-
公开(公告)号：CN102484471B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080038479.8
申请日：2010-10-05
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 早川昌彦
IPC分类号： H03K17/687 , G02F1/133 , G09G3/20 , H03K17/00 , H03K19/094
CPC分类号： H01L27/1225 , G09G3/20 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2300/043 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2330/021
摘要： 一个目的是当将使用非晶半导体形成其沟道的薄膜晶体管用于仅使用n沟道晶体管或p沟道晶体管形成的驱动器电路时，提供一种驱动器电路，其中根据阈值电压的改变程度补偿阈值电压。该驱动器电路包括单极晶体管，该单极晶体管包含布置在半导体层上下的第一栅极和第二栅极，它们之间提供有绝缘层，在该驱动器电路中，用于控制晶体管的切换的第一信号输入到第一栅极，用于控制晶体管的阈值电压的第二信号输入到第二栅极，并且根据包括在晶体管的源极和漏极之间流动的电流在内的电流消耗的值控制所述第二信号。
-
公开(公告)号：CN102208163B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110101336.3
申请日：2005-05-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： G09G3/3233 , G09G3/006 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2310/0256 , G09G2310/0275 , G09G2310/061 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2330/02 , G09G2330/12 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
摘要： 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。
-
公开(公告)号：CN1901205B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610101628.6
申请日：1997-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 半导体装置及其制造方法。本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
-
公开(公告)号：CN102354709A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110330443.3
申请日：2002-11-09
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L51/52
摘要： 本发明涉及发光器件。本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。
-
公开(公告)号：CN101673508A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910160467.1
申请日：2003-01-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。
-
公开(公告)号：CN100534245C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610071996.0
申请日：2006-04-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L27/3244 , G09G3/3233 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , H01L51/5012 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323
摘要： 本发明提供具有第一发光元件、第二发光元件、恒流电源以及放大器的显示器件。其中第一发光元件和第二发光元件各具有在一对电极之间层叠而形成的含有有机化合物和无机化合物的第一层和含有发光物质的第二层。所述第一层提供在所述第二层上。或者，所述第二层提供在所述第一层上。
-
公开(公告)号：CN100468777C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510083584.4
申请日：1997-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。
-
公开(公告)号：CN100357992C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN03110452.5
申请日：2003-04-15
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L33/44 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/78621 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 为了达到提高显示器件运行功能的稳定性和扩大电路设计中的设计裕度，在包括具有半导体元件和配备有连接到衬底上半导体元件的象素电极的多个象素的象素部分的显示器件中，半导体元件包括光敏有机树脂膜作为层间绝缘膜，提供在光敏有机树脂膜中的第一开口部分的内壁表面被第二绝缘氮化物膜覆盖，提供在无机绝缘膜中的第二开口部分被提供在第一开口部分的内侧上，半导体和布线通过第一开口部分和第二开口部分被连接，且象素电极被提供在有源层下侧的层上。
-
公开(公告)号：CN1881618A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610099650.1
申请日：1997-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。
-
公开(公告)号：CN1881594A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610099676.6
申请日：1997-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
95 条记录 (耗时 0.042 秒)
