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公开(公告)号:CN1316672C
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200410005396.5
申请日:2004-02-12
申请人: 夏普株式会社
CPC分类号: H05K3/222 , H03F3/19 , H03F3/60 , H05K1/0219 , H05K1/0237 , H05K2201/0715 , H05K2201/09336 , H05K2201/10636 , Y02P70/611
摘要: 一种高频电路包括其正面侧上具有电子元件的基片、在基片的几乎整个背面侧上形成的第一接地图案、基片的正面侧上形成的微带线和连接到基片正面侧上的电子元件且在基片的正面侧和背面侧上连续形成以便在平面图上在基片的背面侧上交叉经过微带线从而向电子元件提供偏置电压的偏置线,其中形成第一接地图案以便包围基片的背面侧上形成的偏置线,包围基片背面侧上的偏置线的部分第一接地图案连续地形成于基片的正面侧上作为第二接地图案,从而将微带线分成两个部分,并排列片形跳线在第二接地图案上桥接两个分开的微带线部分以电连接分开的微带线。
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公开(公告)号:CN1893259A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610008598.4
申请日:2006-02-17
申请人: 株式会社日立制作所
CPC分类号: H03F1/0288 , H03F3/19 , H03F3/24 , H03F3/60 , H03F2200/111 , H03F2200/417 , H03F2200/423 , H03F2200/75
摘要: 本发明涉及功率放大器以及使用了该放大器的发射器。使多赫蒂型功率放大器的输出功率合成电路的电长可变,对于多频带或者宽频带谋求高功率附加效率,在载频放大器(Amp1)和峰值放大器(Amp2)的输入一侧连接90度相位延迟功率分配单元(PSPD),在输出一侧连接可变电长功率合成单元(VTL2),根据载波信号(RFs)的载波频带,通过从可变电长功率合成单元(VTL2)的控制端子(Ctrl)施加控制信号(Sig)进行调整,使得对于该载波频带的中心频率,可变电长功率合成单元(VTL2)的电长大致成为90度。
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公开(公告)号:CN1714500A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN02830057.2
申请日:2002-12-19
申请人: 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号: H03F1/02
CPC分类号: H03F1/32 , H03F1/0205 , H03F1/0288 , H03F1/0294 , H03F3/24 , H03F3/60 , H03F3/602 , H03F3/604 , H03F2200/423 , H03F2200/543
摘要: 一种复合功率放大器结构,其包括被配置为Doherty放大器的辅助放大器并连接至输出节点的第一功率放大器(PA N+1),以及被配置成与同一输出节点连接的至少一个Chireix对的偶数个另外的功率放大器(PA 1,1+PA 1,2...PA N,1+PA N,2)。Chireix对至少部分地以异相模式被驱动(40),以及第一功率放大器以与Doherty放大器的辅助放大器相同的方式(40)被驱动。
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公开(公告)号:CN108242919A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711112403.5
申请日:2017-11-13
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H03H11/28 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/60 , H03F2200/387 , H03H7/383 , H03H2001/0085
摘要: 本发明提供一种功率放大器的阻抗匹配电路,所述阻抗匹配电路包括多层基板、微带线、螺旋电感器、第一电容器电路和第二电容器电路。所述多层基板包括功率放大器,所述微带线设置在第一层基板上且连接到所述功率放大器。所述螺旋电感器包括设置在所述第一层基板上且连接到所述微带线的第一螺旋传输线、设置在位于所述第一层基板下面的基板层上且连接到所述第一螺旋传输线的第二螺旋传输线、以及设置在所述第一层基板上且连接到所述第二螺旋传输线的输出垫。所述第一电容器电路设置在所述螺旋电感器的外部,且连接在所述微带线与地之间。第二电容器电路设置在所述螺旋电感器的外部,且连接在所述输出垫与所述地之间。
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公开(公告)号:CN105122694B
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201380075590.8
申请日:2013-12-05
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 竹松佑二
CPC分类号: H03H11/04 , H03F1/32 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/60 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/451 , H03H9/0566 , H04B15/06
