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公开(公告)号：CN112955997B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980071231.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中所述的实施例涉及用于工艺腔室中的射频(RF)相位控制的装置及技术。工艺容积通过面板电极及支撑底座界定在工艺腔室中。接地筒与工艺容积相对地围绕支撑底座设置在工艺腔室内。接地筒实质填充支撑底座下方除工艺容积以外的容积。相位调谐器电路耦接到设置在支撑底座中的RF网格、及面板电极。调谐器电路调整面板电极的相位与RF网格的相位之间的相位差。
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公开(公告)号：CN117305815A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311253211.1
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/687 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。
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公开(公告)号：CN115917040A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180039961.1
申请日：2021-05-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种装置，包括腔室主体及盖，在其中界定容积。装置包括基板支撑件，布置于容积中与盖相对。基板支撑件包括支撑主体，布置于主干上；及接地板，布置于支撑主体与主干之间。顶部凸缘耦合至接地板的下部外周表面；且底部凸缘耦合至腔室主体的底部。底部凸缘及顶部凸缘以利用多个条带彼此耦合，条带的各者具有耦合至底部凸缘的第一端及耦合至顶部凸缘的第二端。
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公开(公告)号：CN106571319B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201610875496.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906159A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041335.1
申请日：2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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公开(公告)号：CN113853450A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037327.X
申请日：2020-03-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , D·H·李 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , R·林杜尔派布恩 , I·贾米尔 , P·Y·卢 , 马骏 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: C23C16/505
Abstract: 一种用于形成膜的系统和方法包含以下步骤：在处理腔室的处理容积中产生等离子体以在基板上形成膜。处理腔室可包含：气体分配器，气体分配器被配置成在处理容积中产生等离子体。再者，将阻挡气体提供至处理容积以在位于处理容积中的等离子体周围形成气幕。阻挡气体是由气体供应源经由沿着处理腔室的第一侧设置的入口端口来供应。此外，排气口是沿着处理腔室的第一侧来设置，且等离子体和阻挡气体是通过排气口被清除。
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公开(公告)号：CN112640078A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057950.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述阀系统包括第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
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公开(公告)号：CN112204722A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980034703.7
申请日：2019-06-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 在一些实施例中，半导体处理装置包含：导电支撑件，包含网；导电轴，包含导电杆；以及多个连接组件。多个连接组件并列地耦接到网并且在单个接面处连接到杆。多个连接组件有助于散布RF电流，从而减少基板中的局部加热，导致更均匀的膜沉积。此外，使用合并且耦接到单个RF杆的连接元件允许杆由可以在较低温度传导RF电流的材料制成。
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公开(公告)号：CN106098527B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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