公开(公告)号：CN116887616A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310851010.5

申请日：2023-07-11

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 胡威威 ,  卓恩宗 ,  谢俊烽

IPC分类号： H10K59/12 ,  H10K59/122 ,  H10K59/80 ,  H10K71/20 ,  H10K71/60

摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。显示面板制备方法包括：提供阵列基板，对阵列基板上依次沉积的第一有机发光层和第一阴极层进行刻蚀，得到层叠在一起的图形化第一有机发光层和图形化第一阴极；进而依次沉积第二有机发光层和第二阴极层，并在刻蚀过程中，通过图形化第一阴极保护图形化第一有机发光层，以得到图形化第二有机发光层和图形化第二阴极，进而采用相同方法得到图形化第三有机发光层和图形化第三阴极，并沉积辅助电极，以使图形化第一阴极、图形化第二阴极和图形化第三阴极相连接，制得显示面板。本申请解决了常规的显示面板制备成本较高的技术问题。

公开(公告)号：CN114823848A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210385387.1

申请日：2022-04-13

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 王伟 ,  朱虹玲 ,  卓恩宗 ,  康报虹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

摘要： 本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管，纳米晶硅有源膜的制备方法包括：提供绝缘材料层，在绝缘材料层的表面进行第一沉积速率沉积处理，形成硅种子层；在硅种子层背离绝缘材料层的表面进行第二沉积速率沉积处理，形成硅缓冲层；在所述硅缓冲层背离所述硅种子层的表面进行第三沉积速率沉积处理，形成硅本体层，得到纳米晶硅有源膜。该方法通过在硅种子层和硅本体层之间制备硅缓冲层，进一步逐渐提高结晶度，确保进行第三沉积速率沉积处理形成的硅本体层结晶度较高、迁移率较高；此外，该制备方法工艺简单，分别通过控制三次不同沉积速率的方法即可得到纳米晶硅有源膜，效率高，条件可控，可实现量产。

公开(公告)号：CN110330235B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN201910504743.5

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C03C17/25 ,  C01B33/155 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。其中，所述多孔二氧化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。本发明的技术方案能够降低钝化层的介电常数，减小其寄生电容，从而减小漏电流，并且能够有效地避免信号串扰和RC电路延时等问题。

公开(公告)号：CN110444478B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201910564637.6

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/321 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板。薄膜晶体管包括金属层，对金属层的加工步骤包括将金属层放置于原子层沉积装置的反应室内；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第一前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第一预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第二前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第二预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第三前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第三预设次数；将上述步骤重复进行第四预设次数。对金属层进行加工防止金属层氧化。

公开(公告)号：CN110316726B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201910504657.4

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C25D11/04 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开一种石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列，石墨烯纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基材为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；采用原子层沉积法在多孔阳极氧化铝模板的孔内壁面沉积得到金属催化层；采用化学气相沉积法，在金属催化层的表面沉积得到石墨烯纳米线，并采用模板去除剂去除多孔阳极氧化铝模板、采用催化层去除剂去除金属催化层，得到石墨烯纳米线；以及对石墨烯纳米线进行漂洗，并将漂洗后的石墨烯纳米线分散至成膜溶液中得到膜液，将膜液涂覆于基板的表面，干燥得到石墨烯纳米线薄膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯纳米线薄膜具有好的导电性能。

公开(公告)号：CN110316726A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910504657.4

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C25D11/04 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开一种石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列，石墨烯纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基材为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；采用原子层沉积法在多孔阳极氧化铝模板的孔内壁面沉积得到金属催化层；采用化学气相沉积法，在金属催化层的表面沉积得到石墨烯纳米线，并采用模板去除剂去除多孔阳极氧化铝模板、采用催化层去除剂去除金属催化层，得到石墨烯纳米线；以及对石墨烯纳米线进行漂洗，并将漂洗后的石墨烯纳米线分散至成膜溶液中得到膜液，将膜液涂覆于基板的表面，干燥得到石墨烯纳米线薄膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯纳米线薄膜具有好的导电性能。

公开(公告)号：CN110164878A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910494975.7

申请日：2019-06-10

申请人： 惠科股份有限公司 ,  重庆惠科金渝光电科技有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/51 ,  H01L21/77

摘要： 本申请涉及一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1>ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。

公开(公告)号：CN110323270B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201910575383.8

申请日：2019-06-28

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  北海惠科光电技术有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 本发明涉及一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属催化颗粒，通过孔道有序调节与控制金属催化颗粒的排布情况及填充厚度，提高生产效率；再对金属催化颗粒进行加热退火处理获得厚度均匀的金属催化薄膜，从而使金属催化薄膜作为石墨烯纳米线生长的载体和催化剂，使石墨烯纳米线均匀可控地生长；再去除阳极氧化铝模板和金属催化薄膜后获取石墨烯纳米线成膜液，将石墨烯纳米线成膜液沉积在基板上，获得厚度均匀稳定的石墨烯导电薄膜，从而提高石墨烯导电薄膜的可控性和生长效率，实现更高的透明性和导电性。该方法制备的石墨烯纳米线易于控制且密度高，适合工业化使用。

公开(公告)号：CN110400832A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910508213.8

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。本发明还公开了一种阵列基板。达成了显示面板的亮度及PPI的效果。

公开(公告)号：CN110364440A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910508215.7

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 雍万飞 ,  卓恩宗 ,  夏玉明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请提供了一种薄膜晶体管的制造方法、基板及显示装置，包括在衬底上形成薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括依次层叠的栅极层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源漏金属层；在源漏金属层背离欧姆接触层的表面涂布光刻胶，并通过第一光罩对光刻胶进行曝光并显影，以形成光刻胶层，其中，光刻胶层具有第一区域和第二区域；对第二区域暴露的源漏金属层、欧姆接触层以及有源层依次进行第一次湿法刻蚀和第一次干法刻蚀后，通过氧气对第一区域的光刻胶层进行预处理，其中，氧气的浓度为4000sccm～5000sccm。可以减少氧气与第一区域处的源漏金属层的表面进行反应，从而减少金属氧化物的数量，避免金属氧化物过多而造成的短路问题，以提高显示性能。