摘要: 本发明提供一种放大电路中产生谐波信号的情况得以抑制,且可防止输出包含有不需要的谐波分量的高频信号的支持多频带的高频模块。通过将第1信号路径(SL1)和第2信号路径(SL2)设置为俯视时在多层基板(2)中至少交叉一次,能够防止从第1放大电路(31)和第2放大电路(32)输出的高输出的高频信号分别与多层基板(2)中所设置的其他要素相干涉,从而能够提供一种支持多频带的高频模块(1),能够对第1放大电路(31)和第2放大电路(32)中分别产生谐波信号的情况进行抑制,防止输出包含有不需要的谐波分量的高频信号,并具有优异的RF特性。
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公开(公告)号:CN106208973A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610715463.5
申请日:2016-08-24
申请人: 叶鼎
摘要: 一种A类音频功率放大器的超前随动偏置方法及放大器。超前随动偏置方法是对选择需要放大的音频信号进行延时并将延时后的音频信号所对应的模拟音频信号作为输入功率放大器的需要放大的音频信号,同时,将选择需要放大的音频信号所对应的模拟音频信号用于控制产生随延时音频信号幅值变化的偏置且使功率放大输出电路处于A类工作状态。放大器包括电压或电流偏置电路、全波整流电路、幅值保持电路、转换电路和音频功率放大输出电路,还包括延时电路,需要放大的音频信延时后进音频功率放大输出电路;需要放大的音频信所对应的模拟音频信号经过电路处理后用于控制电压或电流偏置电路的偏置电压或偏置电流的输出。本发明适时降低偏置以实现降低功耗。
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公开(公告)号:CN106169919A
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201610055365.3
申请日:2016-01-27
申请人: 联发科技股份有限公司
CPC分类号: H01P5/18 , H01P5/185 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/45188 , H03F3/45475 , H03F3/60 , H03F3/602 , H03F2200/198 , H03F2200/451 , H03F2203/45481 , H03H7/21 , H03H7/38 , H03H7/48 , H03F1/565 , H03F3/195
摘要: 本发明实施例公开了集成电路。本发明的一种集成电路可包括四端口无源耦合器,该四端口无源耦合器输出的信号S1和S2,且所述信号S1和S2的相位分别为ΦS1和ΦS2;本发明的集成电路还包括输入端口的第一负载和第二负载,其中,所述四端口无源耦合器与所述第一负载之间彼此连接的端子之间存在阻抗不匹配;所述四端口无源耦合器与所述第二负载之间彼此连接的端子之间存在阻抗不匹配;本发明的集成电路还包括复合终接阻抗电路,用以终接所述四端口无源耦合器的隔离端口,以使所述S1和S2具有小于第一阈值的幅度失衡,且所述ΦS1和所述ΦS2的相位差的绝对值处于第一区间角度范围内,其中,所述复合终接阻抗电路具有电抗。
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公开(公告)号:CN106026955A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610548961.5
申请日:2016-07-13
摘要: 本发明公开一种多级谐波控制高效率微波单片集成功放的匹配电路。该功放匹配电路包括第三级输出匹配电路、二三级间匹配电路、一二级间匹配电路、第一级输入匹配电路;各级匹配电路中都包含二次谐波阻抗匹配电路;所述二次谐波阻抗匹配电路,主要采用电感和电阻并联结构,只有第三级输出电路中采用并联电感到地结构。采用本发明中的二次谐波匹配电路,能够有效的控制波形交叠,降低电路的损耗,同时减少该功放匹配电路的空间,提高功放效率。
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公开(公告)号:CN102640350B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201080017104.3
申请日:2010-02-18
申请人: 豪沃基金有限责任公司
CPC分类号: H03F1/0211 , H01P1/2039 , H01P1/2138 , H01P5/12 , H01P5/20 , H03F1/0261 , H03F3/60 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2203/7209 , H03F2203/7236 , H03H7/0123 , H03H7/38 , H03H7/46
摘要: 基于CRLH结构设计功率放大系统以及其中的模块和部件,提供高效率和高线性。
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公开(公告)号:CN103684287A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310408044.3
申请日:2013-09-10
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H03F3/20
CPC分类号: H03F3/21 , H03F1/0261 , H03F3/245 , H03F3/60 , H03F2200/18 , H03F2200/411
摘要: 获得能够抑制因半导体加工偏差引起的无功电流的变动的功率放大器。放大元件(Tr3)将从外部输入的输入信号放大。偏置电路(2)将偏置电流供应至放大元件(Tr3)的输入。在偏置电路(2)中,第一电阻(Rb8)的一端连接于来自电池的电池电压所施加的参考电压端子(Vref)。第二电阻(Rb10)在第一电阻(Rb8)的另一端与接地点之间连接。第一晶体管(Trb8)的基极连接于第一电阻(Rb8)和第二电阻(Rb10)的连接点,集电极连接于电源,发射极连接于放大元件(Tr3)的输入。第一电阻(Rb8)、第二电阻(Rb10)由相同的材料构成。
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