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公开(公告)号：CN112599164B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202011046157.X
申请日：2020-09-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G11C11/41 , G11C11/412 , G11C11/417 , G11C11/419
摘要： 静态随机存取存储器(SRAM)单元包括四接触式多晶硅节距(4Cpp)鳍式场效应晶体管(FinFET)架构，架构包括第一位单元和第二位单元。SRAM单元包括第一位线和第一互补位线，其中第一位线和第一互补位线被SRAM单元的第一位单元和第二位单元共享。SRAM单元包括连接至第一位单元的第一字线和连接至第二位单元的第二字线。本发明的实施例还涉及存储器阵列、静态随机存取存储器单元及其方法。
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公开(公告)号：CN113380892B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110602234.3
申请日：2021-05-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管(FeFET)，该FeFET包括：半导体衬底，在该半导体衬底中具有源极区，在该半导体衬底中具有漏极区；栅极堆叠件在半导体衬底上，其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧，该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层，以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的第一端和第二端，其分别对应于源极和漏极区。铁电层包括偶极子。在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化，第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存储器件及读取铁电场效应晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN116940122A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310613396.6
申请日：2023-05-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本申请的实施例公开了一种半导体器件及制造存储器器件的方法。半导体器件包括字线(WL)结构。该半导体器件包括位于WL结构上方的铁电层。该半导体器件包括位于铁电层上方的沟道层。该半导体器件包括位于沟道层上方的源极线(SL)结构。该半导体器件包括位于沟道层上方的位线(BL)结构。BL结构包括朝向SL结构横向延伸的部分。该半导体器件还包括介电层，介电层横向地插入在SL结构和BL结构之间。
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公开(公告)号：CN116896883A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310617857.7
申请日：2023-05-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H10B12/00 , G11C11/4063 , G11C11/4097 , G11C11/408
摘要： 一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115513214A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210351745.7
申请日：2022-04-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 一种集成电路及制造集成电路的方法，集成电路包括在一第一金属层中的一正面水平导线、在一第二金属层中的一正面垂直导线、一正面熔丝元件及一背面导线。该正面水平导线经由一正面端子通孔连接器直接连接至一晶体管的漏极端子导体。该正面垂直导线经由一正面金属至金属通孔连接器直接连接至该正面水平导线。该正面熔丝元件具有导电连接至该正面垂直导线的一第一熔丝端子。该背面导线经由一背面端子通孔连接器直接连接至该晶体管的源极端子导体。
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公开(公告)号：CN115273923A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210646003.7
申请日：2022-06-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种系统包括：高带宽存储器(HBM)，包括：第一感测单位，配置为产生与第一存储单元中的第一晶体管对应的一个或多个第一环境信号；以及第二感测单位，配置为产生对应于第二存储单元中的第二晶体管的一个或多个第二环境信号；以及差分动态电压和频率缩放(DDVFS)设备，配置为对于包括第一存储单元的存储单元的第一组执行以下操作：(1)通过基于一个或多个第一环境信号调节一个或多个第一晶体管温度影响(TTA)来控制的第一组的温度，以及(2)对于包括第二存储单元的存储单元的第二组，通过基于一个或多个第二环境信号调节一个或多个第二TTA参数来控制第二组的温度。本申请的实施例提供了用于控制存储器中温度的系统和控制HBM中的温度的方法。
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公开(公告)号：CN115050692A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210091570.0
申请日：2022-01-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/112
摘要： 提供了半导体结构及其制造方法。一种根据本发明的半导体结构包括晶体管和设置在该晶体管上方的互连结构。该互连结构包括：第一介电层；第一导电部件，位于第一介电层中；第一蚀刻停止层(ESL)，设置在第一介电层和第一导电部件上方；介电部件，设置在第一ESL中；电极，设置在介电部件上方；以及第二ESL，设置在第一ESL和电极上。
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公开(公告)号：CN114974357A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210272846.5
申请日：2022-03-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包括位元线(BL)；源极线(SL)；及分别可操作地耦接在BL与SL之间的多个非挥发性记忆体单元。多个非挥发性记忆体单元中的每一者包括彼此串联耦接的具有可变电阻的电阻器、第一晶体管及第二晶体管。响应于非挥发性记忆体单元的第一者不被读取且非挥发性记忆体单元的第二者被读取，连接在第一非挥发性记忆体单元的第一及第二晶体管之间的第一节点处的电压位准大于零。
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公开(公告)号：CN114695379A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210156426.0
申请日：2022-02-21
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11597
摘要： 一种半导体装置、记忆体装置及制造记忆体装置的方法，半导体装置包括沿横向方向延伸的第一导体结构以及沿垂直方向延伸的第一记忆体薄膜。第一记忆体薄膜与第一导体结构接触。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一半导体薄膜。第一半导体薄膜与第一记忆体薄膜接触且第一半导体薄膜的末端分别与第一记忆体薄膜的末端对准。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第二导体结构、沿垂直方向延伸的第三导体结构以及沿垂直方向延伸的第四导体结构。第二导体结构及第四导体结构耦合第一半导体薄膜的末端，且第三导体结构耦合第一半导体薄膜的一部分，其中此部分在第一半导体薄膜的末端之间。
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