公开(公告)号：CN1254010C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN02126147.4

申请日：2002-07-10

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 木村雅彦 ,  安藤阳 ,  泽田拓也 ,  林宏一

IPC分类号： H03H9/15 ,  H03B5/32

CPC分类号： H03B5/36

摘要： 配置一种反馈电路和放大器，使用由压电体构成的振动器，该压电体具有铋层状化合物作为其主要成分，来制造振荡器。形成负载电容，和振动器一起构成反馈电路。所述负载电容每个都具有电介质体作为其主要成分，在-20到80℃温度范围中至少一半的区域中，所述电介质体的相对介电常数随温度的增加而降低，并且当ε-TC为在-20到80℃温度范围中相对介电常数的平均变化率时，其ε-TC至少为5000ppm/℃，并且由(Cmax-Cmin)/(C20·100)表示，其中Cmax是-20到80℃温度范围中的最大电容值，Cmin是-20到80℃温度范围中的最小电容值，而C20是在20℃的电容量。

公开(公告)号：CN1198289C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN00136081.7

申请日：2000-12-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 新见秀明 ,  安藤阳 ,  川本光俊 ,  児玉雅弘

IPC分类号： H01C7/02 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/468

摘要： 本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡(BaTiO3)并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中，在第一温度范围和第二温度范围之间的边界上的边界温度比居里温度高180℃或者更高(例如370℃)，其中第一温度范围高于居里温度，并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数，第二温度范围高于第一温度范围，并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。

公开(公告)号：CN1194354C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00126206.8

申请日：2000-08-25

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 泽田拓也 ,  木村雅彦 ,  安藤阳 ,  林宏一

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/01 ,  H01G4/12 ,  H01L41/187 ,  H03H9/00

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

摘要： 一种压电陶瓷组合物，主要包含由式SrBi2Nb2O9表示的组分，并包含至少一种除构成主组分的Bi元素之外的其它三价金属元素，相对于主组分中1摩尔Bi，其比例为大于0摩尔但等于或小于0.15摩尔，所述三价金属元素是除Bi之外的至少一种选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er、Yb、Sc或Y的元素。主要包含SrBi2Nb2O9的压电陶瓷组合物可用作改善了谐振频率温度依赖因子的压电陶瓷器件的材料。使用这种压电陶瓷组合物还可制造满意的压电陶瓷器件。

公开(公告)号：CN1188917C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN00124178.8

申请日：2000-08-16

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 安藤阳 ,  木村雅彦 ,  泽田拓也

IPC分类号： H01L41/18 ,  H01L41/083 ,  B06B1/06

CPC分类号： H03H9/178 ,  B06B1/0611 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/132

摘要： 一种压电元件，包含多个由含有Sr，Bi，Ti，和O的压电材料构成的压电层，至少3个相对的振动电极，每一个设置在压电层之间，以及形成在振动电极重叠的区域中的能量约束区域，能量约束区域平行于振动电极的平面，并激励n次谐波纵向厚度振动。能量约束区域的外周的两个交叉点之间的割线的最大长度L，和最上面振动电极和最底下振动电极之间的距离t满足nL/t比值小于10。压电元件是热稳定的，并且具有窄的容许误差。

公开(公告)号：CN1188871C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN01143987.4

申请日：2001-12-24

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 児玉雅弘 ,  岸本敦司 ,  川本光俊 ,  新见秀明 ,  安藤阳

IPC分类号： H01C7/02 ,  C04B35/00

CPC分类号： H01C17/06533 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  H01C7/021 ,  H01C7/025 ,  H01L29/24

摘要： 一种陶瓷电子部件，它包括具有半导体陶瓷层和内电极的部件本体。所述半导体陶瓷层和内电极交替叠合。半导体陶瓷层的相对密度约为90%或更小并且不含烧结添加剂。部件本体的两侧带有外电极。该陶瓷电子部件具有低电阻和高耐电压。

公开(公告)号：CN1149181C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN01117270.3

申请日：2001-04-29

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 木村雅彦 ,  泽田拓也 ,  安藤阳

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  H01L41/187 ,  H03H9/02

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/95 ,  H01L41/187 ,  H03H3/02

