引线框或封装基板等之间粘接力优异、且能捕获粘接剂层内部的离子性杂质的薄片状粘接剂、及使用该薄片状粘接剂制作的晶片加工用胶带、以及使用该薄片状粘接剂制作的半导体装置。薄片状粘接剂12含有利用螯合剂改性的螯合物改性固化树脂作为粘接剂层组合物，并且螯合物改性环氧树脂相对于固化树脂成分的配合比例为10质量％以下，且相对于固化树脂成分量100质量份，重均分子量为10万以上的高分子量化合物成分量为40～100质量份。
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公开(公告)号：CN101814432A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010117459.1
申请日：2010-02-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/68
CPC classification number: H01L2224/29014
Abstract: 本发明提供不增加材料成本或制造工序，能够以简单的结构，充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下，即：在标记部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中，从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时，外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长，减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力，由此抑制转印痕的发生。
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公开(公告)号：CN1993809B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580026540.6
申请日：2005-08-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2479/08 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/73104 , H01L2224/73203 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83851 , H01L2224/90 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , Y10T156/1052 , Y10T156/1062 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , H01L2224/13099 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665
Abstract: 一种晶片加工带，包括形成于基底膜(1)上的可移除的粘合剂层(2)与粘接剂层(3)。在抛光工艺中，在所述带粘合到具有突起金属电极(4)的晶片电路基板的状态下，研磨晶片电路基板(5)的背面。在划片工艺中，将该晶片电路基板分为芯片。在拾取该分开的芯片中，其中在该粘接剂层(3)从基底膜(1)剥离而接合到芯片的状态下拾取所述芯片。
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公开(公告)号：CN100463114C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200480028647.X
申请日：2004-12-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2891 , Y10T428/298 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶片加工带，其中接合层(1)和粘性粘合层(2)设置在基体材料膜(3)表面上。该晶片加工带具有满足B＞A的区域和满足A＞B的区域，其中A是基体材料膜(3)与接合层(1)之间的分离力，B是被附着的体(4)与接合层(1)之间以及被附着的体(5)与粘性粘合层(2)之间的分离力。在拾取中，在满足B＞A的区域中接合层(1)移到芯片侧，在带的分离中，在满足A＞B的区域中粘性粘合层(2)不移到体(5)上。
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