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公开(公告)号：CN1267902A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN99124811.2
申请日：1994-06-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/78675
摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1258102A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99120260.0
申请日：1994-05-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/786
摘要： 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜结构,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFTS由无定形硅薄膜构成。
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公开(公告)号：CN1248757A
公开(公告)日：2000-03-29
申请号：CN99117796.7
申请日：1994-12-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G09F9/35 , G02F1/13 , H01L29/786 , H01L27/14
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
摘要： 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法,包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤,这是由于使用促进晶化材料,诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内,并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是,就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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公开(公告)号：CN1238553A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99106954.4
申请日：1994-10-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , Y10S148/016
摘要： 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。
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公开(公告)号：CN1223459A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98120978.5
申请日：1994-10-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , Y10S148/016
摘要： 一种半导体器件,包括至少一个含有结晶硅膜的有源区,在绝缘表面上形成,其特征在于,所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。
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公开(公告)号：CN1127427A
公开(公告)日：1996-07-24
申请号：CN95119630.8
申请日：1995-11-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/477
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
摘要： 用激光处理半导体器件的方法。进行两步独立的激光结晶步骤。先在真空中用稍弱激光进行激光辐照，然后在真空中，在大气或氧气气氛下用较强激光进行另一激光辐照步骤，在真空中所进行的第一步激光辐照不能导至满意的结晶。然而，该辐照能抑制皱脊的产生。在真空，大气或氧气环境中的第二步激光辐照获得满意的结晶，而且不产生皱脊。
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公开(公告)号：CN1109211A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94112772.9
申请日：1994-12-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02422 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S438/918
摘要： 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。
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公开(公告)号：CN1101169A
公开(公告)日：1995-04-05
申请号：CN94102804.6
申请日：1994-06-10
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/02 , H01L29/784 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/167 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。
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公开(公告)号：CN1101167A
公开(公告)日：1995-04-05
申请号：CN94107606.7
申请日：1994-05-26
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 在除图象元素部分之外的无定型硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTS由无定型硅薄膜构成。
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公开(公告)号：CN104867982B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510142874.5
申请日：2010-10-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:衬底之上的栅电极层;所述栅电极层之上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层;源电极层和漏电极层,所述源电极层和所述漏电极层中的每个与所述氧化物半导体层接触;所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层,所述绝缘层包含氧和硅;以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第区域,其中,所述第区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少种金属元素。
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