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公开(公告)号：CN109962114A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910310959.8
申请日：2019-04-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , G09G3/3208
摘要： 本申请公开了一种双栅TFT、像素电路及其控制方法。双栅薄膜晶体管还包括设置在衬底上的有源层；设置在衬底上的第一栅极和第二栅极；设置在衬底上的第一电极、第二电极和第三电极，第一电极和第二电极分别通过第一通孔和第二通孔与有源层电连接，第三电极用于与光敏器件电连接，其中，第三电极与所述第一栅极或第二栅极通过第三通孔电连接；或者，第三电极与有源层通过第四通孔连接。根据本申请实施例的技术方案，双栅薄膜晶体管在不同的控制信号驱动下，实现一个双栅薄膜液晶管同时作为光敏器件和有机放光器件的开关，大大减少了TFT数量，有助于实现高分辨率。
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公开(公告)号：CN109950358A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910238942.6
申请日：2019-03-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/20
摘要： 本发明提出了光电探测结构及其制作方法。该光电探测结构包括：基板；第一钝化层，设置在基板的一侧且具有第一开口；第一半导体层，设置在第一开口中；第二钝化层，设置在第一钝化层远离基板的一侧且具有第二开口；本征半导体层，设置在第二开口内且与第二开口的侧壁接触；第二半导体层，设置在本征半导体层远离基板的一侧。本发明所提出的光电探测结构，其本征半导体层被第二钝化层保护，从而有效避免因本征半导体层的边缘刻蚀缺陷导致的PIN器件漏电流升高，进而使该PIN光电探测结构的漏电流更小。
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公开(公告)号：CN109166943A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811093391.0
申请日：2018-09-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本申请公开一种探测基板及其制造方法、探测器，属于光电探测领域。该探测基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的多个探测单元，多个探测单元中的每个探测单元包括光电二极管组件和薄膜晶体管，在每个探测单元中：薄膜晶体管与光电二极管组件连接，薄膜晶体管搭接在光电二极管组件的侧面。本申请有利于提升探测基板的探测分辨率。本申请用于光电探测。
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公开(公告)号：CN118414574A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280004758.5
申请日：2022-11-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/133 , H01L29/06 , H01L29/786
摘要： 本发明提供一种像素单元结构，其薄膜晶体管中，源极与数据线连接；栅极与栅线连接；漏极设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧；金属氧化物半导体层设置于栅极绝缘层远离衬底基板一侧，且包括半导体部分和分别位于半导体部分两侧的第一导电部分和第二导电部分，其中，半导体部分覆盖栅极绝缘层的凸起部分，凸起部分为栅极绝缘层覆盖栅极的部分；第一导电部分邻近于漏极的一端与漏极连接或者用作漏极的至少一部分；第二导电部分通过栅极绝缘层和层间介质层上对应形成的第一过孔与源极连接。本发明不仅可以提高像素开口率，而且还可以在相同空间尺寸下增加沟道长度，从而可以提高薄膜晶体管的稳定性。
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公开(公告)号：CN118116977A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211543805.1
申请日：2022-11-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12
摘要： 本公开提供了一种一种薄膜晶体管，包括：衬底基板；第一电极、有源层图形、第二电极，三者沿垂直于所述衬底基板且远离所述衬底基板的方向依次层叠设置；栅绝缘层，位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧；栅极，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极包括与所述有源层图形在平行于所述衬底基板的方向上相对设置的第一部分，所述第一部分与所述有源层图形之间通过所述栅绝缘层隔开。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法、显示基板和显示装置。
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公开(公告)号：CN113764439B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111052049.8
申请日：2021-09-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/144
摘要： 本申请提供一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，光电子集成基板中的光学传感器采用第一光电二极管和第二光电二极管层叠设置的结构，且第一光电二极管和第二光电二极管至少部分交叠，第一光电二极管吸收的信号光的波长与第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。本申请通过使两个光电二极管分别吸收不同波长的光信号，实现双通道通信，提高了通信速度，并且由于两个光电二极管互相交叠，也避免了额外增加像素面积，有利于显示功能的集成。
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公开(公告)号：CN116404021A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310295023.9
申请日：2023-03-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H10K59/60 , H10K59/121 , H10K59/40 , G02F1/1333 , G06V40/13 , G06F3/041 , G06F3/042
摘要： 本申请实施例提供了一种感光结构及显示面板。该感光结构包括：基底；晶体管单元，设置在基底的一侧，晶体管单元的控制端与控制线电连接，晶体管单元的第一端与电源电压线电连接；感光部，设置在基底的一侧，感光部分别与晶体管单元的第二端和信号读取线电连接，感光部包括感光元件，感光元件用于对待感测物体反射的光和外界环境光进行感应，感光元件在有光照时的电阻小于在无光照时的电阻；其中，感光部和晶体管单元配合后，使得在有光照时信号读取线读取到的电流大于在无光照时信号读取线读取到的电流。本申请实施例通过检测感光结构电流的变化，能够实现对光线强度的检测。
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公开(公告)号：CN115738110A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211482617.2
申请日：2022-11-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： A61N7/02
摘要： 本申请提供了一种超声探头和超声监测装置，涉及超声治疗技术领域，该超声探头可以实现对待治疗组织的有效治疗和监测，且简单易实现。该超声探头包括基底和设置在基底上的第一电极层、压电层和第二电极层，压电层位于第一电极和第二电极之间的部分被配置为能够接收第一电信号，并在第一电极处于通电状态的情况下将第一电信号转换为第一超声信号后，向待治疗组织传输第一超声信号；以及能够接收待治疗组织回波的第二超声信号，并将第二超声信号转换为第二电信号后输出；其中，部分第二超声信号的频率小于第一超声信号的频率、且部分第二超声信号的频率等于第一超声信号的频率。
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公开(公告)号：CN115732539A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211494395.6
申请日：2022-11-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板及其制备方法、显示装置。薄膜晶体管包括：第一极，位于基底上侧；第一绝缘层，位于第一极的上侧；凸起结构，位于第一绝缘层上侧，并沿第一方向延伸；有源层，位于凸起结构的上侧，包括第一导体化区域、第二导体化区域以及的沟道，沟道沿第二方向跨越凸起结构，第一导体化区域与第一极连接；第二绝缘层，位于有源层上侧；栅极，位于第二绝缘层的上侧，沟道在基底上的正投影位于栅极在基底上的正投影的范围内；第三绝缘层，位于栅极的上侧；第二极，位于第三绝缘层的上侧，第二极与第二导体化区域连接。本公开的技术方案，可以增加沟道的长度，降低短沟道效应。
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公开(公告)号：CN113611212A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110873013.X
申请日：2021-07-30
申请人： 北京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种光接收传感器、显示面板和电子设备。光接收传感器包括：感光元件和像素驱动电路。像素驱动电路包括源极跟随器和増频子电路。源极跟随器连接感光元件以根据感光元件的电荷产生电信号。増频子电路连接源极跟随器，以增加像素驱动电路的采样频率。本申请的光接收传感器、显示面板和电子设备通过在光接收传感器的像素驱动电路中加入增频子电路的设计，实现电路频率自适应调整，可以在保证面积的前提下有效增强光接收传感器的频率特性，实现高频低误码率的设计。
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