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公开(公告)号：CN102265416A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152400.1
申请日：2009-12-02
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/42
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
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公开(公告)号：CN102194955A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275293.6
申请日：2010-09-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L31/022466 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L33/42
摘要： 根据实施方式，提供在透明导电体中使用了ITON层的低驱动电压、高发光效率且发光强度分布均匀化了的半导体发光元件。半导体发光元件具有：基板，在基板上形成的n型半导体层，在n型半导体层上形成的有源层，在有源层上形成的、最上部是p型GaN层的p型半导体层，在p型GaN层上形成的ITON(氧氮化铟锡)层，在ITON层上形成的ITO(氧化铟锡)层，在ITO层上的一部分形成的第1金属电极，以及与n型半导体层连接而形成的第2金属电极。
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公开(公告)号：CN102169931A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010275583.0
申请日：2010-09-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括n型和p型半导体层、势垒层以及阱层。所述n型和p型半导体层以及势垒层包含氮化物半导体。势垒层被设置在n型半导体层与p型半导体层之间。阱层被设置在势垒层之间，阱层的带隙能量小于势垒层的带隙能量，阱层包含InGaN。势垒层中的至少一个包括第一层、第二层以及第三层。第二层被设置为比第一层更靠近p型半导体层。第三层被设置为比第二层更靠近p型半导体层。第二层包含AlxGa1-xN(0＜x≤0.05)。第二层的带隙能量大于第一和第三层的带隙能量。第一和第二层的总厚度不大于第三层的厚度。
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公开(公告)号：CN101378105B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
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公开(公告)号：CN101378105A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810214664.2
申请日：2008-09-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种能够实现具有高发光效率的白色光源的发光装置。其具有：封装部(1)，具有搭载半导体发光元件的第1部分和其周围的第2部分；半导体发光元件(3)，被搭载在所述封装部的所述第1部分上，发出在近紫外区域具有发光峰值的光；透明树脂层(5)，覆盖所述半导体发光元件被设置在所述封装部的所述第1部分及所述第2部分上，在相对于所述第1部分和第2部分垂直的剖面上的外周为向上凸的曲线状；和层叠体，包括设置在所述透明树脂层之上具有到达所述第2部分的端面、并依次形成为向上凸的曲线状的红色荧光体层(6)、黄色荧光体层(7)、绿色荧光体层(8)和蓝色荧光体层(9)，所述黄色荧光体层，顶部的厚度比所述端面的厚度厚。
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公开(公告)号：CN100459196C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC分类号： H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
摘要： 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
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公开(公告)号：CN101232068A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810008868.0
申请日：2008-01-25
申请人： 株式会社东芝
摘要： 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。
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公开(公告)号：CN1897374A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
摘要： 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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公开(公告)号：CN108376645B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201710766821.X
申请日：2017-08-31
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/3065
摘要： 提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN109119471B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
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