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公开(公告)号：CN107910278A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711132423.9
申请日：2017-11-15
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/24 , C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其中，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。本发明能够在第一时间有效地监测炉管机台反应炉管内部氧气浓度的变化情况，避免因反应炉管微漏气造成的晶圆器件失效而导致的报废。通过使用本发明能够节省机台维护保养复机时间约2h，提升机台产能，直接反应机台状况。
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公开(公告)号：CN106409731A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610983199.3
申请日：2016-11-09
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , F27D9/00
CPC分类号： H01L21/67011 , F27D9/00 , F27D2009/0005 , F27D2009/0008 , H01L21/673
摘要： 本发明公开了一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法，通过在氮气冷却系统中设置两路冷却管路，每路冷却管路分别采用质量流量控制器控制氮气流量，并通过在两路冷却管路中设置不同的氮气流量，使从冷却晶舟的第一冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量小于从冷却晶圆的第二冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量，以在晶舟舟脚部位产生的颗粒被第一冷却管喷射出的较小流量氮气吹落时，通过第二冷却管喷射出的较大流量氮气吹走，从而既能够很好地冷却晶舟及晶舟上的晶圆，又可防止将晶舟舟脚上的颗粒吹到晶圆上。
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公开(公告)号：CN103643220B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310597941.3
申请日：2013-11-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种减少低压炉管内杂质颗粒的方法，其具体是采用对低压炉管进行升降温的处理，控制低压炉管的温度、升降温速率、气体类型，并根据一定间隔时间和清洗时间通入恒定压力的清洗气体的方法来达到改善低压炉管颗粒状况的目的，从而减少低压炉管工艺过程中产生的杂质颗粒，尤其是减少了炉管内壁的上的杂质颗粒。本发明所述的方法可有效改善低压炉管的杂质颗粒状况，与相同沉积工序相比，其产出的晶圆控片杂质颗粒明显减少，解决了由于多次沉积工序后残留的杂质颗粒引起的产品缺陷问题，延长低压炉管安全稳定作业的批次，提高相关扩散工艺的稳定性，减少对产品造成的缺陷影响，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102931128B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210496571.X
申请日：2012-11-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 一种浅沟槽隔离之边角圆化的方法包括，步骤S1：在衬底表面淀积衬垫氧化层和硬掩膜层；步骤S2：形成开口；步骤S3：刻蚀形成浅沟槽；步骤S4：在浅沟槽内生长氧化衬层，进一步包括：在第一温度T1到第二温度T2的升温过程中，采用少量氢气稀释氧气进行退火，直到所述炉温达到第二温度T2；在第二温度T2下采用湿氧的方式生长氧化衬层；从第二温度T2升温至第三温度T3，并在第三温度T3下采用干氧的方式生长所述氧化衬层；步骤S5：淀积绝缘介质层；步骤S6：化学机械研磨绝缘介质层；步骤S7：获得圆化的浅沟槽隔离。本发明所述浅沟槽隔离之边角圆化的方法，可消除浅沟槽隔离的顶角和底角处因应力产生的缺陷，以及使浅沟槽隔离的底角和顶角圆化，极大地提高产品良率和改善器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN103681456A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310505326.5
申请日：2013-10-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/76227
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及薄膜退火的方法，具体地说是一种减少高纵深沟槽填充薄膜退火中关键尺寸损耗的方法，其中，于湿氧化过程中通入N2或者惰性气体。本发明具有如下优点或者有益效果：采用本发明的方法，既可以满足消除高纵深沟槽填充薄膜中的空隙，同时也可以降低湿氧化过程中的氧化速度，使得湿氧化过程中有源区的硅消耗减少，从而减少有源区关键尺寸的损耗，提升半导体器件的良率。
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公开(公告)号：CN107507764B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710612020.8
申请日：2017-07-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种离子注入剂量自动控制方法及系统，属于半导体制造技术领域；方法包括：分别获取当前层之前特定层的制造工序中离子注入剂量的影响参数，根据所有影响参数以及当前层的制造工序对应的注入工序的标准注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量，处理得到当前层的目标注入剂量；将当前层的目标注入剂量与预设的目标剂量范围进行比较，以确定与目标注入剂量相匹配的目标剂量范围；选择与被确定的目标剂量范围相对应的离子注入程式，并根据被选择的离子注入程式确定当前层的制造工序中的离子注入剂量。系统依照上述方法实现。上述技术方案的有益效果是：简化离子注入剂量自动控制的复杂度，保证注入剂量调整的稳定性和安全性。
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公开(公告)号：CN107403740B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201710642794.5
申请日：2017-07-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/265
摘要： 本发明提出一种确定离子注入机注入角度偏差的方法，包括下列步骤：提供标准硅片和离子注入机；将标准硅片上半部分在离子注入机进行特定程式的离子注入；离子注入机将标准硅片旋转180度，使用相同程式进行下半部分的注入；对标准硅片进行热波或方块电阻量测；分别收集标准硅片上下半部分的量测值；根据量测值计算离子注入机注入角度的偏差。本发明提出的确定离子注入机注入角度偏差的方法，此方法通过对硅片扭角的调整进行两次注入，根据硅片两次热波或方块电阻量测值来确定注入机注入角度校正值，以消除硅片晶向对注入机注入角度校正的影响。
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公开(公告)号：CN106191990B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610770371.7
申请日：2016-08-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种炉管的进气装置，包括：进气口，设于炉管工艺腔的侧壁下端，其连通外部反应气体管路；进气管，设于工艺腔内，其一端连接进气口，另一端封闭，进气管自下而上环绕工艺腔内的晶舟设置；多个喷嘴，沿进气管长度方向并面向晶舟均匀设置；工艺时，通过由进气口向进气管中通入反应气体，并由各喷嘴向晶舟喷射，使晶舟中的每层硅片都均匀接触到反应气体，同时，保持晶舟处于静止不动状态，以在保证产品厚度均匀性的同时，避免因晶舟旋转而带来颗粒污染。
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