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公开(公告)号：CN102021649B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010603983.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的利用添加N2O气体化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域。采用微波等离子体化学气相沉积系统，将单晶金刚石基底经抛光超声清洗处理后置于样品托放在沉积室内，向沉积室内充入氢气、甲烷和笑气，流量比为H2∶CH4∶N2O＝750∶75～90∶2～10，在微波功率2～2.5kw、基底温度900～1100℃，气压13～40kPa下生长金刚石单晶。本发明具有方法简单，生长速度快，质量好，成本低，污染小等优点，在N2O浓度的增加对全球气候增温效应越来越显著情况下，既利用废气节能减排，又促进了金刚石的生产。
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公开(公告)号：CN101608533B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910067292.X
申请日：2009-07-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的孕镶金刚石膜的钻头及其制作方法属于机械加工领域。钻头是由钢体(1)和工作层(2)构成，工作层(2)包含化学气相沉积的金刚石膜(4)和硬质胎体材料(3)。金刚石膜(4)按要求形态分布于工作层(2)中。钻头成型方式包括一次成型和镶块式二次成型。一次成型是指烧结型热压金刚石钻头，镶块式二次成型是先烧结出金刚石孕镶块，然后把孕镶块镶焊在铣好的钢体上形成钻头。本发明的钻头增强了耐磨性，减小了切割粘附性，保证钻头底唇面的粗糙度和有效出刃，并可有效地保径，提高了切削效率和工具的寿命。与普通金刚石钻头比较，具有寿命长、钻进效率高、工作距离长、能耗低、防粘岩粉能力强等特点。
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公开(公告)号：CN101587902B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910067164.5
申请日：2009-06-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L27/12 , H01L23/552 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/00
Abstract: 本发明的一种纳米绝缘体上硅结构材料及其制作方法属集成电路芯片材料的技术领域。通过改进传统SOI结构中绝缘材料，制得以纳米抗辐射材料，如纳米金刚石，掺氮纳米金刚石，纳米氮化硼等作为绝缘层(8)的新型SOI结构。采用注氢键合技术和化学气相沉积方法，制成连接器件表层硅(3)—纳米绝缘层(8)—金刚石膜或/和单晶体Si衬底(4)的SOI结构。这种结构不仅具有传统SOI和SOD结构的优势，而且工艺更为简单，增强抗总剂量辐射，进一步提高SOI器件的总体抗辐射能力。适用于航空、航天、军工等领域的应用。
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公开(公告)号：CN101789463B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010117462.3
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺杂的p-型多晶微米金刚石膜或硼掺杂的p-型金刚石单晶；第2步在p型金刚石溅射ZnO晶种层；第3步在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO晶种层上生长ZnO纳米棒；第4步制作电极。本发明利用水热合成法在金刚石上制备ZnO纳米棒结构，通过调节ZnO的尺寸、退火处理、金刚石的掺硼浓度、晶粒尺寸等手段在低温下获得性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN101807606A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010117449.8
申请日：2010-03-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/34 , H01L29/267
Abstract: 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极，p-型金刚石(1)作为导电阳极。制作过程是在硅或金刚石单晶衬底上生长p型金刚石，热蒸发法在p型金刚石上生长n型氧化锌(2)纳米结构，最后制作电极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构，具有较大电流峰谷比；其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786026A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010131050.5
申请日：2010-03-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的n型TiO2纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法，属于光催化材料及其制备领域。本发明光催化材料是锐钛矿结构的n型TiO2纳米管生长在p型金刚石上。制备方法的第1步，生长硼掺杂的p-型多晶金刚石膜或硼掺杂的p型金刚石单晶；第2步，在p型金刚石溅射ZnO籽晶层；第3步，在乙酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液中，在ZnO籽晶层上生长ZnO纳米棒；第4步，在氟钛酸氨和硼酸的混合溶液中，以ZnO纳米棒为模板在p型金刚石生长n型TiO2纳米管。本发明利用液相合成法在金刚石上制备了TiO2纳米管，获得光催化性能优越的异质结；方法简单成本低，适合大规模生产及应用。
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公开(公告)号：CN101465399A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810051719.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的用金刚石膜作热沉材料的LED芯片基座及制作方法涉及LED热沉的技术领域。本发明的结构由1为贴片区，2为电极打线区，3为底部焊盘，4为电导通孔，5为反射杯，6为导热柱，7为散热焊盘，9为金刚石膜，10为上陶瓷层，20为下陶瓷层构成；方法是在陶瓷基座的下陶瓷层20上生长CVD金刚石膜或焊接CVD自支撑金刚石膜做LED芯片的热沉系统。本发明涉及的热沉导热性好，降低产品的热阻，使热量尽快散发出去，提高LED的发光效率，同时也提高了产品的可靠性和延长了产品的寿命。
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公开(公告)号：CN101311339A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810050651.6
申请日：2008-04-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石材料技术领域。通过以甲烷、氢气、氮气为反应气体获得的CVD金刚石单晶的生长表面及沿生长方向侧面不同位置的光致荧光光谱的测试，光谱强度规律变化的金刚石单晶是掺氮高速化学气相沉积金刚石单晶。进而根据和氮含量相关的光致荧光峰的强度的规律变化，区分CVD金刚石单晶和其他金刚石单晶。本发明的方法简单、适用、快速；不对所生长的CVD单晶金刚石造成破坏。
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公开(公告)号：CN119433476A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411567767.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的用于金刚石红外窗口的高取向疏水氧化物增透膜制备方法属于光学薄膜制备技术领域，包括金刚石表面精密抛光、金刚石表面酸煮、磁控溅射等步骤。本发明采用高取向氧化物复合靶材制备高取向增透膜，采用低温与高温交替进行的镀膜方式，所制备的增透膜具有轻微疏水的特性及高取向特性；合成过程工艺连续性好，合成工艺简单。
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公开(公告)号：CN116425546A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310422731.4
申请日：2023-04-19
Applicant: 吉林大学
IPC: C04B35/528 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
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