公开(公告)号：CN103650116B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201280026928.6

申请日：2012-05-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 史蒂芬·M·施瑞德 ,  戴安·海姆斯 ,  艾伦·M·舍普

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831

摘要： 本发明提供一种用于冷冻干燥衬底的装置。提供了容纳衬底的腔室。用于支撑和静电夹持该衬底的静电夹盘（ESC）位于该腔室之中。温度控制器控制该静电夹盘的温度。冷凝器与该腔室连接。真空泵与该腔室流体连接。

公开(公告)号：CN104205320B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380016403.9

申请日：2013-03-21

申请人： 应用材料公司

发明人： 约瑟夫·M·拉内什 ,  凯拉什·帕塔雷

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC分类号： B05C13/00 ,  C30B23/02 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

摘要： 在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。

公开(公告)号：CN106373909A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610578685.7

申请日：2016-07-21

申请人： 超科技公司

发明人： S·阿尼基特切夫

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  G02B27/09

CPC分类号： G02B27/0983 ,  G02B19/0004 ,  G02B19/0047 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0988 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明涉及使用锯齿状空间滤光片的高效线形成光学系统及方法。所述线形成光学系统包括：激光源；光束调节光学系统；第一光圈器件；及中继光学系统，该中继光学系统包括具有该锯齿状光圈的第二光圈器件。该锯齿状光圈由相对的锯齿状叶片来界定，相较于使用具有笔直边缘叶片的光圈，该锯齿状叶片被配置以减小在图像平面处所形成的线图像的强度变化。

公开(公告)号：CN106356321A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610850647.2

申请日：2016-09-26

申请人： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  昆山国显光电有限公司

发明人： 袁春芳 ,  刘玉成 ,  朱涛 ,  葛泳 ,  于锋 ,  唐静

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67115

摘要： 本申请涉及显示器制造领域，尤其涉及一种去除柔性基板中气泡的方法。所述柔性基板包括玻璃基板，以及设置在玻璃基板上的ITO层，还包括涂布在所述ITO层的表面的PI层，包括下列步骤：(a)将所述柔性基板放置在涡流加热装置上，其中玻璃基板紧贴所述涡流加热装置；(b)开始涡流加热，使ITO层升温，促使所述PI层内部的气泡上升至所述PI层表面后破裂去除。本申请所提供的去除柔性基板中气泡的方法利用柔性基板自身ITO层在涡流加热过程中自发热的特性，通过传递ITO层产生的热量给PI层，将刚刚涂布完成的PI层内的气泡通过加热的方式去除，有效降低了PI层内的气泡数量，提高了柔性屏的整体良率。

公开(公告)号：CN106328567A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610914198.3

申请日：2016-10-20

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 褚海波

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6708 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种刻蚀装置，包括旋转刻蚀机台和至少一个加热装置，旋转刻蚀机台的腔体用于固定和刻蚀晶圆，每个加热装置分别设置于旋转刻蚀机台的腔体的边缘，所有加热装置对腔体的边缘进行加热以在刻蚀晶圆时提高对晶圆的边缘的刻蚀率，以对刻蚀流程的刻蚀均匀度进行优化，从而提高最终的产品良率。

公开(公告)号：CN106206366A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610348854.8

申请日：2016-05-24

申请人： 株式会社思可林集团

发明人： 布施和彦 ,  伊藤祯朗

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67115 ,  F27B17/0025 ,  F27D11/12 ,  H01L21/6875

摘要： 本发明提供一种热处理装置，能够通过简单的结构使光照射时的基板面内的温度分布均匀。在基座(74)的上表面竖立设置有用于对半导体晶片(W)进行支撑的支撑销(75)。隔着基座(74)在基座(74)的与支撑销(75)相反一侧的下表面设置有聚光透镜(73)。聚光透镜(73)设置为光轴与支撑销(75)的中心轴相一致。从下方的卤素灯出射的光中的向聚光透镜(73)入射的光被会聚到支撑销(75)和半导体晶片(W)的接触部位，使该接触部位附近升温。通过对容易产生温度下降的半导体晶片(W)的与支撑销(75)的接触部位附近相对强地进行加热来抑制温度下降，从而能够使光照射时的半导体晶片(W)的面内温度分布均匀。

