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公开(公告)号：CN113921471A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110485921.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
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公开(公告)号：CN113380609A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202011439817.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及金属栅极及其形成方法。一种方法，包括：在栅极电介质层之上沉积第一导电层；在第一导电层之上沉积第一功函数调整层；从第一导电层的第一区域之上选择性地去除第一功函数调整层；用掺杂剂掺杂第一功函数调整层；以及在掺杂第一功函数调整层之后，执行第一处理工艺以蚀刻第一导电层的第一区域和第一功函数调整层的第二区域。第一处理工艺以与蚀刻第一功函数调整层相比更大的速率蚀刻第一导电层。
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公开(公告)号：CN106409651B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510784312.0
申请日：2015-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28088 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/321 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了预沉积处理和原子层沉积(ALD)工艺及其形成的结构。描述了各种方法和通过这些方法形成的结构。根据一种方法，第一含金属层形成在衬底上。第二含金属层形成在衬底上。第一含金属层的材料不同于第二含金属层的材料。对第一含金属层和第二含金属层执行基于氯的处理。使用原子层沉积(ALD)在第一含金属层和第二含金属层上沉积第三含金属层。
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公开(公告)号：CN113345893B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202011389575.9
申请日：2020-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，第二纳米结构位于第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质围绕第一纳米结构设置；第二高k栅极电介质，第二高k栅极电介质围绕第二纳米结构设置；以及栅极电极，栅极电极位于第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极中位于第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括填充第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之间的区域的p型功函数金属的第一部分。
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公开(公告)号：CN113380609B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011439817.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及金属栅极及其形成方法。一种方法，包括：在栅极电介质层之上沉积第一导电层；在第一导电层之上沉积第一功函数调整层；从第一导电层的第一区域之上选择性地去除第一功函数调整层；用掺杂剂掺杂第一功函数调整层；以及在掺杂第一功函数调整层之后，执行第一处理工艺以蚀刻第一导电层的第一区域和第一功函数调整层的第二区域。第一处理工艺以与蚀刻第一功函数调整层相比更大的速率蚀刻第一导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116469836A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210825459.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，其中半导体区域暴露于沟槽；形成延伸进入沟槽内的栅极电介质层；以及在栅极电介质层上沉积功函数调整层。功函数调整层包括铝和碳。该方法还包括：在功函数调整层之上沉积p型功函数层；以及执行平坦化工艺以去除p型功函数层、功函数调整层和栅极电介质层的多余部分，以形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN116469835A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210698450.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及晶体管中的功函数金属及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽；形成延伸进入沟槽内并且位于半导体区域上的栅极电介质层；以及在栅极电介质层之上沉积第一功函数层。第一功函数层包括选自由钌、钼及其组合组成的组中的金属。方法还包括：在第一功函数层之上沉积导电填充层；以及执行平坦化工艺以去除导电填充层、第一功函数层和栅极电介质层的多余部分，从而形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN115528112A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210325940.2
申请日：2022-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 实施例包括一种半导体装置、晶体管、以及形成半导体装置的方法，诸如包括第一纳米结构的纳米FET晶体管。栅极介电质在第一纳米结构周围形成。栅极电极在栅极介电质上方形成，并且栅极电极包括第一功函数金属。在栅极电极中，由于在形成第一功函数金属之前执行的处理制程，第一金属残留物在栅极介电质与第一功函数金属之间的界面处形成。第一金属残留物具有与第一功函数金属的金属元素不同的金属元素。
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公开(公告)号：CN115376902A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210371852.6
申请日：2022-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及利用含Si层对金属栅极进行的接缝填充。一种方法包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠、在虚设栅极堆叠的相反侧上形成外延源极/漏极区域、去除虚设栅极堆叠以形成沟槽、将栅极电介质层沉积得延伸到沟槽中、并且在功函数层之上沉积栅极电介质层。功函数层包括其中的接缝。沉积含硅层以填充接缝。执行平坦化工艺以去除含硅层的多余部分、功函数层的多余部分和栅极电介质层的多余部分。含硅层的剩余部分、功函数层的剩余部分和栅极电介质层的剩余部分形成栅极堆叠。
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公开(公告)号：CN115249657A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210667904.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及晶体管器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法包括：去除第一虚设栅极结构以围绕第一纳米结构和第二纳米结构形成凹部；利用可流动化学气相沉积(CVD)在凹部中沉积牺牲层；以及图案化牺牲层以留下牺牲层在第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分。该方法还包括：在凹部中沉积第一功函数金属；从凹部去除第一功函数金属以及牺牲层的该部分；在凹部中沉积第二功函数金属，其中，第二功函数金属具有与第一功函数金属相反的导电类型；以及在凹部中在第二功函数金属之上沉积填充金属。
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