公开(公告)号：CN102498440B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201080041030.7

申请日：2010-09-07

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  中岛诚 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/28 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G77/04 ,  C08G77/28 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。用于解决本发明课题的方法是包含具有磺酰胺基的硅烷化合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该具有磺酰胺基的硅烷化合物是分子内具有磺酰胺基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。用于解决本发明课题的方法是包含具有磺酰胺基的硅烷化合物和不具有磺酰胺基的硅烷化合物的组合物，在该硅烷化合物整体中，具有磺酰胺基的硅烷化合物以低于1摩尔％，例如0.1～0.95摩尔％的比例存在。

公开(公告)号：CN106030355A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010359.X

申请日：2015-02-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 汤川升志郎 ,  伊藤润 ,  后藤耕平 ,  菅野裕太 ,  大村浩之 ,  畑中真

IPC: G02B5/30 ,  C08F20/18 ,  C08L33/00 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1337

Abstract: 本发明提供可以用于提供具有优异的光反应效率，可以以高灵敏度使聚合性液晶取向的取向材的相位差材形成用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种能够热固化的相位差材形成用树脂组合物，以使用该组合物而得作为特征的取向材，以及使用由该组合物获得的固化膜而形成作为特征的相位差材，所述能够热固化的相位差材形成用树脂组合物的特征在于：含有树脂作为(A)成分，所述树脂具有热反应性部位直接结合或经由连接基团而连接的光取向性基团。

公开(公告)号：CN105474083A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480046361.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 畑中真 ,  大村浩之 ,  后藤耕平 ,  菅野裕太

IPC: G02F1/1337 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13363

Abstract: 本发明提供一种具备优异的垂直取向性，即使在树脂膜上也可以以高灵敏度使聚合性液晶垂直地取向的取向材，以及用于提供使用这样的取向材的相位差材的固化膜形成用组合物。作为解决本发明课题的手段为固化膜形成用组合物、取向材、相位差材，所述固化膜形成用组合物的特征在于，含有(A)聚合物、以及选自(B)交联剂和(C)酸催化剂中的至少一种化合物，该(A)聚合物为使具有羧基和垂直取向性基团的化合物的羧基对侧链或末端具有1个以上环氧基的聚合物的环氧基进行反应而得的聚合物，所述取向材的特征在于，是使用该组合物而获得的，所述相位差材的特征在于，是使用该组合物而获得的。

公开(公告)号：CN104395328A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032731.8

申请日：2013-06-19

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/28 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133 ,  C08K5/09

Abstract: 本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN102124064B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200980132386.9

申请日：2009-08-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  中岛诚 ,  菅野裕太

IPC: C09D183/08 ,  C09D201/00 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0755 ,  C08G77/26 ,  C09D5/006 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/095 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其可形成可作为硬掩模使用、可作为防反射膜使用、与抗蚀剂膜不发生混合、比抗蚀剂膜干蚀刻速度大的抗蚀剂下层膜。提供了一种膜形成用组合物，含有具有基的硅烷化合物，该具有基的硅烷化合物是分子内具有基的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物。膜形成用组合物是光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。该组合物含有具有基的硅烷化合物和不具有基的硅烷化合物，在该硅烷化合物全体中具有基的硅烷化合物以小于1摩尔％、例如0.01～0.95摩尔％的比例存在。水解性有机硅烷以式(1)表示。还提供了将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烘烤，从而得到的抗蚀剂下层膜。R1aR2bSi(R3)4-(a+b) 式(1)。

公开(公告)号：CN103748517A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280038944.7

申请日：2012-08-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  佐久间大辅 ,  菅野裕太 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/28 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  C07F7/1804 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，含有作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该硅烷为下述式（1）所示的化合物，〔(R1)aSi(R2)(3-a)〕b(R3)？？？？式（1）式（1）中，R3表示含有磺酰基和吸光基、以Si-C键与Si原子键合的有机基团，R1是烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、烷氧基芳基、酰基氧基芳基、异氰脲酸酯基、羟基、环状氨基或氰基的有机基团、或它们的组合，其表示以Si-C键与Si原子键合的有机基团，R2表示烷氧基、酰基氧基或卤素基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数。

公开(公告)号：CN102257435B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980150773.5

申请日：2009-12-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  中岛诚 ,  菅野裕太

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  C08G77/28 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3086 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含带有阴离子基的硅烷化合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，带有阴离子基的硅烷化合物包括带有阴离子基的有机基团与硅原子结合且阴离子基形成盐结构的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物。阴离子基是羧酸根阴离子、苯酚根阴离子、磺酸根阴离子或膦酸根阴离子。水解性有机硅烷是式(1)R1aR2bSi(R3)4-(a+b)。一种组合物，包含上述式(1)的水解性有机硅烷与选自式(2)R4aSi(R5)4-a和式(3)[R6cSi(R7)3-c]2Yb中的至少1种有机硅化合物的混合物、它们的水解物、或它们的水解缩合物。

公开(公告)号：CN103339569A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006068.X

申请日：2012-01-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 菅野裕太 ,  佐久间大辅 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  C08G77/48 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/14 ,  C08L83/06 ,  C09D4/00 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该硅烷包含下述式(1)：［(R1)aSi(R2)(3－a)］b(R3)式(1)〔式中R3表示式(2)、式(3)、或式(4)：(式中，R4、R5和R6中的至少1个基团直接或介由连接基团而与Si原子结合。)所示的基团，R1表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合。R2表示烷氧基、酰氧基、或卤原子。〕所示的水解性有机硅烷。

公开(公告)号：CN101910949B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200980101958.7

申请日：2009-01-08

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  菅野裕太 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G77/26 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜。作为本发明的解决问题的方法是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，含有：含脲基的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物。水解性有机硅烷是式(1)所示化合物。式(1)式(2)[式(1)中，T1、T2和T3这3个基团中的至少一个是式(2)所示基团。]

公开(公告)号：CN101802712B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200880106569.9

申请日：2008-09-10

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 中岛诚 ,  柴山亘 ,  菅野裕太

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明的目的是提供不与光致抗蚀剂发生混合、具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物和溶剂，所述聚合物含有下述式(1)所示的部分结构，式中，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(4-1)所示的基团。上述聚合物除了式(1)所示的部分结构以外，还含有式(5)：(R1)a(R3)bSi(O-)4-(a+b)所示的部分结构和/或式(6)：〔(R4)cSi(O-)3-c〕2Y所示的部分结构。