公开(公告)号：CN103797564B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280044675.5

申请日：2012-10-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 道格拉斯·E·霍姆格伦 ,  塞缪尔·C·豪厄尔斯

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC分类号： B23K26/0648 ,  B23K26/00 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/034 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/0876 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0911 ,  G02B27/0961 ,  G02B27/0966 ,  G02B27/10 ,  H01L21/268 ,  H01L21/67115 ,  H01L24/80

摘要： 本发明的实施例提供一种设备，该设备包括基板支撑件；激光辐射源，该激光辐射源沿着光学路径发射激光辐射；和照明光学器件，该照明光学器件沿着光学路径设置。照明光学器件包括慢轴透镜集合和快轴透镜集合。设备进一步包括均化器，该均化器沿着光学路径设置在照明光学器件与基板支撑件之间。均化器包括柱状透镜的第一微光学小透镜阵列和柱状透镜的第二微光学小透镜阵列，其中柱状透镜的第二微光学小透镜阵列具有相对大于柱状透镜的第一微光学小透镜阵列的小透镜间距的小透镜间距，且第一微光学小透镜阵列的小透镜轴和第二微光学小透镜阵列的小透镜轴沿着轴定向，该轴平行于激光辐射源的快轴。

公开(公告)号：CN106024606A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610179488.8

申请日：2016-03-25

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 郑弼盛 ,  池尙炫 ,  李成龙 ,  韩容愚

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/67 ,  H01L21/336

CPC分类号： C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C30B28/08 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66742 ,  H01L2229/00

摘要： 本发明提供一种制造半导体装置的设备以及使用其制造半导体装置的方法。本发明控制热源单元，使得在两个阶段中用光照射其中形成含氢待处理层的待处理物体，且由此可以抑制和防止半导体装置的电特征由于氢而劣化。也就是说，先照射的紫外光可以引发用于分离待处理层中的Si‑H键的化学反应，并且再照射的红外光可以引发用于使从Si‑H键分离的氢气化的热反应。因此，执行用于分离待处理层中的氢和其它离子的键的化学反应和用于使氢气化的热反应两个，由此与仅通过热反应从待处理层中气化氢的温度相比可以更容易地清除氢。

公开(公告)号：CN104206003B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201380015871.4

申请日：2013-03-20

申请人： 莫门蒂夫性能材料股份有限公司

发明人： 森川裕次 ,  松井诚彦 ,  大高昭伸 ,  樋口刚史 ,  藤村研介 ,  陆中浩

IPC分类号： H05B3/20

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H05B3/143 ,  H05B3/145 ,  H05B3/24 ,  H05B2203/017

摘要： 示出并且描述了一种电阻加热器。电阻加热器可以包括本体。本体可以包括：至少一个加热表面，此加热表面是大体平滑的并且大体平坦的；以及形成在本体中的凹入部，至少一部分所述本体具有选自下述形状的横截面形状：大体U状、大体I状、以及大体H状，并且其中横截面形状沿着至少一部分本体延伸。

公开(公告)号：CN103311154B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310073515.X

申请日：2013-03-08

申请人： AP系统股份有限公司

发明人： 林一焕 ,  沈长禹 ,  金哲洙 ,  崔乘爱

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67115

摘要： 根据本发明的加热模块，包括：灯，放射光；凹面反射部件，对向于所述灯，并在与所述灯对望的一面具备凹面反射面；透镜模块，插入并设置于所述凹面反射部件，并具备至少一个的透镜；及平板型反射部件，安置为与所述透镜模块对向。由此，根据本发明的实施形态，从灯放射的光会通过凹面反射部件的反射面来进行反射，并通过反射部件及透镜模块进行集光及集热后，照射到基板上。即，相比于以往，可以将大能量的光照射于基板，来对基板进行瞬间加热来提升温度及升温速度，并且可以增加热量可集中的面积。由此具有提升快速热处理工序所需的半导体装置或显示装置的生产性的优点。