摘要： 提供一种作为制造压电陶瓷器件等有效材料的压电陶瓷块，包含SrBi2Nb2O9作为主要组分，不含或只含少量的铅或铅化合物，具有提高到适合实际使用水平的最大值Qmax。它包含由Sr、Bi、Nb和氧组成的层状铋化合物作为主要组分，所含作为层状铋化合物主要组分的Sr、Bi和Nb的摩尔比值以a∶b∶c表示，保持着0.275≤a/c＜0.5和4≤(2a+3b)/c≤4.5的关系。

公开(公告)号：CN1145593C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN00101855.8

申请日：2000-02-03

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 木村雅彦 ,  安藤阳 ,  泽田拓也 ,  林宏一

IPC分类号： C04B35/465 ,  H01L41/187

CPC分类号： C04B35/465 ,  C04B35/475 ,  H01L41/187

摘要： 一种压电陶瓷组合物，它包括由通式(Ca1-xMlx)Bi4Ti4O15表示的主要组分，其中M1是除Ca之外的二价金属和Bi之外的三价金属中的一种金属，0＜x≤0.3；以及作为辅助组分的锰，其量按MnCO3计为大于0至不大于1.5%重量。二价金属和三价金属的例子包括Sr、Ba、Mg、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er、Yb、Sc和Y。这种压电陶瓷组合物具有至少为10%的实际使用水平的机电偶合系数。该压电陶瓷组合物可用于压电陶瓷滤波器、压电陶瓷振荡器、以及压电陶瓷振动器。

公开(公告)号：CN1122363C

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN99123496.0

申请日：1999-11-10

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 堀川胜弘 ,  安藤阳

IPC分类号： H03H9/25

CPC分类号： H03H9/02574

摘要： 本发明提供了一种声表面波器件，其特征在于包括压电基片，设置在压电基片上的插指换能器，其中压电基片包括至少两个由多晶材料制成的压电陶瓷层。层叠至少两层压电陶瓷层，从而其电特性和机械特性沿大致上垂直于压电基片的表面的方向变化，其中该压电基片的表面上至少层叠了两层陶瓷压电层。

公开(公告)号：CN1426069A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02156173.7

申请日：2002-12-13

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 木村雅彦 ,  小川弘纯 ,  泽田拓也 ,  安藤阳

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01L41/16 ,  H03H9/00

CPC分类号： C04B35/495 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  H01L41/187

摘要： 在以SrBi2Nb2O9为主成分的压电陶瓷组合物中，不使Bi的含量过多而超过化学计量组成，提高Qmax，提供完全不含或仅含少量的铅或铅化合物而且显示可供实用程度的Qmax、适合作为压电陶瓷元件等的材料使用的压电陶瓷组合物。在以Sr、Bi、Nb、氧及Bi以外的3阶金属元素构成的铋层状化合物为主成分的压电陶瓷组合物中，设作为主成分的铋层状化合物中的Sr、Bi、Nb及Bi以外的3阶金属元素的摩尔比为a∶b∶c∶x时，满足0.275＜a/c＜0.5、0.9≤b/c≤1、0＜x/c≤0.175以及0.5＜(a+3x/2)/c≤0.7的关系。

公开(公告)号：CN1384080A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02119065.8

申请日：2002-05-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 小川弘纯 ,  木村雅彦 ,  安藤阳

IPC分类号： C04B35/622 ,  C04B35/465

CPC分类号： C04B35/645 ,  B28B1/002 ,  B28B11/00 ,  B32B18/00 ,  B32B37/0046 ,  B32B2309/022 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/704

摘要： 本发明提供一种陶瓷的制造方法,该方法在烧结中可以采用通常的烧结炉,如果采用相同的材料,可以制造取向度比采用TGG法制造的取向陶瓷的取向度高的取向陶瓷。将板状陶瓷粉末与陶瓷原料的煅烧粉末混合,得到混合粉末。然后,得到含有混合粉末、溶剂和粘合剂的陶瓷生料。将陶瓷生料成形,形成片。将层压了多个片的层压物L在模具10中沿单轴方向加压,使层压物L的与加压轴平行方向的长度比加压之前小,使层压物L的与加压轴垂直面的面积比加压之前大,形成取向成形体。烧成该取向成形体,进行烧结。