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公开(公告)号:CN1263066A
公开(公告)日:2000-08-16
申请号:CN00101855.8
申请日:2000-02-03
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/01 , H01L41/187
CPC分类号: C04B35/465 , C04B35/475 , H01L41/187
摘要: 一种压电陶瓷组合物,它包括由通式(Ca1-xM1x)Bi4Ti4O15表示的主要组分,其中M1是除Ca之外的二价金属和Bi之外的三价金属中的一种金属,0
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公开(公告)号:CN1238316A
公开(公告)日:1999-12-15
申请号:CN99106774.6
申请日:1999-05-18
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/01 , H01L41/187
CPC分类号: H01L41/187 , C04B35/453 , C04B35/495
摘要: 本发明涉及一种含有陶瓷化合物和锰的压电陶瓷组合物。陶瓷化合物是主要组分,它可用通式(Sr1-xMx)Bi2Nb2O9表示。在该式中,M是二价金属元素,而x满足0≤x≤0.3。当折算为MnCO3时,锰的含量为1.0%重量或更少(不包括零)。
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公开(公告)号:CN1226541A
公开(公告)日:1999-08-25
申请号:CN99102465.6
申请日:1999-02-23
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/495
CPC分类号: H01L41/1873 , C04B35/495
摘要: 本发明提供了一种压电陶瓷组合物,该组合物主要包含下式表示的组合物:(1-n)(K1-x-yNaxLiy)m(Nb1-zTaz)O3-nM1M2O3其中M1代表二价金属元素,如Mg;Ca、Sr或Ba;M2代表四价金属元素,如Ti、Zr、Sn或Hf;x,y,z,m和n满足下列关系:0.1≤x;y≤0.3;x+y
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公开(公告)号:CN115151813A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202080097660.X
申请日:2020-10-29
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: G01N27/00 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786
摘要: 本发明的半导体设备具备:基板;多个电极,其配置在所述基板上;绝缘体,其设置有使所述多个电极中的至少一个电极在所述基板上露出的一个或多个开口,并且覆盖所述多个电极的至少一部分;以及半导体片,其配置于所述涂层部和在所述基板上从所述一个或多个开口露出的一个或多个露出部。
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公开(公告)号:CN103958438A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280056588.1
申请日:2012-11-21
申请人: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人物质·材料研究机构
IPC分类号: C04B35/491 , H01L41/187 , H01L41/39
CPC分类号: H01L41/1876 , C01G23/003 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2006/10 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/653 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/444 , C04B2235/5204 , C04B2235/528 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/787 , H01L41/43
摘要: 本发明提供作为具有钙钛矿结构的化合物而包含Pb(Ti,Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷及其制造方法。本发明的压电取向陶瓷是包含具有钙钛矿结构的Pb(Ti,Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷。该压电取向陶瓷是基于压电取向陶瓷的规定的截面的X射线衍射图样、利用Lotgering法计算出的取向度为0.64以上的高取向,且烧结密度为理论密度的85%以上的压电取向陶瓷。
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公开(公告)号:CN101360695B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN200680050983.3
申请日:2006-10-17
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/626 , C01G33/00 , C30B29/30
CPC分类号: C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/52 , C01P2004/54 , C04B35/495 , C04B35/62665 , C04B35/62675 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3294 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/787 , Y10T428/2982
摘要: 本发明的形状各向异性陶瓷粒子以通式{(K1-x-yNaxLiy)4(Nb1-zTaz)6O17+aMeOb}表示,所述x、y、z和a满足0≤x≤0.5、0≤y≤0.3、0≤z≤0.3、0.001≤a≤0.1;其中,Me表示选自Sb、Cu、Mn、V、Si、Ti、W的至少1种元素,b表示由Me的价数确定的正数。此外,形状各向异性陶瓷粒子呈板状,平均粒径为1~100μm,主面的最大径D和相对于该主面的垂直方向的厚度t的比D/t在2以上,较好是5以上。藉此,不需要烦杂的制造工序,以较低的制造成本就可获得适合作为用于制造结晶取向了的碱金属铌酸类陶瓷的反应性模板的形状各向异性陶瓷粒子。
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公开(公告)号:CN101346828B
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200680049100.7
申请日:2006-10-02
申请人: 株式会社村田制作所
CPC分类号: H01L41/43 , H01L41/1878 , H03H9/02031 , H03H9/02102 , H03H9/176 , H03H9/178 , Y10T29/42
摘要: 本发明提供能够容易地调整谐振频率温度特性的压电陶瓷。形成具有分别将压电陶瓷(2)分别形成为层状,而且交互层叠的第1和第2部分(11和12)的结构。第1和第2部分(11和12)由例如至少包含Sr、Bi和Nb的复合氧化物那样的具有铋层状结构的化合物构成,c轴的配向比互不相同。由于配向比的不同导致谐振频率的温度特性发生变化,所以通过将具有互不相同的配向比的第1部分和第2部分(11和12)适当组合,能够容易地调整压电陶瓷(2)整体的谐振频率的温度特性。
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公开(公告)号:CN1173372C
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN00126205.X
申请日:2000-08-25
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: H01B3/12 , C04B35/01 , H01G4/12 , H01L41/187 , H03H9/00
CPC分类号: H03H9/178 , C04B35/453 , C04B35/495 , H01L41/187
摘要: 一种压电陶瓷组合物,主要包含由式SrBi2Nb2O9表示的组分,并至少包含Si,相对于该式所示主组分中1摩尔Bi,Si的比例为大于0摩尔但等于或小于0.15摩尔,所述组合物的组成为(Sr1-xMx)Bi2(Nb1-ySiy)2O9+z%(重量)MnCO3,其中M选自Mg、Ca、Ba、La、Nd、Sm或Y的一种;y和z满足下列条件:0≤y≤0.35和0≤z≤1.1;x满足下列条件:当M是Mg、Ca或Ba时,0≤x≤0.6,当M是La、Nd、Sm或Y时,0≤x≤0.4。主要包含SrBi2Nb2O9的压电陶瓷组合物可以在较低温度下焙烧,即使在1100℃或更低温度下焙烧,仍具有实用的机电系数kt,可用作压电陶瓷滤波器、压电陶振荡器、压电陶瓷谐振器以及其它压电陶瓷器件的材料。使用这种压电陶瓷组合物,可制得满意的压电陶瓷。
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公开(公告)号:CN1156969C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN00117686.2
申请日:2000-05-24
申请人: 株式会社村田制作所
CPC分类号: H03H9/177 , C04B35/475 , C04B35/6262 , C04B2235/3208 , C04B2235/604 , C04B2235/787 , H01L41/1878 , H03H9/02031 , H03H9/02157
摘要: 利用具有层状钙钛矿结构的压电陶瓷,通过能量捕集效应获得可以实际使用的、具有某机电系数的压电器件,该器件具有较强的高温耐热性,并且几乎没有高频损耗。形成该压电器件衬底的压电陶瓷具有层状钙钛矿结构。衬底的c轴沿其宽度方向优先取向,并且衬底沿长度方向极化。在衬底的两个主表面上形成两个电极,以便在衬底中心部分附近彼此相对。作为衬底材料,最好使用这样的压电陶瓷组合物,其主要组分是用通用化学式CaBi4Ti4O15表示的陶瓷组分。
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公开(公告)号:CN1149182C
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN00126229.7
申请日:2000-08-16
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/653 , C04B35/465 , C04B35/495 , H01L41/24
CPC分类号: C04B35/465 , C04B35/495 , C04B35/653 , H01L41/1878 , H01L41/41
摘要: 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。
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